公开(公告)号：EP1883112A1

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：EP07112649.4

申请日：2007-07-17

申请人： ST MICROELECTRONICS S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： Cazaux, Yvon ,  Coronel, Philippe ,  Fenouillet-Béranger, Claire ,  Roy, François

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

摘要： L'invention concerne un capteur d'images comprenant des cellules photosensibles comportant des photodiodes (D) et au moins un circuit supplémentaire à forte dissipation thermique comportant des transistors (M 7 , M 8 ). Le capteur d'images est réalisé de façon monolithique et comprend une couche (60) d'un matériau semiconducteur ayant des première et deuxième faces opposées (15, 16) et comprenant, du côté de la première face (15), des premières régions (34, 38) correspondant aux bornes de puissance des transistors, l'éclairage du capteur d'images étant destiné à être réalisé du côté de la deuxième face ; un empilement de couches isolantes (70) recouvrant la première face ; un renfort (78) thermiquement conducteur recouvrant l'empilement du côté opposé à la couche ; et des vias (76) thermiquement conducteurs reliant la couche au renfort.

摘要翻译： 传感器具有在其前表面（15）的一侧上具有N和P型区域（34,38）的半导体材料衬底（14），对应于外围电路的MOS晶体管（M7，M8）的电源端子，具有 显着的散热。 一层绝缘层（70）覆盖该表面，并且导热硅增强件（78）覆盖与衬底相对的一侧的堆叠。 导热通孔（76）将衬底连接到加强件，其中传感器制成整体形式并且在衬底的后表面（16）的侧面上被照射。 还包括用于制造图像传感器的方法的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1883112B1

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：EP07112649.4

申请日：2007-07-17

申请人： STMICROELECTRONICS S.A. ,  Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： Cazaux, Yvon ,  Coronel, Philippe ,  Fenouillet-Béranger, Claire ,  Roy, François

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

公开(公告)号：EP2393108A1

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：EP11354025.6

申请日：2011-05-18

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： Fenouillet-Béranger, Claire ,  Thomas, Olivier ,  Coronel, Philippe ,  Denorme, Stéphane

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/743 ,  H01L27/11 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648

摘要： Un masque de gravure comportant le dessin de la délimitation de l'électrode de grille (9), d'un contact de source (12), d'un contact de drain (13) et d'un contact de contre-électrode est formé sur un substrat de type semi-conducteur sur isolant. Le substrat est recouvert par une couche en matériau diélectrique (5) et un matériau de grille. Le contact de contre-électrode est localisé dans le dessin de l'électrode de grille (9). Le matériau de grille est gravé pour définir l'électrode de grille (9), les contacts de source (12) et de drain (13) et le contact de contre-électrode (2). Une partie du substrat de support (2), à travers le dessin de la zone de contact de contre-électrode est libérée. Un matériau électriquement conducteur (22) est déposé sur la partie libre du substrat de support (2) pour former le contact de contre-électrode.

摘要翻译： 该方法包括从用于限定栅电极（9）和支撑衬底（2）的对电极的接触区的蚀刻抗蚀剂蚀刻栅极材料。 支撑基板的一部分在对电极的接触区域中释放，并且在对电极的接触区域中形成对电极的接触。 形成保护层（21），其中保护层覆盖半导体层。 FET还包括一个独立的权利要求。

公开(公告)号：EP2400548A1

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：EP11354032.2

申请日：2011-06-14

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： Coronel, Philippe ,  Fenouillet-Béranger, Claire ,  Denorme, Stéhane ,  Thomas, Olivier

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/78645

摘要： Un substrat de support (2) comporte des première et seconde contre-électrodes (5) disposées dans un même plan, au niveau d'une face du substrat de support (2). Une zone électriquement isolante (9) sépare les première et seconde contre-électrodes (5). Une zone semi-conductrice (7) avec des première et seconde portions est séparée du substrat de support (2) par un matériau électriquement isolant (3). Le matériau électriquement isolant (3) est différent du matériau formant le substrat de support (2). La première portion de la zone semi-conductrice (7) fait face à la première contre-électrode (5). La seconde portion de la zone semi-conductrice (7) fait face à la seconde contre-électrode (5).

摘要翻译： 基板（1）具有在同一平面内设置的两个对置电极（5），支撑基板（2）的表面上，并且在电绝缘区（9）中分离对置电极。 单片半导体区（7）由单晶材料的，并且包括面向所述respectivement计数器电极的两个部分。 电绝缘材料（3）的半导体区域从基片支撑，其中，所述绝缘材料是从形成在基板支撑体的材料不同的分离。 因此独立权利要求中包括了以下内容：（1）一种半导体器件包括布置在基板一个（2）用于制造基板的方法的两个FET。