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    Surface discharge corona plasma cathode assembly
    2.
    发明公开
    Surface discharge corona plasma cathode assembly 失效
    OberflächenEndladungskorona-Plasma-Methoden-Anordnung。

    公开(公告)号：EP0539149A1

    公开(公告)日：1993-04-28

    申请号：EP92309559.0

    申请日：1992-10-20

    Applicant: BRITISH AEROSPACE PUBLIC LIMITED COMPANY

    Inventor： Scott, Simon Joseph

    IPC: H01J3/02 ,  H01S3/038 ,  H01S3/0977

    CPC classification number: H01J3/025 ,  H01S3/038 ,  H01S3/0382 ,  H01S3/09716

    Abstract: A surface discharge corona plasma cathode assembly having a first electrically conductive member (22), a dielectric member (24) surrounding the first member, a second electrically conductive member (26) partially surrounding the dielectric member (24) and two electrically conductive electrodes (30) defining therebetween a plasma discharge region on the dielectric member and clamping means (40) for providing a clamping force exertable upon at least one of the electrodes (30) to ensure a firm even contact between said at least one electrode and the dielectric member thereby to prevent said at least one electrode lifting away from the dielectric member (24) during operation and to provide a more even cathode emission.

    Abstract translation: 一种表面放电电晕等离子体阴极组件，其具有第一导电构件（22），围绕第一构件的电介质构件（24），部分地包围电介质构件（24）的第二导电构件（26）和两个导电电极 30），其间限定了介电构件上的等离子体放电区域和用于提供在至少一个电极（30）上施加的夹紧力的夹紧装置（40），以确保所述至少一个电极和电介质构件之间的牢固的均匀接触 从而防止所述至少一个电极在操作期间离开电介质构件（24）并提供更均匀的阴极发射。

    Plasma neutralisation cathode
    3.
    发明公开
    Plasma neutralisation cathode 失效
    等离子体中性阴离子

    公开(公告)号：EP0464383A3

    公开(公告)日：1992-07-15

    申请号：EP91109114.8

    申请日：1991-06-04

    Applicant: HAUZER TECHNO COATING EUROPE BV

    Inventor： Alexeevich, Arkhipov Boris ,  Mitrofanovich, Gorbachev Yuriy ,  Alexeevich, Ivanov Viktor ,  Nikolaevich, Kozubsky Konstantin ,  Alexeevich, Komarov Georgy

    IPC: H01J3/02

    CPC classification number: H01J3/025

    Abstract: A plasma compensation cathode comprises a casing (1) accommodating coaxially with its outlet hole (2) a hollow holder (3) and a thermal emitter (4) with a central passage (5), a layer (10) of material chemically inert at high temperatures to the materials of the holder and emitter being interposed therebetween. The central passage (5) is blind at the side of admission of gas, and is communicated with the interior of the holder (3) by way of a through passage (8) made in the wall of the thermal emitter (4) so that its axis intersects the axis of passage (5), and longitudinal grooves (9) made in the side surface of the thermal emitter (4) at the location of the inlet holes of the through passage (8). The holder (3) is embraced by heater (6) having a support ring (7) positioned in its midportion and secured in an insulation sleeve (18) separating the heater (6) from the coaxial heat screens (11) interconnected successively to define a sealed cavity (14) wherethrough the interior of the holder (3) communicates with the gas feeding pipe (13) secured in the casing (1) through the support insulator (17). Interposed between mechanical filters (16) and between holder (3) and pipe (13) is a getter (15).

    Source d'électrons présentant un dispositif de rétention de matières
    4.
    发明公开
    Source d'électrons présentant un dispositif de rétention de matières 失效
    电子源与teilchenhaltender布置。

    公开(公告)号：EP0480518A1

    公开(公告)日：1992-04-15

    申请号：EP91202587.1

    申请日：1991-10-03

    Applicant: SOCIETE ANONYME D'ETUDES ET REALISATIONS NUCLEAIRES S.O.D.E.R.N. ,  Philips Electronics N.V.

