ビーム引出スリット構造及びイオン源
    92.
    发明专利
    ビーム引出スリット構造及びイオン源 有权
    梁提取液态结构和离子源

    公开(公告)号:JP2016081753A

    公开(公告)日:2016-05-16

    申请号:JP2014212773

    申请日:2014-10-17

    Inventor: 佐藤 正輝

    CPC classification number: H01J37/3171 H01J37/08 H01J2237/083

    Abstract: 【課題】イオン注入装置の生産性向上に役立つビーム引出スリット構造及びイオン源を提供する。 【解決手段】ビーム引出スリット構造は、使用時にプラズマに接触するプラズマ室内側表面66と、引出電極に対向するプラズマ室外側表面67と、ビーム引出方向においてプラズマ室内側表面66とプラズマ室外側表面67との間にビーム引出スリット42を形成するスリット表面部68と、を備える。スリット表面部68は、プラズマのプラズマ界面を固定的に保持するプラズマ界面固定部69と、プラズマのプラズマ界面をビーム引出方向に移動可能に保持するプラズマ界面非固定部70と、を備える。プラズマ界面固定部69は、スリット長手方向におけるプラズマの高密度領域に形成されている。プラズマ界面非固定部70は、スリット長手方向におけるプラズマの低密度領域に形成されている。 【選択図】図4

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种有效提高离子注入装置和离子源的生产率的光束提取狭缝结构。解决方案:光束提取狭缝结构包括:在使用期间与等离子体接触的等离子体室内表面66内 ; 与提取电极相对的等离子体室外表面67; 以及在等离子体室内表面66和等离子体室外表面67之间沿光束提取方向形成光束提取狭缝42的狭缝表面部分68。 狭缝表面部分68包括:用于以固定方式保持等离子体的等离子体界面的等离子体界面固定部分69; 以及等离子体界面非固定部分70,用于以可移动的方式在等离子体束的束提取方向上保持等离子体界面。 等离子体界面固定部分69形成在狭缝长度方向的等离子体的高密度区域中。 等离子体界面非固定部分70形成在狭缝长度方向上的等离子体的低密度区域中。图4

    イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法
    93.
    发明专利
    イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法 有权
    离子植入装置及其控制方法

    公开(公告)号:JP2016004898A

    公开(公告)日:2016-01-12

    申请号:JP2014124227

    申请日:2014-06-17

    Abstract: 【課題】搬送中のウェハに対する汚染の影響を低減できる技術を提供する。 【解決手段】イオン注入装置10は、ウェハWへのイオン注入処理がなされる真空処理室16と、真空処理室16にウェハを搬入し、真空処理室16からウェハを搬出するための一以上のロードロック室54a、54bと、真空処理室16およびロードロック室54a、54bの双方に隣接して設けられる中間搬送室52と、ロードロック室54a、54bと中間搬送室52の間を連通させるロードロック室−中間搬送室連通口と、ロードロック室−中間搬送室連通口を密閉可能なゲートバルブと、を有するロードロック室−中間搬送室連通機構72a、72bと、中間搬送室52と真空処理室16の間を連通させる中間搬送室−真空処理室連通口と、中間搬送室−真空処理室連通口の一部または全部を遮蔽可能な可動式の遮蔽板と、を有する中間搬送室−真空処理室連通機構70と、を備える。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够减少对正在输送的晶片的污染影响的技术。解决方案:离子注入装置10包括:真空处理室16,其中对晶片W进行离子注入处理; 用于将晶片馈送到真空处理室16中并从真空处理室16输出晶片的一个或多个装载锁定室54a,54b; 与真空处理室16和负载锁定室54a,54b相邻设置的中间供给室52; 负载锁定室 - 中间供给室互通机构72a,72b,其具有负载锁定室 - 中间供给室互连端口,负载锁定室54a,54b通过该相互连通端口与中间供给室52连通;以及闸阀,用于气密地密封负载锁定室 - 中间进料室互通口; 以及中间供给室 - 真空处理室连通机构70,其具有中间供给室 - 真空处理室连通口,中间供给室52和真空处理室16通过该中间供给室 - 真空处理室相互连通;以及可动屏蔽板, 部分或全部中间进料室 - 真空处理室相互通讯口。

    イオン発生装置および熱電子放出部
    94.
    发明专利
    イオン発生装置および熱電子放出部 有权
    离子发生器和热释电部分

    公开(公告)号:JP2015225720A

    公开(公告)日:2015-12-14

    申请号:JP2014108345

    申请日:2014-05-26

    Inventor: 佐藤 正輝

    CPC classification number: H01J37/06 H01J27/205 H01J37/08 H01J2237/082

    Abstract: 【課題】カソードのメンテナンス頻度を低減することのできるイオン発生装置および熱電子放出部を提供する。 【解決手段】イオン発生装置は、アークチャンバ12と、アークチャンバ12の内から外へ向けて軸方向に延在し、アークチャンバ内に熱電子を放出するカソード30と、カソード30の径方向外側に設けられ、軸方向に延在する筒状のサーマルリフレクタ56と、カソード30とサーマルリフレクタ56とに挟まれる間隙58において、径方向の幅W B が軸方向の所定位置で小さくなるように構成される狭隘構造60と、を備える。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够降低阴极和热离子发射部分的维护频率的离子发生器。解决方案:离子发生器包括:电弧室12; 阴极30,其从轴向方向从电弧室12的内部朝向外部延伸,并将热量发射到电弧室中; 设置在阴极30的外侧并沿轴向延伸的筒状热反射体56; 以及在夹在阴极30和热反射体56之间的间隙58中,在轴向的规定位置处,径向宽度Win小的构造。

