公开(公告)号：EP3857604A1

公开(公告)日：2021-08-04

申请号：EP19870314.2

申请日：2019-10-08

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： KARDA, Kamal M. ,  GANDHI, Ramanathan ,  LEE, Yi Fang ,  SILLS, Scott E. ,  LIU, Haitao ,  RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

公开(公告)号：EP3479381A1

公开(公告)日：2019-05-08

申请号：EP17820860.9

申请日：2017-06-02

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： WANG, Bei ,  CALDERONI, Alessandro ,  KINNEY, Wayne ,  JOHNSON, Adam ,  RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal

IPC分类号： G11C11/22 ,  G11C11/56 ,  G11C14/00 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11502

公开(公告)号：EP3472838A1

公开(公告)日：2019-04-24

申请号：EP17815913.3

申请日：2017-06-02

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： CALDERONI, Alessandro ,  RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal ,  PRALL, Kirk ,  BEDESCHI, Ferdinando

IPC分类号： G11C11/22

公开(公告)号：EP3903350A1

公开(公告)日：2021-11-03

申请号：EP19904302.7

申请日：2019-12-20

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： KARDA, Kamal M. ,  LIU, Haitao ,  SARPATWARI, Karthik ,  RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal

IPC分类号： H01L27/108

公开(公告)号：EP3864704A1

公开(公告)日：2021-08-18

申请号：EP19870693.9

申请日：2019-10-08

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal ,  SILLS, Scott E.

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

公开(公告)号：EP2888741A1

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：EP13831521.3

申请日：2013-08-20

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal ,  BI, Lei

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： Electronic apparatus, systems, and methods can include a resistive memory cell having a dielectric structured as an operably variable resistance region between an oxygen source and an oxygen sink. The dielectric, oxygen source, and an oxygen sink can be structured as a field driven unipolar memory element with respect to generation and healing of a filament in the dielectric. Additional apparatus, systems, and methods are disclosed.

公开(公告)号：EP3903349A1

公开(公告)日：2021-11-03

申请号：EP19903057.8

申请日：2019-12-23

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： KARDA, Kamal M. ,  LIU, Haitao ,  SARPATWARI, Karthik ,  RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal

IPC分类号： H01L27/108

公开(公告)号：EP3857609A1

公开(公告)日：2021-08-04

申请号：EP19870442.1

申请日：2019-10-08

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

公开(公告)号：EP3704741A1

公开(公告)日：2020-09-09

申请号：EP18888291.4

申请日：2018-11-28

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： CHAVAN, Ashonita A. ,  COOK, Beth R. ,  NAHAR, Manuj ,  RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal

IPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/06 ,  H01L23/485

公开(公告)号：EP2891181B1

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：EP13832146.8

申请日：2013-08-29

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal ,  BI, Lei ,  COOK, Beth R. ,  COLLINS, Dale W.

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02483 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

摘要： Electronic apparatus, systems, and methods can include a resistive memory cell having a structured as an operably variable resistance region between two electrodes and a metallic barrier disposed in a region between the dielectric and one of the two electrodes. The metallic barrier can have a structure and a material composition to provide oxygen diffusivity above a first threshold during program or erase operations of the resistive memory cell and oxygen diffusivity below a second threshold during a retention state of the resistive memory cell. Additional apparatus, systems, and methods are disclosed.