公开(公告)号：EP2701187B1

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：EP13179641.9

申请日：2013-08-07

申请人： STMicroelectronics, Inc. ,  International Business Machines Corporation ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Liu, Qing ,  Loubet, Nicolas ,  Khare, Prasanna ,  Ponoth, Shom ,  Vinet, Maud ,  Doris, Bruce

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654

摘要： An electronic device may include a substrate, a buried oxide (BOX) layer overlying the substrate, at least one semiconductor device overflying the BOX layer, and at least one shallow trench isolation (STI) region in the substrate and adjacent the at least one semiconductor device. The at least one STI region defines a sidewall surface with the substrate and may include an oxide layer lining a bottom portion af the sidewall surface, a nitride layer lining a top portion of the sidewall surface above the bottom portion, and an insulating material within the nitride and oxide layers.

公开(公告)号：EP2701187A3

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：EP13179641.9

申请日：2013-08-07

申请人： STMicroelectronics, Inc. ,  International Business Machines Corporation ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Liu, Qing ,  Loubet, Nicolas ,  Khare, Prasanna ,  Ponoth, Shom ,  Vinet, Maud ,  Doris, Bruce

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654

摘要： An electronic device may include a substrate, a buried oxide (BOX) layer overlying the substrate, at least one semiconductor device overflying the BOX layer, and at least one shallow trench isolation (STI) region in the substrate and adjacent the at least one semiconductor device. The at least one STI region defines a sidewall surface with the substrate and may include an oxide layer lining a bottom portion af the sidewall surface, a nitride layer lining a top portion of the sidewall surface above the bottom portion, and an insulating material within the nitride and oxide layers.

公开(公告)号：EP2701187A2

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：EP13179641.9

申请日：2013-08-07

申请人： STMicroelectronics, Inc. ,  International Business Machines Corporation ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Liu, Qing ,  Loubet, Nicolas ,  Khare, Prasanna ,  Ponoth, Shom ,  Vinet, Maud ,  Doris, Bruce

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654

摘要： An electronic device may include a substrate, a buried oxide (BOX) layer overlying the substrate, at least one semiconductor device overflying the BOX layer, and at least one shallow trench isolation (STI) region in the substrate and adjacent the at least one semiconductor device. The at least one STI region defines a sidewall surface with the substrate and may include an oxide layer lining a bottom portion af the sidewall surface, a nitride layer lining a top portion of the sidewall surface above the bottom portion, and an insulating material within the nitride and oxide layers.

摘要翻译： 一种电子设备可以包括一个基底，一个隐埋氧化物（BOX）层，覆盖所述基材，所述至少一个半导体器件飞越BOX层，并在基板的至少一个浅沟槽隔离（STI）区域和邻近所述至少一个半导体 装置。 所述至少一个STI区限定的侧壁表面与所述底物和可以包括在氧化物层衬底部分Af的侧壁面，氮化物层衬底部上方的侧壁面的顶部，并在内的绝缘材料 氮化物和氧化物层。

公开(公告)号：EP2772941A1

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：EP14157272.7

申请日：2014-02-28

申请人： STmicroelectronics SA ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Morand, Yves ,  Wacquez, Romain ,  Grenouillet, Laurent ,  Le Tiec, Yannick ,  Vinet, Maud

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7856

摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS à ailette à partir d'une structure de type SOI comportant une couche semiconductrice (101) sur une couche d'oxyde de silicium (103) revêtant un support semiconducteur (105), ce procédé comprenant les étapes suivantes : a) former, depuis la surface de la couche semiconductrice (101), au moins une tranchée délimitant au moins une ailette (107) dans la couche semiconductrice (101) et s'étendant jusqu'à la surface du support semiconducteur (105) ; b) graver les flancs d'une partie de la couche d'oxyde de silicium (103) située sous l'ailette (107) de façon à former au moins un renfoncement sous l'ailette ; et c) remplir le renfoncement d'un matériau (209) gravable sélectivement par rapport à l'oxyde de silicium.

