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公开(公告)号：EP4557140A1
公开(公告)日：2025-05-21
申请号：EP24212466.7
申请日：2024-11-12
Applicant: STMicroelectronics International N.V.
Inventor： BENHAMMADI, Jawad
Abstract: La présente description concerne un procédé de configuration d'un microcontrôleur doté d'une mémoire non volatile, dans lequel, lors d'une mise en oeuvre d'une opération de chargement de configuration du microcontrôleur à partir de données de la mémoire non volatile, si une anomalie est détectée, alors une nouvelle opération de chargement de configuration est mise en oeuvre au moins une fois sans que le microcontrôleur ne soit mis hors tension.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：EP4485184A1
公开(公告)日：2025-01-01
申请号：EP24182722.9
申请日：2024-06-18
Applicant: STMicroelectronics International N.V.
Inventor： BENHAMMADI, Jawad
IPC: G06F9/4401 , G06F21/53 , G06F21/57
Abstract: La présente description concerne un procédé de sélection de programmes de démarrage (init, boot1) contenus chacun dans deux mémoires de stockage distinctes d'un microprocesseur (100) dans lequel un registre d'option (NoTZIsolation) lu en premier lors d'une réinitialisation dudit microprocesseur conditionne la sélection d'un desdits programmes de démarrage.
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公开(公告)号：EP4557106A1
公开(公告)日：2025-05-21
申请号：EP24211549.1
申请日：2024-11-07
Applicant: STMicroelectronics International N.V.
Inventor： BENHAMMADI, Jawad
Abstract: La présente description concerne un procédé de fonctionnement d'une mémoire non volatile, comprenant la validation d'une transaction, demandant une modification d'une valeur de configuration (HCD, Write protection, write mode) d'un secteur de la mémoire, après comparaison des attributs de la transaction avec des attributs d'accès dudit secteur de ladite mémoire.
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公开(公告)号：EP4411735A1
公开(公告)日：2024-08-07
申请号：EP24153361.1
申请日：2024-01-23
Applicant: STMicroelectronics International N.V.
Inventor： BENHAMMADI, Jawad
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0023 , G06F3/0679 , G06F3/0664 , G11C29/42 , G11C13/0069 , G06F11/1048 , G06F3/0607
Abstract: La présente description concerne un procédé d'émulation d'une mémoire EEPROM dans une mémoire à changement de phase (104) d'un circuit intégrant un microprocesseur, le procédé comprenant les étapes suivantes : définir une granularité d'écriture dans des lignes de la mémoire à changement de phase en fonction de la taille de paquets de données à écrire (EEelement1, EEelement2, EEelementS) ; associer à chaque paquet de données, un code premier correcteur d'erreur (ECC1, ECC2, ECC3) calculé par un programme (SW) exécuté par ledit microprocesseur ; et stocker les codes correcteurs d'erreur des paquets de données dans la même ligne que ces derniers.
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5.发明公开
公开(公告)号：EP4411737A1
公开(公告)日：2024-08-07
申请号：EP24154330.5
申请日：2024-01-29
Applicant: STMicroelectronics International N.V.
Inventor： BENHAMMADI, Jawad
CPC classification number: G11C16/22 , G11C7/24 , G11C13/0059 , G11C13/0064 , G11C16/3459 , G11C29/40 , G11C29/52 , G11C2029/440220130101
Abstract: La présente description concerne un procédé de vérification d'une écriture d'une clé dans une mémoire non-volatile (104) comprenant les étapes suivantes: stocker dans un registre (206) d'une interface (106) de ladite mémoire, un premier code de redondance cyclique de ladite clé, précalculé ; écrire la clé de sécurité dans une zone (218) de la mémoire non-volatile (104); copier la clé de sécurité écrite dans ladite zone (218) vers un deuxième registre (212) de ladite interface (106); calculer un deuxième code de redondance cyclique sur un message formé par la clé de sécurité copiée à laquelle est adossé le premier code de redondance cyclique ; si le deuxième code de redondance cyclique est équivalent à la valeur nulle, considérer l'écriture de la clé de sécurité dans ladite mémoire non volatile (104) comme valide.
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公开(公告)号：EP4411538A1
公开(公告)日：2024-08-07
申请号：EP24153744.8
申请日：2024-01-24
Applicant: STMicroelectronics International N.V.
Inventor： BENHAMMADI, Jawad
IPC: G06F9/445 , G06F9/4401
CPC classification number: G06F9/445 , G06F9/4401
Abstract: La présente description concerne un procédé d'émulation de N programmes de démarrage dans une mémoire, N étant supérieur à 2, dans lequel la taille d'une région d'accès interdit de la mémoire contenant les programmes de démarrage une fois exécutés augmente une fois chaque programme exécuté.
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