摘要:
La présente invention concerne une source d'électrons à arc sous vide comportant une source de plasma présentant une anode et une cathode disposées en vis-à-vis de manière à former un plasma (P) à la suite de l'application d'une différence de potentiel appropriée entre l'anode et la cathode, un dispositif (30) d'extraction des électrons et un dispositif de rétention de matières situé entre le dispositif d'extraction et la source de plasma. Selon l'invention, le dispositif de rétention de matières comporte, dans le sens (F) d'extraction des électrons, au moins un baffle amont (10) et un baffle aval (20) électriquement conducteurs et présentant des ouvertures (16, 26) en quinconce, de telle sorte que, lorsque les baffles (10, 20) sont portés à un potentiel donné, le plasma (P) ne s'étende pas en aval du baffle aval (20).
摘要:
Dans un tube neutronique scellé à haut flux muni d'une source d'ions (1) de type Penning, le champ magnétique de confinement du gaz ionisé (9) est rendu plus divergent en direction de la zone d'émission des ions par action sur le système d'aimants (8) de la source d'ions. Le faisceau ionique issu du plasma est accéléré (2) et projeté sur une cible (4). La géométrie et la position de l'anode (13) à l'intérieur de la source d'ions s'adaptent à la topographie des lignes de force, pour une interception minimale des trajectoires des électrons ionisants oscillant dans la structure, adaptation obtenue en particulier par l'utilisation d'une anode tronconique dont les génératrices épousent les lignes de force.
摘要:
Source d'ions à arc sous vide comportant une anode (2 ou 3) et une cathode (1) disposées en vis à vis, portées à des potentiels différents et dont le plasma (7) est émis perpendiculairement à la surface de la cathode. La projection de ce plasma est obtenue au moyen de deux gâchettes autonomes (4 et 5) convenablement polarisées. Application à l'implantation d'ions métalliques.