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1.发明公开
公开(公告)号：EP3312616A1
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：EP17197070.0
申请日：2017-10-18
申请人： Vmicro , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , Université de Lille 1 Sciences et Technologies
CPC分类号： G01Q20/02 , G01Q10/045 , G01Q20/04 , G01Q60/38 , G01Q70/10
摘要： Sonde pour microscopie à force atomique comprenant une pointe pour microscopie à force atomique (PT1) orientée dans une direction longitudinale (y), caractérisée en ce que :
- la pointe est agencée à une extrémité d'une partie sensible de la sonde (SMS), mobile ou déformable, reliée à une structure de soutien (SMM2), qui est ancrée à la surface principale du substrat ;
- la partie sensible et la structure de soutien sont des éléments planaires, s'étendant principalement dans des plans parallèles à la surface principale du substrat;
- la partie sensible est reliée à la structure de soutien par l'intermédiaire d'au moins un élément (ET1 - ET4) permettant à ladite partie sensible de se déplacer ou de s'étirer dans cette direction ; et
- la pointe, la partie sensible et la structure de soutien font saillie d'un bord (B) du substrat dans ladite direction longitudinale.
Microscope à force atomique comprenant au moins une telle sonde.摘要翻译： 一种用于原子力显微镜的探针，其包括沿纵向方向（y）取向的用于原子力显微镜的尖端（PT1），其特征在于： - 尖端布置在探针敏感部分（SMS）的一端， 移动的或可变形的，连接到支撑结构（SMM2），该支撑结构锚定到基底的主表面; 敏感部分和支撑结构是平面元件，主要在平行于基板主表面的平面中延伸; 敏感部分通过至少一个元件（ET1-ET4）连接到支撑结构，使得所述敏感部分在该方向上移动或拉伸; 并且尖端，敏感部分和支撑结构沿所述纵向方向从基板的边缘（B）突出。 包括至少一个这样的探针的原子力显微镜。
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公开(公告)号：EP3238269B1
公开(公告)日：2020-08-12
申请号：EP15820282.0
申请日：2015-12-15
申请人： Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.) , Université de Lille 1 Sciences et Technologies
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/20
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公开(公告)号：EP3455637B1
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：EP17722743.6
申请日：2017-05-09
发明人： FAUCHER, Marc , MORELLE,Christophe
IPC分类号： G01P15/097
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公开(公告)号：EP3455637A1
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：EP17722743.6
申请日：2017-05-09
发明人： FAUCHER, Marc , MORELLE,Christophe
IPC分类号： G01P15/097
CPC分类号： G01P15/097
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公开(公告)号：EP3238269A1
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：EP15820282.0
申请日：2015-12-15
申请人： Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.) , Université de Lille 1 Sciences et Technologies
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/20
摘要： The invention relates to a modulation device created on a substrate (1), comprising at least one nanodiode in the form of a T fitted into a U, the channel (31) of said nanodiode being the leg of the T that is inserted into the U. The device is characterised in that it comprises at least one electrically conductive line (37) that passes over at least part of said channel (31).
摘要翻译： 本发明涉及一种在衬底（1）上形成的调制装置，该调制装置包括至少一个装配成U形的T形式的纳米二极管，所述纳米二极管的沟道（31）是插入到 U.该装置的特征在于其包括至少一个通过所述通道（31）的至少一部分的导电线（37）。
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公开(公告)号：EP3417483A1
公开(公告)日：2018-12-26
申请号：EP17705116.6
申请日：2017-02-14
发明人： FAUCHER, Marc , CORDIER, Yvon
IPC分类号： H01L27/20 , H01L41/18 , H01L41/08 , H01L29/778 , H01L29/84
CPC分类号： H01L41/1132 , H01L27/20 , H01L29/0657 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L29/84 , H01L41/0805 , H01L41/094 , H01L41/18
摘要： The invention proposes a micro-electromechanical device, including a semiconductor layer stack comprising a substrate (Sub), a first layer (Nuc), a second layer (Nit), and a third semiconductor material layer (SD). At least one of said layers is made up of a doped piezoelectric semiconductor material, preferably made of GaN doped with Si, Ge, 0 or Mg. Said stack can include a suspended element, such as a beam (P) formed by extensions of one or more of said layers extending beyond one edge (E) of said substrate. A micro-electromechanical device according to the invention can include a plurality of electrodes (S, G, D) connected to said second layer and/or to said third layer and/or to a two-dimensional charge carrier gas (2DEG).
