公开(公告)号：EP3600951B1

公开(公告)日：2024-07-17

申请号：EP18713244.4

申请日：2018-03-27

IPC分类号： H01G7/06 ,  H02J50/12

CPC分类号： H01G7/06 ,  H02J50/12 ,  Y02T10/7072 ,  Y02T90/14 ,  B60L53/12 ,  Y02T10/70

公开(公告)号：EP4354478A2

公开(公告)日：2024-04-17

申请号：EP23197777.8

申请日：2023-09-15

申请人： Terra Quantum AG

发明人： Razumnaya, Anna ,  Lukyanchuk, Igor ,  Vinokour, Valerii ,  Tikhonov, Yurii

IPC分类号： H01G7/06 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33 ,  G11C11/22 ,  G11C11/24 ,  H01L29/66 ,  H10B53/30 ,  H10B51/30 ,  G11C11/56 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01G7/06 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33 ,  G11C11/221 ,  G11C11/5657 ,  G11C11/2275 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/6684 ,  H10B53/30 ,  H10B51/30

摘要： A ferroelectric nanoparticle capacitor-device comprises a pair of conductive elements electrically insulated from each other, and ferroelectric nanoparticles arranged between the conductive elements of the pair. The ferroelectric nanoparticles are adapted to provide at least three polarization states with different total ferroelectric polarizations.

公开(公告)号：EP3129996B1

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：EP15791732.9

申请日：2015-08-17

申请人： SABIC Global Technologies B.V.

发明人： KHAN, Mohd, Adnan

IPC分类号： H01G7/06 ,  H01G4/18

CPC分类号： H01L27/11507 ,  G11C11/221 ,  H01G4/008 ,  H01G7/06 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288 ,  H01L28/60 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/053 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/29 ,  H02J7/007 ,  H02J7/345

摘要： A ferroelectric capacitor having a doped graphene bottom electrode and uses thereof are described. The doped graphene bottom electrode layer is deposited on a substrate with a ferroelectric layer deposited between the doped graphene layer and a top electrode.

公开(公告)号：EP3129996A1

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：EP15791732.9

申请日：2015-08-17

申请人： SABIC Global Technologies B.V.

发明人： KHAN, Mohd, Adnan

IPC分类号： H01G7/06 ,  H01G4/18

CPC分类号： H01L27/11507 ,  G11C11/221 ,  H01G4/008 ,  H01G7/06 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288 ,  H01L28/60 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/053 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/29 ,  H02J7/007 ,  H02J7/345

摘要： A ferroelectric capacitor having a doped graphene bottom electrode and uses thereof are described. The doped graphene bottom electrode layer is deposited on a substrate with a ferroelectric layer deposited between the doped graphene layer and a top electrode.

摘要翻译： 描述了具有掺杂石墨烯底电极的铁电电容器及其用途。 掺杂的石墨烯底部电极层沉积在沉积在掺杂的石墨烯层和顶部电极之间的铁电层的衬底上。

公开(公告)号：EP2645441B1

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：EP13161001.6

申请日：2013-03-26

申请人： Mitsubishi Materials Corporation

发明人： Doi, Toshihiro ,  Sakurai, Hideaki ,  Watanabe, Toshiaki ,  Soyama, Nobuyuki

IPC分类号： H01L45/00 ,  C23C18/12 ,  G02F1/055 ,  H01G4/12 ,  H01L29/78 ,  H01L37/02 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H02N2/00 ,  H03H9/02 ,  H01G7/06 ,  H01G4/33

CPC分类号： H01B13/06 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L28/55 ,  H01L29/78391 ,  H01L37/025 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  H03H9/02574 ,  Y10T428/265

公开(公告)号：EP2245642B1

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：EP09709749.7

申请日：2009-01-31

申请人： Airbus Defence and Space GmbH

发明人： CHERMAN, Vladimir ,  ZIEGLER, Volker

IPC分类号： H01G7/06 ,  H01G4/33

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G7/06

公开(公告)号：EP2634782A1

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：EP11836012.2

申请日：2011-10-11

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： YOSHITAKE Yuichiro ,  KATOH Shuji ,  MORITA Hiroshi ,  OOTAKE Atsushi

IPC分类号： H01G4/30 ,  H01G2/04 ,  H02M7/48

CPC分类号： H01G4/002 ,  H01G2/06 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01G7/06 ,  H01L25/16 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an inter-bus-bar built-in capacitor capable of reducing the size of a capacitor used in an inverter or the like or downsizing the capacitor, and provides power equipment as well as a power converting apparatus. The inter-bus-bar built-in capacitor is provided between a pair of opposing bus bars and includes a high-dielectric-constant material which has a relative dielectric constant of at least 50 when a voltage of 1,000 V is applied at a temperature of 25°C. Thus, it is possible to provide the inter-bus-bar built-in capacitor capable of reducing the size of a capacitor used in an inverter or the like or downsizing the capacitor and provide the power equipment as well as the power converting apparatus.

摘要翻译： 本发明提供一种能够减小逆变器等中使用的电容器的尺寸的集成电路的内置电容器，或者使电容器小型化，并且提供电力设备以及电力转换装置。 母线间内置的电容器设置在一对相对的母线之间，并且包括高介电常数材料，当在1000V的温度下施加1000V的电压时，其具有至少50的相对介电常数 25℃。 因此，可以提供能够减小逆变器等中使用的电容器的尺寸的串联串联的内置电容器，或者使电容器小型化并提供电力设备以及电力转换装置。

公开(公告)号：EP2040376B1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：EP07745200.1

申请日：2007-06-13

申请人： Kyocera Corporation

发明人： KATTA, Hiroshi

IPC分类号： H03H7/00 ,  H03H7/20 ,  H03H7/38 ,  H03H5/12 ,  H01G7/06

CPC分类号： H03H7/38 ,  H01G7/06 ,  H03H7/20

公开(公告)号：EP2515327A1

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：EP11305473.8

申请日：2011-04-20

申请人： STMicroelectronics (Tours) SAS ,  STMicroelectronics Srl

发明人： Caro, Vincent ,  Rodilosso, Davide

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01G7/06 ,  H01L21/31111 ,  H01L28/55

摘要： The invention concerns a method for etching a PVD deposited barium strontium titanate (BST) layer, wherein a non-ionic surfactant at a concentration between 0.1 and 1 percent is added to an acid etching solution.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于蚀刻PVD沉积的钛酸钡锶（BST）层的方法，其中将0.1％至1％浓度的非离子表面活性剂加入到酸蚀刻溶液中。

公开(公告)号：EP2474505A1

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：EP10813781.1

申请日：2010-09-02

申请人： Mitsubishi Materials Corporation

发明人： SAKURAI Hideaki ,  WATANABE Toshiaki ,  SOYAMA Nobuyuki

IPC分类号： C01G23/00 ,  C04B35/46 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC分类号： C04B35/624 ,  C01G23/006 ,  C04B35/4686 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/6562 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/55 ,  Y10T29/435 ,  Y10T428/2495

摘要： In this process of forming a dielectric thin film, when a dielectric thin film represented by Ba 1-x Sr x Ti y O 3 (0.2

摘要翻译： 在形成电介质薄膜，在此过程中当一个电介质薄膜由Ba代表1-x的Sr X的Ti Y 2 O 3（0.2