公开(公告)号：EP3216057A1

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：EP15790538.1

申请日：2015-11-03

申请人： Melexis Technologies NV ,  X-Celeprint Limited

发明人： SCHOTT, Christian ,  MEITL, Matthew ,  BOWER, Christopher

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L43/04

CPC分类号： G01R33/07 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/077 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L43/04 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92137 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83

摘要： A semiconductor chip for measuring a magnetic field. The semiconductor chip comprises a magnetic sensing element, and an electronic circuit. The magnetic sensing element is mounted on the electronic circuit. The magnetic sensing element is electrically connected with the electronic circuit. The electronic circuit is produced in a first technology and/or first material and the magnetic sensing element is produced in a second technology and/or second material different from the first technology/material.

摘要翻译： 一种用于测量磁场的半导体芯片100，半导体芯片包括磁敏元件110和电子电路120，其中：磁敏元件110安装在电子电路120上; 磁感应元件110与电子电路120电性连接， 电子电路120以第一技术和/或第一材料制造，并且磁性感测元件110以不同于第一技术/材料的第二技术和/或第二材料制造。 还公开了制造上述半导体芯片100的方法，该方法包括：在第一晶片上制造包括电子电路120的至少一个目标器件; 在第二晶片上制造包括磁敏元件110的至少一个源器件，其中第二材料在室温下具有比第一材料更高的载流子迁移率; 将所述至少一个目标设备传送到所述至少一个源设备，包括以下步骤：用粘合剂覆盖所述目标设备的有地区域; 使用传送元件从第二晶片提升源装置; 将源设备放置在着陆区域上; 将传送元件从源设备上抬起; 并且将源设备电连接到目标设备。

公开(公告)号：EP3343600A1

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：EP16207050.2

申请日：2016-12-28

申请人： Siemens Aktiengesellschaft

发明人： Zaiser, Georg

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L24/24 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02163 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/92137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/45099

摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (1) mit einem Substrat (2), mit einem Halbleiterchip (6), welcher auf dem Substrat (2) angeordnet ist, und mit einem ersten Verbindungselement (12) zum elektrischen Verbinden des Halbleiterchips (6) mit einer Leiterbahn (7) und/oder einem weiteren Bauelement des Halbleitermoduls (1), wobei das erste Verbindungselement (12) zumindest bereichsweise flächig an dem Halbleiterchip (6) und dem Substrat (2) sowie der Leiterbahn (7) und/oder dem weiteren Bauelement anliegt, wobei das Halbleitermodul (1) ein zweites Verbindungselement (13) zum elektrischen Verbinden des Halbleiterchips (6) mit der Leiterbahn (7) und/oder dem weiteren Bauelement aufweist, wobei das zweite Verbindungselement (13) als Draht oder als Band ausgebildet ist.