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    Magnetoresistive structures and magnetic random-access memory devices including the same
    3.
    发明公开
    Magnetoresistive structures and magnetic random-access memory devices including the same 审中-公开
    磁阻电磁铁磁铁

    公开(公告)号：EP2779259A2

    公开(公告)日：2014-09-17

    申请号：EP14158857.4

    申请日：2014-03-11

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： Kim, Kee-won ,  Kim, Kwang-seok ,  Lee, Sung-chul ,  Jang, Young-man ,  Pi, Ung-hwan

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： Magnetoresistive structures, magnetic random-access memory devices including the same, and methods of manufacturing the magnetoresistive structure, include a first magnetic layer (13) having a magnetization direction that is fixed, a second magnetic layer (17) orresponding to the first magnetic layer (13), wherein a magnetization direction of the second magnetic layer (17) is changeable, and a magnetoresistance (MR) enhancing layer (15) and an intermediate layer (16) both between the first magnetic layer (13) and the second magnetic layer(17).

    摘要翻译： 磁阻结构，包括该磁阻结构的磁性随机存取存储器及其制造方法包括具有固定磁化方向的第一磁性层（13），或与第一磁性层相对应的第二磁性层（17） （13），其中第二磁性层（17）的磁化方向是可变的，并且在第一磁性层（13）和第二磁性层（13）之间的磁阻（MR）增强层（15）和中间层（16） 层（17）。

    Magnetoresistive elements and memory devices including the same
    4.
    发明公开
    Magnetoresistive elements and memory devices including the same 有权
    磁阻式Speicherelemente und Speichervorrichtungen damit

    公开(公告)号：EP2665104A1

    公开(公告)日：2013-11-20

    申请号：EP13154646.7

    申请日：2013-02-08

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd

    发明人： Lee, Sung-chul ,  Pi, Ung-hwan ,  Kim, Kwang-seok ,  Kim, Kee-won ,  Jang, Young-man

    IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228

    摘要： Magnetoresistive elements, and memory devices including the same, include a pinned layer having a fixed magnetization direction, a free layer corresponding to the pinned layer, and a protruding element protruding from the free layer and having a changeable magnetization direction. The free layer has a changeable magnetization direction. The protruding element is shaped in the form of a tube. The protruding element includes a first protruding portion and a second protruding portion protruding from ends of the free layer facing in different directions.

    摘要翻译： 磁阻元件及包括其的存储器件包括具有固定磁化方向的固定层，对应于被钉扎层的自由层以及从自由层突出并具有可变磁化方向的突出元件。 自由层具有可变化的磁化方向。 突出元件以管的形式成形。 突出元件包括从自由层的朝向不同方向的端部突出的第一突出部分和第二突出部分。

    Magnetoresistive structures and magnetic random-access memory devices including the same
    6.
    发明公开
    Magnetoresistive structures and magnetic random-access memory devices including the same 审中-公开
    磁阻结构和包括其的磁随机存取存储器件

    公开(公告)号：EP2779259A3

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：EP14158857.4

    申请日：2014-03-11

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： Kim, Kee-won ,  Kim, Kwang-seok ,  Lee, Sung-chul ,  Jang, Young-man ,  Pi, Ung-hwan

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： Magnetoresistive structures, magnetic random-access memory devices including the same, and methods of manufacturing the magnetoresistive structure, include a first magnetic layer (13) having a magnetization direction that is fixed, a second magnetic layer (17) orresponding to the first magnetic layer (13), wherein a magnetization direction of the second magnetic layer (17) is changeable, and a magnetoresistance (MR) enhancing layer (15) and an intermediate layer (16) both between the first magnetic layer (13) and the second magnetic layer(17).

    摘要翻译： 磁阻结构，包括其的磁随机存取存储器件以及制造该磁阻结构的方法包括具有固定的磁化方向的第一磁层（13），第二磁层（17）或者与第一磁层 （13），其中第二磁性层（17）的磁化方向是可变的，并且第一磁性层（13）和第二磁性层（13）之间的磁阻（MR）增强层（15）和中间层（16） 层（17）。

    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of operating the same
    7.
    发明公开
    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of operating the same 有权
    利用磁畴壁移动的信息存储装置及操作方法

    公开(公告)号：EP2192590A1

    公开(公告)日：2010-06-02

    申请号：EP09177589.0

    申请日：2009-12-01

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： Pi, Ung-hwan ,  Park, Young-soo ,  Seo, Sun-ae ,  Cho, Young-jin ,  Lee, Sung-chul ,  Bae, Ji-young

    IPC分类号： G11C19/08 ,  G11C11/14

    CPC分类号： G11C19/0841 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

    摘要： Provided are information storage devices using movement of magnetic domain walls (DW) and methods of operating information storage devices. An information storage device includes a magnetic track (100) and an operating unit (200). The magnetic track (100) includes a plurality of magnetic domains (D) separated by magnetic domain walls (DW). The size of the operating unit (200) is sufficient to cover at least two adjacent magnetic domains (D). And, the operating unit (200) may be configured to write/read information to/from a single magnetic domain (D) as well as a plurality of magnetic domains (D) of the magnetic track (100).

    摘要翻译： 提供了使用磁畴壁（DW）和操作信息存储装置的方法的移动的信息存储装置。 一种信息存储装置包括磁轨（100），并在操作单元（200）。 磁轨（100）包括由磁畴壁（DW）中分离磁畴（D）的多个的情况。 操作单元（200）的尺寸足以覆盖至少两个相邻磁畴（D）。 并且，操作单元（200）可以被配置为写入/从一个单磁畴（D），以及在磁轨（100）的磁畴（D）的多个读信息/。