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7.发明公开
公开(公告)号：EP3325981A1
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：EP16738173.0
申请日：2016-07-12
发明人： WALTER, Benjamin , FAUCHER, Marc
CPC分类号： G01Q10/045 , G01Q20/02 , G01Q20/04 , G01Q30/14 , G01Q60/06 , G01Q60/22 , G01Q60/30 , G01Q60/38 , G01Q60/40 , G01Q60/58 , G01Q70/06 , G01Q70/10
摘要： The invention relates to a probe for atomic-force microscopy including a tip for atomic-force microscopy (PT1) oriented in a so-called longitudinal direction (y) and projecting from an edge (B) of a substrate (S1) in said longitudinal direction, characterised in that said tip is arranged at one end of a shuttle (PJ1) attached to said substrate at least via a first (ET) and second (R, RA) so-called support structure, at least said first support structure being a flexible structure, extending in a so-called transverse direction (x) which is perpendicular to said longitudinal direction, and being anchored to the substrate by at least one mechanical connection in said transverse direction, said support structures being suitable for allowing the shuttle to move in the longitudinal direction. The invention also relates to an atomic-force microscope including at least one such probe.
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公开(公告)号：EP3571513A1
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：EP18700514.5
申请日：2018-01-19
申请人： Centre National de la Recherche Scientifique , Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives , Universite Paris Diderot - Paris 7 Diderot Valoris , Université des Sciences et Technologies de Lille 1 , Vmicro
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9.发明公开DISPOSITIF ET SYSTEME MICROELECTROMECANIQUE AVEC TRANSDUCTEUR RESISTIF A FAIBLE IMPEDANCE 审中-公开微机电设备和系统与具有弱阻抗转换器
公开(公告)号：EP3159703A1
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：EP16193853.5
申请日：2016-10-14
发明人： WALTER, Benjamin , FAUCHER, Marc
CPC分类号： B81B3/0045 , B81B3/0021 , B81B3/0024 , B81B3/0086 , B81B2201/02 , B81B2201/031 , B81B2203/0118 , G01P15/123 , G01Q10/045 , G01Q20/04
摘要： Dispositif microélectromécanique comprenant une structure mécanique (P1) s'étendant principalement selon une direction longitudinale (x), reliée à un substrat planaire (S) par au moins un ancrage (APLM, APLM2) situé à l'une de ses extrémités et susceptible de fléchir dans un plan parallèle au substrat, ladite structure mécanique comprenant une portion de raccord, qui la relie audit ou à chaque dit ancrage et qui inclut une région résistive (R1) présentant une première (PL1M1) et une deuxième (12) zone d'injection d'un courant électrique pour former un transducteur résistif, ladite région résistive s'étendant principalement dans ladite direction longitudinale à partir dudit ou d'un dit ancrage et étant agencée de telle sorte qu'une flexion de ladite structure mécanique dans ledit plan parallèle au substrat induise dans ladite région résistive une contrainte moyenne non nulle et réciproquement; caractérisé en ce que : ladite première zone d'injection est portée par ledit ancrage ; et ladite deuxième zone d'injection est portée par un élément conducteur non fixé audit substrat et s'étendant principalement dans une direction dite latérale, sensiblement perpendiculaire à ladite direction longitudinale.
摘要翻译： 一种微机电装置，包括一机械结构沿纵向方向延伸，通过在锚固位于其端部中的一个，并能够在平行于基板的平面内弯曲地连接到平面基底，所述机械结构包括接合部分，其离开它 到每个锚固和包括电阻区域呈现第一和第二区，用于电流注入以形成电阻换能器，所述阻性区域从在锚固在纵向方向上延伸并且布置为机械结构的在平行于平面的弯曲 基板诱导在电阻区，反之亦然非零平均应变; worin：第一喷射区由锚固承载; 和第二注入区是由不固定于基板，并在方向上延伸的导电元件，基本上垂直于纵向方向横向称之携带。
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公开(公告)号：EP1618226A1
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：EP04742846.1
申请日：2004-04-14
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01L21/28562 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , Y10T428/24967 , Y10T428/25 , Y10T428/30
摘要： The invention relates to a method of growing carbon nanotubes (5) on a substrate (1) using a hot-wire-assisted chemical vapour deposition method. The inventive method consists in first depositing a bilayer of titanium (12) and cobalt (13) on the substrate such that: the thickness of the titanium layer is between 0.5 and 5 nm, the thickness of the cobalt layer is between 0.25 and 10 nm, and the thickness of the cobalt layer is between half and double that of the titanium layer.
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