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公开(公告)号：EP1732109B1
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：EP06290900.7
申请日：2006-06-01
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/74 , H01L23/367 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/0277 , H01L21/0337 , H01L21/28123 , H01L21/32139 , H01L21/743 , H01L23/367 , H01L29/66484 , H01L29/66742 , H01L29/7831 , H01L29/78648 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：EP1732109A3
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：EP06290900.7
申请日：2006-06-01
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/74 , H01L23/367 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/0277 , H01L21/0337 , H01L21/28123 , H01L21/32139 , H01L21/743 , H01L23/367 , H01L29/66484 , H01L29/66742 , H01L29/7831 , H01L29/78648 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Un procédé permet de former un masque sur un circuit électronique intégré, au dessus d'une cavité (C) créée en profondeur dans un substrat (100) du circuit. Pour cela, une surface du substrat (S) présente un enfoncement (E) au dessus de la cavité. L'enfoncement est rempli d'un matériau (10) sélectionné pour atténuer une réflexion d'un rayonnement lithographique (F1) sur la surface du substrat. Une couche de résine (3) est déposée sur le circuit puis exposée au rayonnement de sorte que des portions de résine situées au dessus de l'enfoncement et décalées par rapport à l'enfoncement reçoivent des quantités de rayonnement respectivement inférieure et supérieure à un seuil de développement de la résine. Un masque de gravure est alors obtenu sur le circuit, qui est aligné par rapport à la cavité.
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3.发明公开Réalisation de deux éléments superposés au sein d'un circuit électronique intégré 审中-公开的集成电子电路内的两个叠置的元件实现
公开(公告)号：EP1732119A3
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：EP06290897.5
申请日：2006-06-01
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L2924/30107
摘要： Un procédé de réalisation de deux éléments (1a, 4a) superposés au sein d'un circuit électronique intégré permet de réduire ou de supprimer des marges d'alignement autour de ces éléments. Des côtés (12, 13) de l'élément de circuit supérieur (4a) sont définis par des bords de l'élément de circuit inférieur (1a), lors d'une étape d'exposition du circuit à un rayonnement lithographique. D'autres côtés (11a, 11b) de l'élément de circuit supérieur (4a) sont définis par une couche qui atténue une réflexion du rayonnement sur l'élément de circuit inférieur (1a). Le procédé peut être appliqué à une réalisation de connexions électriques.
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4.发明公开Réalisation de deux éléments superposés au sein d'un circuit électronique intégré 审中-公开的集成电子电路内的两个叠置的元件实现
公开(公告)号：EP1732119A2
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：EP06290897.5
申请日：2006-06-01
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L2924/30107
摘要： Un procédé de réalisation de deux éléments (1a, 4a) superposés au sein d'un circuit électronique intégré permet de réduire ou de supprimer des marges d'alignement autour de ces éléments. Des côtés (12, 13) de l'élément de circuit supérieur (4a) sont définis par des bords de l'élément de circuit inférieur (1a), lors d'une étape d'exposition du circuit à un rayonnement lithographique. D'autres côtés (11a, 11b) de l'élément de circuit supérieur (4a) sont définis par une couche qui atténue une réflexion du rayonnement sur l'élément de circuit inférieur (1a). Le procédé peut être appliqué à une réalisation de connexions électriques.
摘要翻译： 一种辐射衰减层（2）下的电路元件的上方形成所做的是反射的辐射。 透明的辐射甲层上方衰减层形成。 甲光刻抗蚀剂掩模沉积在电路暴露于初级辐射通量。 掩模被显影，以除去曝光达上述掩模发展阈辐射的部分。 上部电路元件做了已通过衰减层和另一侧上叠加有较低的元件的一侧的边缘限定的一个边形成。 一个独立的claimsoft被包括为集成电子电路。
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5.发明公开Formation d'un masque sur un circuit électronique intégré 有权Herstellung einer Maske auf einer integrierten elektronischen Schaltung
公开(公告)号：EP1732109A2
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：EP06290900.7
申请日：2006-06-01
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/0277 , H01L21/0337 , H01L21/28123 , H01L21/32139 , H01L21/743 , H01L23/367 , H01L29/66484 , H01L29/66742 , H01L29/7831 , H01L29/78648 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Un procédé permet de former un masque sur un circuit électronique intégré, au dessus d'une cavité (C) créée en profondeur dans un substrat (100) du circuit. Pour cela, une surface du substrat (S) présente un enfoncement (E) au dessus de la cavité. L'enfoncement est rempli d'un matériau (10) sélectionné pour atténuer une réflexion d'un rayonnement lithographique (F1) sur la surface du substrat. Une couche de résine (3) est déposée sur le circuit puis exposée au rayonnement de sorte que des portions de résine situées au dessus de l'enfoncement et décalées par rapport à l'enfoncement reçoivent des quantités de rayonnement respectivement inférieure et supérieure à un seuil de développement de la résine. Un masque de gravure est alors obtenu sur le circuit, qui est aligné par rapport à la cavité.
