公开(公告)号：EP0883929A4

公开(公告)日：2001-10-04

申请号：EP97914806

申请日：1997-02-28

申请人： MICRO DEVICES CORP CALIFORNIA

发明人： KALB JEFFREY C ,  HARIHARAN PERUVAMBA ,  BRANKOV ANGUEL S

IPC分类号： H03H7/06

CPC分类号： H03H7/06

摘要： A Quarter Size Small Outline Package (QSOP) integrated resistor-capacitor (RC) network includes RC filters with reduced parasitic inductance. In one embodiment, the QSOP integrated RC network includes at least six ground pins (1, 7, 10, 11, 14, 20) for coupling capacitors of the RC filters (2-6, 8, 9, 12, 13, 15-19) with a common ground to maximize the attenuation of ultra-high frequency signals filtered through the RC filters.

摘要翻译： 四分之一尺寸小外形封装（QSOP）集成电阻/电容网络。 QSOP集成电阻/电容网络包括以集成形式在QSOP封装中实现的电阻/电容滤波器。 在一个实施例中，QSOP集成电阻器/电容器网络包括至少六个接地引脚，用于将电阻器/电容器滤波器的电容器与公共接地耦合，以使通过电阻器/电容器滤波器滤波的超高频信号的衰减最大化。

公开(公告)号：EP0946980A4

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：EP97938547

申请日：1997-08-21

申请人： MICRO DEVICES CORP CALIFORNIA

发明人： KALB JEFFREY C

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L23/485 ,  H01L21/44 ,  H01L21/60 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： The present invention relates, in one embodiment, to an integrated circuit including a first circuit structure, a first conductive bonding pad (610a) coupled to the first circuit structure, a second circuit structure, and a second conductive bonding pad (610b) coupled to the second circuit structure. The first conductive bonding pad (610a) is arranged to be separated from the second bonding pad (610b) by a gap (614) having a gap dimension. The gap dimension is configured to be bridged by a wire bond, thereby permitting the wire bond to electrically couple the first conductive bonding pad (610a) with the second conductive bonding pad (610b) when the wire bond is coupled to the first bonding pad (610a) and the second bonding pad (610b) at the gap (614).

摘要翻译： 本发明涉及，在一个实施例中，为了在集成电路，包括：第一电路结构，耦合到所述第一电路结构的第一导电焊盘，第二电路结构，以及耦合到所述第二电路结构的第二导电焊盘。 第一导电焊盘被布置成通过具有间隙尺寸的间隙，以从第二焊盘分离。 的间隙尺寸被构造成由一个引线键合进行桥接，由此允许引线接合以电耦合与第二导电焊盘当丝焊连接到第一结合焊盘，并在所述第二焊垫的第一导电焊盘 差距。

公开(公告)号：EP0870321A4

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：EP96939511

申请日：1996-11-01

申请人： MICRO DEVICES CORP CALIFORNIA

发明人： KALB JEFFREY C ,  RAO BHASKER B

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/94 ,  H01G4/06 ,  H01G4/10 ,  H01G4/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/70 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A thin film protected capacitor structure (300) having a thin film capacitor and a protection device is provided on an integrated circuit wafer. The wafer has a low resistivity substrate (302) of a first type, disposed under an epitaxial layer (304) of a second type different from the first type. The structure includes a first heavily doped region (306), which is of the first type, in and through the epitaxial layer (304), and an oxide layer (308) having a first oxide region disposed above the first heavily doped region (306). The first heavily doped region (306) and the low resistivity substrate (302) form the first plate of the thin film capacitor. There is also included a metal layer (310) disposed above the first oxide region forming the second plate of the thin film capacitor and a second heavily doped region (324) in the epitaxial layer (304).

摘要翻译： 具有薄膜电容器和保护器件的薄膜保护电容器结构设置在集成电路晶片上。 晶片具有设置在不同于第一类型的第二类型的外延层下方的第一类型的低电阻率衬底。 该结构包括第一类型的第一重掺杂区域，其中并且穿过外延层，以及具有设置在第一重掺杂区域上方的第一氧化物区域的氧化物层。 第一重掺杂区域和低电阻率衬底形成薄膜电容器的第一板。 还包括设置在第一氧化物区域上方的金属层。 该金属层的一部分形成薄膜电容器的第二板。 在第二板和第一板之间，上述第一氧化物区域表示绝缘电介质。 在外延层中还包括第二重掺杂区域。 该第二重掺杂区域是第一类型并与金属层电接触的厚度小于外延层的厚度。 保护器件由该第二重掺杂区域，外延层和低电阻率衬底形成。

公开(公告)号：EP0870331A4

公开(公告)日：1999-01-07

申请号：EP96936209

申请日：1996-10-04

申请人： MICRO DEVICES CORP CALIFORNIA

发明人： KALB JEFFREY C ,  HARIHARAN PERUVAMBA ,  HURD JOHN D ,  DUNCAN GREGG

IPC分类号： H01C13/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L29/00 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L27/0802 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  Y10S257/924 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit for implementing a resistor network on a die of the integrated circuit. The integrated circuit includes a common conductor (302), which is disposed on a first side of the die and coupled to resistors (R1...R22) of the resistor network. The integrated circuit further includes a substantially conductive substrate through the die. There is further included a conductive back side contact coupled to the substantially conductive substrate, whereby the common conductor, the substantially substrate, and the conductive back side contact form a common conducting bus from the common conductor to the conductive back side contact through the die.

摘要翻译： 一种用于在集成电路的管芯上实现电阻器网络的集成电路。 集成电路包括公共导体，其布置在管芯的第一侧并且耦合到电阻器网络的电阻器。 集成电路还包括通过管芯的基本导电的衬底。 还包括耦合到基本导电的衬底的导电背面接触。 导电背侧接触件设置在与第一侧相对的模具的第二侧上，由此公共导体，基本上导电的基板和导电背面接触形成从公共导体到导电背侧接触件的公共导电总线 通过死亡。