摘要翻译： 该方法包括从半导体层的表面形成在半导体层（101）中限定半导体鳍（107）并且一直延伸到半导体支撑（105）的表面的沟槽。 对位于翅片下方的氧化硅层（103）的一部分的侧面进行蚀刻以在翅片下方形成凹部。 凹部填充有材料，例如 氮化物，可在氧化硅上选择性蚀刻，其中该材料具有比氧化硅更大的介电常数。 沟槽一直延伸到支撑的中间水平。 对于由绝缘体上半导体（SOI）型结构形成的金属氧化物半导体（MOS）晶体管，还包括独立权利要求。

公开(公告)号：EP2765607A1

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：EP14154719.0

申请日：2014-02-11

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS ,  STmicroelectronics SA

发明人： Vinet, Maud ,  Morand, Yves ,  Niebojewski, Heimanu

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/76272 ,  H01L21/76278 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1207

摘要： La présente invention propose notamment un procédé de réalisation d'une couche semi-conductrice (146) présentant au moins deux épaisseurs différentes (T Si1 , T Si2 ) à partir d'un empilement de type semi-conducteur sur isolant comportant au moins un substrat (112) sur lequel sont disposées successivement une couche isolante (114) et une première couche semi-conductrice, le procédé comprenant au moins une séquence comportant les étapes suivantes:
• gravure de la première couche semi-conductrice de manière à ce que la première couche semi-conductrice soit continue et comprenne au moins une première zone dont l'épaisseur (t Si1 ) est inférieure à l'épaisseur (t Si2 ) d'au moins une deuxième zone ;
• oxydation de la première couche semi-conductrice pour former un film d'oxyde électriquement isolant à la surface de la première couche semi-conductrice de manière à ce que dans la première zone le film d'oxyde s'étende jusqu'à la couche isolante (114) ;
• retrait partiel du film d'oxyde de manière à mettre à nu la première couche semi-conductrice en dehors de la première zone ;
• formation sur l'empilement de couches d'une deuxième couche semi-conductrice de manière à former avec la première couche semi-conductrice une troisième couche semi-conductrice continue (146) et présentant des épaisseurs différentes (T Si1 , T Si2 ).

摘要翻译： 该方法包括雕刻和氧化的半导体层，以形成在电绝缘氧化膜上检查的层的表面做了膜延伸到并且不延伸到在一个区域的绝缘层（114）。 将电影部分取出，以暴露所述第一区域之外的半导体层，并保持在该区域的膜的一部分。 第二半导体层的层的堆叠上形成，以形成具有与所述第一半导体层不同厚度的第三连续半导体层（146）。 因此独立claimsoft包括用于制造晶体管的方法。

公开(公告)号：EP2657956A1

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：EP13165028.5

申请日：2013-04-24

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Le Tiec, Yannick ,  Grenouillet, Laurent ,  Vinet, Maud ,  Wacquez, Romain

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L29/34 ,  C09G1/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/24355

摘要： La présente invention concerne un procédé de traitement de traitement de l'état de surface d'un substrat de silicium par voie chimique pour le contraste de la rugosité caractérisé par le fait qu'il comprend au moins deux cycles de traitement successifs, chaque cycle de traitement comprend une première étape comportant la mise en contact du substrat de silicium avec une première solution comprenant de l'acide hydrofluorhydrique (HF) dilué dans de l'eau puis une deuxième étape, réalisée à une température inférieure à 40°C, comportant la mise en contact de la couche de silicium avec une deuxième solution comprenant de l'ammoniaque (NH 4 OH) et du peroxyde d'hydrogène (H 2 O 2 ) dilués dans de l'eau (H 2 O), de sorte à obtenir , à l'issue des cycles de traitement, une rugosité inférieure à 0,100 nanomètre sur une zone de 1µmx1µm.
L'invention trouvera son application dans le domaine de la microélectronique pour la fabrication de transistors, de surface pour panneaux photovoltaïques ou pour le collage moléculaire direct.

