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    Magnetoresistive structures and magnetic random-access memory devices including the same
    2.
    发明公开
    Magnetoresistive structures and magnetic random-access memory devices including the same 审中-公开
    磁阻电磁铁磁铁

    公开(公告)号：EP2779259A2

    公开(公告)日：2014-09-17

    申请号：EP14158857.4

    申请日：2014-03-11

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： Kim, Kee-won ,  Kim, Kwang-seok ,  Lee, Sung-chul ,  Jang, Young-man ,  Pi, Ung-hwan

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： Magnetoresistive structures, magnetic random-access memory devices including the same, and methods of manufacturing the magnetoresistive structure, include a first magnetic layer (13) having a magnetization direction that is fixed, a second magnetic layer (17) orresponding to the first magnetic layer (13), wherein a magnetization direction of the second magnetic layer (17) is changeable, and a magnetoresistance (MR) enhancing layer (15) and an intermediate layer (16) both between the first magnetic layer (13) and the second magnetic layer(17).

    摘要翻译： 磁阻结构，包括该磁阻结构的磁性随机存取存储器及其制造方法包括具有固定磁化方向的第一磁性层（13），或与第一磁性层相对应的第二磁性层（17） （13），其中第二磁性层（17）的磁化方向是可变的，并且在第一磁性层（13）和第二磁性层（13）之间的磁阻（MR）增强层（15）和中间层（16） 层（17）。

    Magnetoresistive elements and memory devices including the same
    3.
    发明公开
    Magnetoresistive elements and memory devices including the same 有权
    磁阻式Speicherelemente und Speichervorrichtungen damit

    公开(公告)号：EP2665104A1

    公开(公告)日：2013-11-20

    申请号：EP13154646.7

    申请日：2013-02-08

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd

    发明人： Lee, Sung-chul ,  Pi, Ung-hwan ,  Kim, Kwang-seok ,  Kim, Kee-won ,  Jang, Young-man

    IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228

    摘要： Magnetoresistive elements, and memory devices including the same, include a pinned layer having a fixed magnetization direction, a free layer corresponding to the pinned layer, and a protruding element protruding from the free layer and having a changeable magnetization direction. The free layer has a changeable magnetization direction. The protruding element is shaped in the form of a tube. The protruding element includes a first protruding portion and a second protruding portion protruding from ends of the free layer facing in different directions.

    摘要翻译： 磁阻元件及包括其的存储器件包括具有固定磁化方向的固定层，对应于被钉扎层的自由层以及从自由层突出并具有可变磁化方向的突出元件。 自由层具有可变化的磁化方向。 突出元件以管的形式成形。 突出元件包括从自由层的朝向不同方向的端部突出的第一突出部分和第二突出部分。

    Magnetic memory device and method of writing data into magnetic memory device
    5.
    发明公开
    Magnetic memory device and method of writing data into magnetic memory device 无效
    Magnetpeichervorrichtung und Verfahren zum Schreiben von Daten in eine Magnetspeichervorrichtung

    公开(公告)号：EP1826772A1

    公开(公告)日：2007-08-29

    申请号：EP06121148.8

    申请日：2006-09-22

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： Kim, Tae-wan ,  Hwang, In-jun ,  Cho, Young-jin ,  Kim, Kee-won

    IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/16

    CPC分类号： G11C11/16 ,  H01L27/228

    摘要： Provided are a magnetic memory device and a method of writing data into the magnetic memory device. The magnetic memory device comprises a plurality of word lines and a plurality of bit lines defining a plurality of unit cell regions, a transistor disposed in each of the unit cell regions, and a magnetic tunneling junction (MTJ) element series connected to the transistor and having an MTJ cell sandwiched between first and second pad layers forming a magnetic field at both sides of the MTJ cell upon current flow through said first and second pad layers, the second pad layer being connected to a bit line; wherein a drain of each transistor is connected to the first pad layer in a corresponding cell region and a source thereof is connected to the second pad layer in an adjacent unit cell region, and the gates of the transistors of adjacent cells are connected to a same word line.

    摘要翻译： 提供了一种磁存储器件和将数据写入磁存储器件的方法。 磁存储器件包括多个字线和多个定位多个单元电池区的位线，设置在每个单元电池区中的晶体管和连接到该晶体管的磁隧道结（MTJ）元件串，以及 具有夹在第一和第二焊盘层之间的MTJ单元，当流过所述第一和第二焊盘层时，在MTJ单元的两侧形成磁场，第二焊盘层连接到位线; 其中每个晶体管的漏极在相应的单元区域中连接到第一焊盘层，并且其源极在相邻单元区域中连接到第二焊盘层，并且相邻单元的晶体管的栅极连接到 字线。

    Magnetoresistive structures and magnetic random-access memory devices including the same
    7.
    发明公开
    Magnetoresistive structures and magnetic random-access memory devices including the same 审中-公开
    磁阻结构和包括其的磁随机存取存储器件

    公开(公告)号：EP2779259A3

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：EP14158857.4

    申请日：2014-03-11

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： Kim, Kee-won ,  Kim, Kwang-seok ,  Lee, Sung-chul ,  Jang, Young-man ,  Pi, Ung-hwan

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： Magnetoresistive structures, magnetic random-access memory devices including the same, and methods of manufacturing the magnetoresistive structure, include a first magnetic layer (13) having a magnetization direction that is fixed, a second magnetic layer (17) orresponding to the first magnetic layer (13), wherein a magnetization direction of the second magnetic layer (17) is changeable, and a magnetoresistance (MR) enhancing layer (15) and an intermediate layer (16) both between the first magnetic layer (13) and the second magnetic layer(17).

    摘要翻译： 磁阻结构，包括其的磁随机存取存储器件以及制造该磁阻结构的方法包括具有固定的磁化方向的第一磁层（13），第二磁层（17）或者与第一磁层 （13），其中第二磁性层（17）的磁化方向是可变的，并且第一磁性层（13）和第二磁性层（13）之间的磁阻（MR）增强层（15）和中间层（16） 层（17）。