    Inventor： Bernardet, Henri

    IPC: H01J3/02

    CPC classification number: H01J3/025

    Abstract: La présente invention concerne une source d'électrons à arc sous vide comportant une source de plasma présentant une anode et une cathode disposées en vis-à-vis de manière à former un plasma (P) à la suite de l'application d'une différence de potentiel appropriée entre l'anode et la cathode, un dispositif (30) d'extraction des électrons et un dispositif de rétention de matières situé entre le dispositif d'extraction et la source de plasma. Selon l'invention, le dispositif de rétention de matières comporte, dans le sens (F) d'extraction des électrons, au moins un baffle amont (10) et un baffle aval (20) électriquement conducteurs et présentant des ouvertures (16, 26) en quinconce, de telle sorte que, lorsque les baffles (10, 20) sont portés à un potentiel donné, le plasma (P) ne s'étende pas en aval du baffle aval (20).

    LARGE-AREA UNIFORM ELECTRON SOURCE
    6.
    发明公开
    LARGE-AREA UNIFORM ELECTRON SOURCE 失效
    GROSSFLÄCHIGEUNIFORME ELEKTRONENQUELLE。

    公开(公告)号：EP0395752A1

    公开(公告)日：1990-11-07

    申请号：EP90900452.0

    申请日：1989-11-14

    Applicant: ELECTRON VISION CORPORATION

    Inventor： LIVESAY, William, R.

    IPC: H01J3 ,  H01J37 ,  H01L21

    CPC classification number: H01J37/077 ,  H01J3/025

    Abstract: Source (22) d'électrons à grande surface pouvant fonctionner de manière continue, stable et indéfinie dans un environnement (20) de vide pauvre. La source comprend une cathode de décharge luminescente, positionnée de manière appropriée par rapport à une anode cible (30) ainsi qu'une grille à mailles fines (26) espacée de la cathode (22) d'une distance inférieure à la longueur moyenne de chemin libre d'électrons quittant ladite cathode (22), ladite grille (26) étant électriquement sollicitée pour commander le courant du faisceau d'électrons sur une large plage avec uniquement de faibles changements de tension de grille. On peut varier de manière continue une tension croissante (29) appliquée à la cathode (22), à partir de seulement quelques centaines de volts jusqu'à 30 KeV ou plus, la source continuant à fonctionner de manière satisfaisante. En outre, ladite grille (26) se compose d'un fil de mailles fines, de dimensions suffisamment réduites pour ne pas être résoluble dans le plan cible (30). Le dispositif met en outre en oeuvre des bobines d'analyse (34) permettant d'atteindre une uniformité additionnelle du faisceau incident au niveau du plan cible (30). On peut combiner l'appareil de base de l'invention avec d'autres caractéristiques, pour une utilisation en lithographie à masque perforé, en mesure de sensibilité de réserve, dans le traitement de décollement, et dans le durcissement de réserve.

    Hollow-anode ion-electron source
    7.
    发明公开
    Hollow-anode ion-electron source 失效
    Hohlanoden-Elektronen-和Ionenquelle。

    公开(公告)号：EP0264709A2

    公开(公告)日：1988-04-27

    申请号：EP87114573.6

    申请日：1987-10-07

    Applicant: MILJEVIC, Vujo, Dr.

    Inventor： Miljevic, Vujo I., Dr.

    IPC: H01J61/06 ,  G01J3/10 ,  H01J3/02 ,  H01J27/02

    CPC classification number: H01J3/025 ,  H01J27/02

    Abstract: An ion-electron source based on a new type of gas discharge in a hollow anode is presented. A small surface of the exit aperture and a high density of the current enable high brightness of the source; high efficiency and simple construction make possible the low production price and long lifetime of the source.

    Abstract translation: 提出了一种基于中空阳极中新型气体放电的离子电子源。 出口孔的小表面和高密度的电流使得源的高亮度; 效率高，施工简单，使得生产成本低，使用寿命长。

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