Source d'électrons présentant un dispositif de rétention de matières
    2.
    发明公开
    Source d'électrons présentant un dispositif de rétention de matières 失效
    电子源与teilchenhaltender布置。

    公开(公告)号:EP0480518A1

    公开(公告)日:1992-04-15

    申请号:EP91202587.1

    申请日:1991-10-03

    发明人: Bernardet, Henri

    IPC分类号: H01J3/02

    CPC分类号: H01J3/025

    摘要: La présente invention concerne une source d'électrons à arc sous vide comportant une source de plasma présentant une anode et une cathode disposées en vis-à-vis de manière à former un plasma (P) à la suite de l'application d'une différence de potentiel appropriée entre l'anode et la cathode, un dispositif (30) d'extraction des électrons et un dispositif de rétention de matières situé entre le dispositif d'extraction et la source de plasma. Selon l'invention, le dispositif de rétention de matières comporte, dans le sens (F) d'extraction des électrons, au moins un baffle amont (10) et un baffle aval (20) électriquement conducteurs et présentant des ouvertures (16, 26) en quinconce, de telle sorte que, lorsque les baffles (10, 20) sont portés à un potentiel donné, le plasma (P) ne s'étende pas en aval du baffle aval (20).

    Dispositif de perfectionnement de la source d'ions de type Penning dans un tube neutronique
    3.
    发明公开
    Dispositif de perfectionnement de la source d'ions de type Penning dans un tube neutronique 失效
    Einrichtung zur Verbesserung der Penning-Ionenquelle在einerNeutronenröhre。

    公开(公告)号:EP0362945A1

    公开(公告)日:1990-04-11

    申请号:EP89202463.9

    申请日:1989-10-02

    IPC分类号: H05H3/06 H01J27/04

    CPC分类号: H05H3/06 H01J27/04

    摘要: Dans un tube neutronique scellé à haut flux muni d'une source d'ions (1) de type Penning, le champ magnétique de confinement du gaz ionisé (9) est rendu plus divergent en direction de la zone d'émission des ions par action sur le système d'aimants (8) de la source d'ions. Le faisceau ionique issu du plasma est accéléré (2) et projeté sur une cible (4). La géométrie et la position de l'anode (13) à l'intérieur de la source d'ions s'adaptent à la topographie des lignes de force, pour une interception minimale des trajectoires des électrons ionisants oscillant dans la structure, adaptation obtenue en particulier par l'utilisation d'une anode tronconi­que dont les génératrices épousent les lignes de force.

    摘要翻译: 在设置有Penning型离子源(1)的高通量密封中子管中,用于限制电离气体(9)的磁场通过在磁体系统上的作用而在离子的发射区域的方向上变得更为发散 8)的离子源。 从等离子体发出的离子束被加速(2)并投影到靶(4)上。 离子源内的阳极(13)的几何形状和位置适应于力线的形貌,以便在结构中振荡的电离电子的轨迹的最小截距,特别是通过使用 截断的阳极,其母线遵循力线。 ... ...

    Source d'ions à quatre électrodes
    5.
    发明公开
    Source d'ions à quatre électrodes 失效
    Ionenquelle mit vier Elektroden。

    公开(公告)号:EP0295743A1

    公开(公告)日:1988-12-21

    申请号:EP88201173.7

    申请日:1988-06-08

    发明人: Bernardet, Henri

    IPC分类号: H01J27/02 H01J27/08 H01J49/12

    CPC分类号: H01J27/08 H01J27/022

    摘要: Source d'ions à arc sous vide comportant une anode (2 ou 3) et une cathode (1) disposées en vis à vis, portées à des potentiels différents et dont le plasma (7) est émis per­pendiculairement à la surface de la cathode. La projection de ce plasma est obtenue au moyen de deux gâchettes autonomes (4 et 5) convenablement polarisées.
    Application à l'implantation d'ions métalliques.

    摘要翻译: 包括阳极(2或3)和阴极(1)的真空电弧离子源,其被布置为彼此面对并且被带到不同的电位,并且其中等离子体(7)垂直于阴极表面发射 。 该等离子体通过两个适当极化的独立门(4和5)投影。 ...应用于植入金属离子。 ... ...... ...