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    Halbleiterchip für die Optoelektronik und Verfahren zu dessen Herstellung
    2.
    发明公开
    Halbleiterchip für die Optoelektronik und Verfahren zu dessen Herstellung 有权
    Halbleiterchipfürdie Optoelektronik und Verfahren zu dessen Herstellung

    公开(公告)号：EP1592072A2

    公开(公告)日：2005-11-02

    申请号：EP05006138.1

    申请日：2005-03-21

    申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH

    发明人： Windisch, Reiner ,  Wirth, Ralph ,  Wegleiter, Walter

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/387

    摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiterchip für die Optoelektronik mit einer Dünnfilmschicht, in der eine elektromagnetische Strahlung emittierende Zone ausgebildet ist und die eine Abstrahlseite, eine Rückseite und Seitenflanken aufweist, die die Rückseite mit der Abstrahlseite verbinden; und einem Träger für die Dünnfilmschicht, der an der Rückseite angeordnet und mit dieser verbunden ist; wobei auf der Abstrahlseite mindestens eine elektrische Vorderseitenkontaktstruktur und auf der Rückseite mindestens ein Graben ausgebildet ist. Der Graben definiert gemäß einem Aspekt der Erfindung einen einzigen Teilbereich, der im Wesentlichen nicht mit der Vorderseitenkontaktstruktur überlappt. Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung definiert der Graben auf der Rückseite eine Mehrzahl von Teilbereichen, die im Wesentlichen nicht mit der Vorderseitenkontaktstruktur überlappen und die jeweils zu mindestens einem mit der Vorderseitenkontaktstruktur überlappenden Bereich benachbart sind.
    Die Erfindung betrifft zudem ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterchips.

    摘要翻译： 一种用于光电子的半导体芯片（1）包括一个薄膜，该薄膜含有一个侧面连接在后面和辐射侧的辐射发射区和一个背面的胶片载体。 存在具有不与其重叠的接触件的前接触件（2）和后沟槽（3），并形成倾斜的内壁以转动辐射。 还包括以下独立权利要求：（A）如上所述的另一半导体芯片;以及（B）这些芯片的生产工艺。

    Halbleiterchip für die Optoelektronik und Verfahren zu dessen Herstellung
    4.
    发明公开
    Halbleiterchip für die Optoelektronik und Verfahren zu dessen Herstellung 有权
    半导体芯片光电子和过程及其制备方法

    公开(公告)号：EP1592072A3

    公开(公告)日：2007-12-26

    申请号：EP05006138.1

    申请日：2005-03-21

    申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH

    发明人： Windisch, Reiner ,  Wirth, Ralph ,  Wegleiter, Walter

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/387

    摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiterchip (1) für die Optoelektronik mit einer Dünnfilmschicht (5), in der eine elektromagnetische Strahlung emittierende Zone (6) ausgebildet ist und die eine Abstrahlseite (7), eine Rückseite (8) und Seitenflanken (9) aufweist, die die Rückseite (8) mit der Abstrahlseite (7) verbinden; und einem Träger (17) für die Dünnfilmschicht (5), der an der Rückseite (8) angeordnet und mit dieser verbunden ist; wobei auf der Abstrahlseite (7) mindestens eine elektrische Vorderseitenkontaktstruktur (2,22) und auf der Rückseite (8) mindestens ein Graben (3) ausgebildet ist. Der Graben (3) definiert gemäß einem Aspekt der Erfindung einen einzigen Teilbereich (4), der im Wesentlichen nicht mit der Vorderseitenkontaktstruktur (2,22) überlappt. Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung definiert der Graben (3) auf der Rückseite (8) eine Mehrzahl von Teilbereichen (4), die im Wesentlichen nicht mit der Vorderseitenkontaktstruktur (2,22) überlappen und die jeweils zu mindestens einem mit der Vorderseitenkontaktstruktur (2,22) überlappenden Bereich benachbart sind.
    Die Erfindung betrifft zudem ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterchips (1).

    HALBLEITERCHIP FÜR DIE OPTOELEKTRONIK UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    5.
    发明公开
    HALBLEITERCHIP FÜR DIE OPTOELEKTRONIK UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    用于光电子学的半导体芯片及其制造方法

    公开(公告)号：EP3240048A1

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：EP17173235.7

    申请日：2001-08-08

    申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh

    发明人： Illek, Stefan ,  Wirth, Ralph ,  Wegleiter, Walter ,  Plößl, Andreas ,  Streubel, Klaus

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10

    CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/30 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Halbleiterchip, insbesondere strahlungsemittierender Halbleiterchip, mit einer aktiven Dünnfilmschicht (2), in der eine Photonen emittierende Zone (3) ausgebildet ist und einem Trägersubstrat (1) für die Dünnfilmschicht (2), das an einer von der Abstrahlrichtung des Chips abgewandten Seite der Dünnfilmschicht (2) angeordnet und mit dieser verbunden ist. In der aktiven Dünnfilmschicht (2) ist vom Trägersubstrat (1) her mindestens eine Kavität (8) ausgebildet, durch die an der Grenze zwischen Trägersubstrat (1) und Dünnfilmschicht (2) eine Mehrzahl von Mesen (4) ausgebildet ist.

    摘要翻译： 半导体芯片，在具有有源薄膜层特别发射辐射的半导体芯片（2），其中（3）和用于该薄膜层的载体基底（1）（2）设置在从薄膜层的芯片侧的辐射方向背向侧的光子发射区形成 （2）安排并连接到此。 在从载体基板的有源薄膜层（2）（1）这里，形成至少一个腔体（8），通过该在所述载体基片（1）和薄膜层（2）之间的边界处形成多个台面（4）。