摘要翻译： 该方法包括使硅衬底与包含在低于40摄氏度的温度下稀释在水中的氢氟酸的第一溶液接触。 将硅层与包含在水中稀释的氨和过氧化氢的第二溶液接触，以便在处理循环结束时在一个区域上获得小于0.100纳米的粗糙度。 重复连续的处理循环，直到获得在该区域上低于0.100纳米的粗糙度。

公开(公告)号：EP2575162A2

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：EP12185100.0

申请日：2012-09-19

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Le Tiec, Yannick ,  Grenouillet, Laurent ,  Posseme, Nicolas ,  Vinet, Maud

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/30604 ,  C09K13/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807

摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi conducteur par gravure chimique par voie humide le dispositif comprenant au moins une couche de silicium (Si) et au moins une couche de silicium-germanium (SiGe) et au moins une couche de résine photosensible formant un masque recouvrant en partie la couche de silicium germanium (SiGe) et laissant libre la couche de silicium germanium en certaines zones caractérisé en ce qu'il comprend une étape de fabrication d'une solution de gravure, ayant un pH compris entre 3 et 6, à partir d'acide hydrofluorique (HF), de peroxyde d'hydrogène (H 2 O 2 ), d'acide acétique (CH 3 COOH) et d'ammoniaque (NH 4 OH) et une étape de retrait de la couche de silicium-germanium (SiGe) au moins niveau desdites zones par exposition à ladite solution de gravure.
L'invention trouvera son application pour la fabrication de circuits intégrés et plus précisément de transistors. Notamment, pour l'optimisation des transistors CMOS de dernière génération.

摘要翻译： 该方法包括产生具有pH范围3和6之间，从氢氟酸，过氧化物氨和乙酸，氢蚀刻液。 硅 - 锗（2）构成的层的区域暴露于预处理溶液。 硅 - 锗上的区域的电平的层通过曝光与蚀刻溶液中除去。 将溶液稀释在去离子水中5倍和500倍之间，在exposuretime20秒和600秒之间卧。 硅 - 锗层的区域暴露于除去层之后的后处理溶液。

公开(公告)号：EP2731141A1

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：EP13354041.9

申请日：2013-11-05

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Grenouillet, Laurent ,  Vinet, Maud ,  LE Tiec, Yannick ,  Wacquez, Romain ,  Faynot, Olivier

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78684

摘要： Le substrat de type semi-conducteur sur isolant comporte un support (1), un film électriquement isolant (2), un film cristallin en matériau semi-conducteur (3), une couche de protection (4). Des ions de germanium sont implantés dans le film en matériau semi-conducteur (3) à travers la couche de protection (4) de manière à former une zone amorphisée en contact avec la couche de protection (4) et une zone cristalline en contact avec le film électriquement isolant (2). Le film en matériau semi-conducteur (3) est recuit de manière à recristalliser la zone amorphisée à partir de la zone cristalline.

摘要翻译： 该方法包括：绝缘体上类型的提供半导体的衬底上电，其包括一个支撑件（1）绝缘电影（2），结晶硅薄膜 - （3），和一个保护层（4），其中，所述晶体硅膜具有 的4-8纳米厚; 植入的结晶硅膜，通过该保护层锗离子以便形成在非晶化区域也存在于与保护层接触被叠加做了结晶层上确实是存在于与所述电绝缘电影接触; 和退火硅电影。 该方法包括：绝缘体上类型的提供半导体的衬底上电，其包括一个支撑件（1）绝缘电影（2），结晶硅薄膜 - （3），和一个保护层（4），其中，所述晶体硅膜具有 的4-8纳米厚; 植入的结晶硅膜，通过该保护层锗离子以便形成在非晶化区域也存在于与保护层接触被叠加做了结晶层上确实是存在于与所述电绝缘电影接触; 和退火所述硅膜，以重新结晶从结晶区域中的非晶质化的区域，并形成具有第一浓度的锗的硅 - 锗合金的区域。 在晶体硅锗注入离子的量的膜被布置以形成一个硅 - 锗区包含锗的5-45％。 覆盖所述结晶硅膜，通过掩模图案的方法，还包括没有被布置成防止引入锗离子进入在由掩模图案覆盖的区域。 保护层包括：具有第一组合物和/或第一厚度的第一区域; 和具有第二区域的第二组合物和/或第二厚度确实是从该第一组合物和/或与第一厚度不同。 该退火步骤形成与所述第一锗浓度和具有第二锗浓度的第二硅 - 锗合金构成的第一硅 - 锗合金做是从所述第一浓度不同。 所述第一硅 - 锗合金是由保护层的所述第一区域和第二硅 - 锗合金被保护层的第二区域覆盖的覆盖。 基板包括一个晶体硅成膜的上方形成栅电极，全部。 锗离子的注入在2-6千电子伏和倾斜角度的能量进行与以形成硅 - 锗导电沟道，硅 - 锗源电极和漏电极，和硅导电沟道，在剂量为5×10 1> 4>至5×10 1> 6>厘米 - > 2>。 结晶硅的厚度的膜是3-8纳米。该保护层的厚度为4-10纳米。

