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公开(公告)号：EP0096034A1
公开(公告)日：1983-12-21
申请号：EP82900581.0
申请日：1981-12-21
CPC分类号： C23C18/40
摘要： Des solutions cuivriques convenablement complexées peuvent déposer sans passage d'un courant électrique des films conducteurs de cuivre sur des substrats catalysés non-conducteurs, à des valeurs de pH allant d'environ 2,0 à 3,5 dans le bain de placage, en utilisant un réducteur non-formaldéhyde tel que l'hypophosphite. Pour obtenir de bons résultats, les conditions suivantes sont essentielles: 1) le complexeur choisi doit pouvoir chélater le cuivre à des valeurs de pH entre 2,0 et 3,5 à des températures élevées (140o à 160oF); 2) il faut éviter des concentrations importantes de certains anions dans la solution de placage, tels que les halogénures et les acétates; et 3) il faut prévoir une surface catalytique "active" sur le substrat non-conducteur.
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2.发明公开
公开(公告)号：EP0057232A1
公开(公告)日：1982-08-11
申请号：EP81902342.0
申请日：1981-08-10
发明人： KUKANSKIS, Peter E.
摘要： Procede de depot en continu d'un placage metallique sur la surface d'une piece a usiner a partir d'un bain de placage non electrolytique, non autocatalytique, qui est lui-meme limite en ce qui concerne l'epaisseur de metal qui peut etre depose par placage non electrolytique en appliquant un potentiel electrique sur la piece a usiner dans le bain non electrolytique. Le procede utilise des bains non autocatalytiques, tels que des bains de cuivre non electrolytiques reduits a hypophosphite, avec la capacite de plaquer sur des non conducteurs jusqu'a une epaisseur desiree qui augmente dans le temps a une vitesse dependant de l'intensite du courant applique. Une epaisseur plus uniforme de depot sur la piece plaquee et une plus grande penetration du depot dans les trous borgnes, dans les evidements profonds et dans les parties tubulaires de formes complexes peuvent etre obtenues par ce procede.
摘要翻译： 使用无电解的非自催化电镀槽在工件表面上连续沉积金属镀层的方法，该电镀本身的厚度受限于金属的厚度 通过在非电解槽中向工件施加电势来通过无电镀敷来沉积。 该方法利用非自催化浴，如浴铜电解不次磷酸盐减少，镀上非导电直到这增加在时间上的期望的厚度有一个速度相关的电流强度的能力 适用。 通过该方法可以实现贴片上更均匀的沉积厚度以及更大的沉积物渗入盲孔，深凹陷和复杂形状的管状部分。
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公开(公告)号：EP0096034B1
公开(公告)日：1986-09-10
申请号：EP82900581.8
申请日：1981-12-21
CPC分类号： C23C18/40
摘要： Suitably complexed cupric solutions can deposit conductive copper films electrolessly on properly catalyzed non-conductive substrates, at plating bath pH values in the range of about 2.0 to 3.5, using a non-formaldehyde reducer such as hypophosphite. Certain conditions are critical to successful results: (1) ability of the complexer selected to chelate copper at pH values of 2.0 to 3.5 at elevated temperatures (140 to 160 F); (2) avoidance of certain anions, such as halides and acetates, in significant concentrations in the plating solution; and (3) provision of an "active" catalytic surface on the non-conductive substrate.
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4.发明授权PROCESS AND COMPOSITION FOR PREPARING PRINTED CIRCUIT THROUGH-HOLES FOR METALLIZATION 失效用于生产印刷电路具有用于金属化持续洞。
公开(公告)号：EP0368943B1
公开(公告)日：1994-02-23
申请号：EP89901384.1
申请日：1988-12-09
CPC分类号： C23C18/22 , H05K3/0055 , H05K2203/0783 , H05K2203/0793 , H05K2203/0796 , H05K2203/122
摘要： Disclosed herein is a process for preparing the surfaces of through-holes in printed circuit boards (especially multilayer printed circuit boards) for subsequent metallization, in which the through-hole surfaces are treated with a substantially water-immiscible organic liquid which acts upon the insulating substrate of the board, and preferably in the form of a substantially homogeneous, clear mixture comprised of the water-immiscible organic liquid, water, an alkali metal compound and a surfactant component, followed by treatment of the through-hole surfaces with an alkaline permanganate solution. The process can be used as a desmearing and/or etch-back process, a combined desmearing-conditioning process, or a conditioning process following a separate desmearing process.
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5.发明授权
公开(公告)号：EP0057232B1
公开(公告)日：1987-03-25
申请号：EP81902342.5
申请日：1981-08-10
发明人： KUKANSKIS, Peter E.
IPC分类号： C25D3/38
摘要： A method of continuously depositing a metallic plating on the surface of a workpiece from a non-autocatalytic electroless plating bath that is normally inherently self-limiting as to the thickness of metal which can be deposited by electrolessly plating by applying an electric potential on the workpiece in the electroless bath. The method provides non-autocatalytic baths, such as hypophosphite-reduced electroless copper baths, with the ability to plate on nonconductors to a desired thickness which increases with time at a rate dependent on the amount of current applied A more uniform thickness of deposit over the workpiece being plated and greater deposit penetration into blind holes, deep recesses and tubular portions of complex-shaped parts is obtainable by the method.
摘要翻译： 一种从非自动催化无电解镀液在工件表面上连续沉积金属镀层的方法，该方法通常通过在工件上施加电势而通过无电镀来沉积的金属的厚度固有地自限制 在无电镀浴中。 该方法提供非自催化浴，例如次亚磷酸盐还原的无电镀铜浴，其具有在非导体上平版到期望厚度的能力，随着时间的推移，其依赖于所施加的电流量的速率。更均匀的沉积厚度 工件被镀覆，并且通过该方法可以获得更大的沉积物穿入盲孔，深凹部和复杂形状部件的管状部分。
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