摘要翻译： 该方法包括在集成电子电路的基板（100）中形成掩埋空腔（C），并且通过在空腔的右侧形成凹部来加热基板以封闭空腔。 凹部部分地填充有残留部分，以衰减由基板反射的辐射，并且在电路上形成平版印刷树脂层（3）。 该层暴露于辐射通量，其中调整通量或其持续时间，使得对应于两个辐射通量之和的辐射量高于该层的开发阈值。 还包括用于包括基板的集成电子电路的独立权利要求。
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6.发明授权Cavité microlaser et microlaser solide impulsionnel à déclenchement passif et à commande externe 失效微型激光器腔，并与被动Q开关以及与外部触发信号脉冲固态微型激光器
公开(公告)号：EP0742613B1
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：EP96401012.8
申请日：1996-05-10
发明人： Thony, Philippe , Rabarot, Marc
CPC分类号： H01S3/0627 , H01S3/0602 , H01S3/0615 , H01S3/08063 , H01S3/08068 , H01S3/10092 , H01S3/1061 , H01S3/113
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7.发明授权Cavité microlaser et microlaser solide impulsionnel à déclenchement actif par micromodulateur 失效通过微调节剂连同活性Q开关固态微型激光器
公开(公告)号：EP0751594B1
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：EP96401398.1
申请日：1996-06-25
发明人： Thony, Philippe , Rabarot, Marc , Molva, Engin
CPC分类号： H01S3/0627 , H01S3/0602 , H01S3/0615 , H01S3/121
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8.发明公开Cavité microlaser et microlaser solide impulsionnel à déclenchement passif et à commande externe 失效微型激光器腔，并与被动Q开关以及与外部触发信号脉冲固态微型激光器
公开(公告)号：EP0742613A1
公开(公告)日：1996-11-13
申请号：EP96401012.8
申请日：1996-05-10
发明人： Thony, Philippe , Rabarot, Marc
CPC分类号： H01S3/0627 , H01S3/0602 , H01S3/0615 , H01S3/08063 , H01S3/08068 , H01S3/10092 , H01S3/1061 , H01S3/113
摘要： Cavité microlaser et microlaser solide impulsionnel à déclenchement passif et à commande externe.
L'invention concerne une cavité microlaser et un microlaser déclenché passivement, comportant un absorbant saturable (46) et des moyens (60, 62) aptes à permettre l'introduction, dans la cavité du microlaser, d'un faisceau d'amorçage (56) de la saturation de l'absorbant saturable.摘要翻译： 该激光器包括涂覆有光学饱和吸收体（48）相邻的腔体的出射镜（52）的薄层固体激光器激活介质（46）。 激光光学地通过光束（54），而吸收剂的饱和被另一光束（56）触发的全反射从刻在薄层的表面（60）泵送。 光束可以通过在入射面的微透镜（62）的区域中被聚焦的泵浦束的轴线的附近。 优选地，反射面和泵浦束和可饱和吸收体之间的相互作用的区域（A）之间的距离（d）是尽可能的短。
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9.发明公开Cavité pour microlaser et son procédé de fabrication 失效Mikorlaserkavitätund ihr Herstellungsverfahren
公开(公告)号：EP0724315A1
公开(公告)日：1996-07-31
申请号：EP96400140.8
申请日：1996-01-22
发明人： Thony, Philippe , Molva, Engin
IPC分类号： H01S3/06 , H01S3/0941
CPC分类号： H01S3/0627 , H01S3/0604 , H01S3/0615 , H01S3/08045 , H01S3/09415 , H01S3/108 , H01S3/115 , H01S3/117
摘要： L'invention concerne une cavité microlaser comportant un milieu actif laser et les moyens de réflexion en entrée et en sortie de la cavité, caractérisée en ce que les moyens de réflexion sont dimensionnés de façon à ce que, dans le milieu actif, la taille d'un faisceau de pompage soit au plus égale à la taille d'un faisceau laser émis par la cavité.
摘要翻译： 微激光器包括球形的反射器（14,16），以便控制活性介质（12）中的光束尺寸并且包括菲涅尔或全息镜。 该器件包括在大约100V工作的低电压电光触发元件。活性介质可以包括在外层之间抽吸和内对之间的受激发射的四个能级。 一个替代方案使用三个有效电平使用共同的较低电平，并且泵浦光束的大小近似等于激活光束在活动介质中的大小。 在这两种情况下，活性介质的厚度在泵方向上小于300微米。
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10.发明授权Microlaser solide déclenché passivement par absorbant saturable et son procédé de fabrication 失效由可饱和吸收体被动开关固态微型激光器及其制造方法
公开(公告)号：EP0856924B1
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：EP98400158.6
申请日：1998-01-27
CPC分类号： H01S3/0627 , H01S3/0604 , H01S3/113
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