公开(公告)号：EP1016139B1

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：EP98939228.7

申请日：1998-08-05

申请人： Rovec Acquisitions Ltd. L.L.C.

发明人： HEBERT, François ,  PARKER, James, R. ,  NG, Daniel, Szehim ,  BARTLOW, Howard, D.

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L27/088 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： A linear MOSFET device includes a shield plate (26) between a drain and an overlying gate.