    イオン注入装置、ビームエネルギー測定装置、及びビームエネルギー測定方法
    96.
    发明专利
    イオン注入装置、ビームエネルギー測定装置、及びビームエネルギー測定方法 有权
    离子注入装置,光束能量测量装置和光束能量测量方法

    公开(公告)号:JP2015176750A

    公开(公告)日:2015-10-05

    申请号:JP2014052176

    申请日:2014-03-14

    Abstract: 【課題】イオン注入装置においてイオンビームのエネルギーを測定する。 【解決手段】イオン注入装置100におけるビームエネルギー測定装置200は、イオン注入装置100のビーム平行化器36の下流でイオンビームの平行度を測定する平行度測定部202と、測定された平行度からイオンビームのエネルギーを演算するエネルギー演算部204と、を備える。イオン注入装置100は、演算されたイオンビームのエネルギーに基づいて、イオンビームが目標エネルギーを有するように高エネルギー多段直線加速ユニット14を制御する制御部をさらに備えてもよい。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:测量离子注入装置中的离子束能量。解决方案:离子注入装置100中的光束能量测量装置200包括:平行度测量部分202,其测量离子束的离子束的平行度 位于离子注入装置100中的光束平行器36的下游位置; 以及能量计算部204,其基于如此测量的平行度计算离子束的能量。 离子注入装置100还可以包括控制部件,其以这样的方式控制基于如此计算的离子束的能量的高能多级线性加速单元14,使得离子束可以具有目标能量。

    イオン注入装置
    97.
    发明专利
    イオン注入装置 有权
    离子植入装置

    公开(公告)号:JP2015106518A

    公开(公告)日:2015-06-08

    申请号:JP2013248915

    申请日:2013-12-02

    Inventor: 八木田 貴典

    Abstract: 【課題】広い範囲で使用することのできるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。 【解決手段】イオン注入装置の多段式四重極レンズ900は、第1四重極レンズ904と、第3四重極レンズ908と、を備える。第1四重極レンズ904の第1ボア半径R1は、第3四重極レンズ908の第3ボア半径R3より小さくてもよい。多段式四重極レンズ900は、第1四重極レンズ904と第3四重極レンズ908との間に第2四重極レンズ906を備えてもよい。第2四重極レンズ906の第2ボア半径R2は、第1四重極レンズ904の第1ボア半径R1と第3四重極レンズ908の第3ボア半径R3との中間であってもよい。 【選択図】図17

    Abstract translation: 要解决的问题:提供适用于宽范围的离子注入装置和离子注入方法。解决方案:离子注入装置的多级四极透镜900包括第一四极透镜904和第三四极透镜908.第一孔 第一四极杆透镜904的半径R1可以小于第三四极透镜908的第三孔径半径R.多级四极透镜900可以设置在第一四极透镜904和第三四极透镜908之间的第二四极透镜906 第二四极透镜906的第二孔半径R2可以落在第一四极透镜904的第一孔半径R1和第三四极透镜908的第三孔半径R3之间。

    イオン生成装置およびイオン注入装置

    公开(公告)号:JP2021015758A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:JP2019131070

    申请日:2019-07-16

    Inventor: 室岡 博樹

    Abstract: 【課題】固体材料の加熱により生成された蒸気を原料に用いるイオン生成装置の性能を向上させる。 【解決手段】イオン生成装置12は、不純物元素の単体である第1固体材料91と不純物元素を含む化合物である第2固体材料92を混合した原料90を加熱して蒸気を生成するための蒸気生成室68と、蒸気生成室68から供給される蒸気を用いて不純物元素のイオンを含むプラズマを生成するプラズマ生成室78と、を備える。不純物元素は、アルミニウムであってもよい。 【選択図】図3

    イオン注入方法およびイオン注入装置

    公开(公告)号:JP2020013905A

    公开(公告)日:2020-01-23

    申请号:JP2018135346

    申请日:2018-07-18

    Abstract: 【課題】所望の注入プロファイルを実現しうるイオン注入技術を提供する。 【解決手段】イオン注入装置100は、イオンビームBを輸送するビームライン装置と、イオンビームBが照射されるウェハWを保持するウェハ保持装置と、ウェハWを加熱または冷却するための温度調整装置50と、を備える。イオン注入装置100は、ウェハWを温度調整装置50を用いて所定の温度に加熱または冷却し、ウェハWを所定のチャネリング条件を満たすようにウェハ保持装置に保持し、ウェハ保持装置に保持される所定の温度のウェハWにイオンビームBを照射する。 【選択図】図13

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