公开(公告)号：EP2610915A1

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：EP12198475.1

申请日：2012-12-20

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Posseme, Nicolas ,  Grenouillet, Laurent ,  Le Tiec, Yannick ,  Vinet, Maud

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78618

摘要： L'invention décrit un transistor comprenant au moins : une couche active (116) formant un canal (180) pour le transistor, une couche isolante (114) disposée au regard d'une face inférieure de la couche active (116), une grille (124) tournée au regard d'une face supérieure de la couche active (116) et une source et un drain (140) disposés de part et d'autre de la grille (124), caractérisé en ce qu 'au moins l'un parmi la source et le drain (140) s'étend au moins partiellement à travers la couche active (116) et dans la couche isolante (114).
L'invention décrit également un dispositif microélectronique et un procédé de réalisation du transistor.

摘要翻译： 该方法包括制备具有覆盖有绝缘层（114）和由有源层（116）覆盖的衬底以形成晶体管的导电沟道（180）的层叠。 通过放置覆盖有源层的保护层（410）来形成源极和漏极，形成开口以将绝缘层铺设在用于形成源极和漏极的区域中，在位于底部的绝缘层中形成空腔 开口并通过半导体材料填充空腔，其中在填充空腔期间保护层被保留。 有源层由半导体材料制成。 衬底是绝缘体上硅（SOI）型衬底。 晶体管还包括独立权利要求。

公开(公告)号：EP2765613A1

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：EP14154710.9

申请日：2014-02-11

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS ,  STmicroelectronics SA

发明人： Niebojewski, Heimanu ,  Morand, Yves ,  Vinet, Maud

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603

摘要： La présente invention a notamment pour objet un procédé de fabrication d'un transistor comprenant la formation d'un empilement de couches de type semiconducteur-sur-isolant comportant au moins un substrat (112), surmonté d'une première couche isolante (114) et d'une couche active destinée à former un canal (180) pour le transistor, le procédé comprenant en outre la formation d'un empilement de grille sur la couche active et la réalisation d'une source et d'un drain, caractérisé en ce que la réalisation de la source et du drain comprend au moins les étapes suivantes:
la formation de part et d'autre de l'empilement de grille de cavités (440) par au moins une étape de gravure de la couche active, de la première couche isolante (114) et d'une partie du substrat (112) sélectivement à l'empilement de grille de manière à retirer la couche active, la première couche isolante (114) et une portion du substrat (112) en dehors de zones situées en dessous de l'empilement de grille,
la formation d'une deuxième couche isolante (118) comprenant la formation d'un film isolant sur les surfaces mises à nu du substrat (112), de manière à former avec la première couche isolante (114) une couche isolante (118);
la mise à nu des extrémités latérales du canal (180);
le remplissage des cavités (440) par épitaxie pour former la source et le drain.

摘要翻译： 该方法包括通过蚀刻活性层在空腔（440）的叠层的两侧上形成初始绝缘层（114）。 通过在初始衬底（112）的暴露表面上形成绝缘膜以形成具有第一绝缘层的空腔的连续绝缘层来形成连续绝缘层（118）。 由有源层的一部分形成的沟道（180）的侧端被暴露，并且通过从侧端通过外延形成源极和漏极，通过半导体材料填充空腔。