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公开(公告)号：JP5657245B2
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：JP2009285711
申请日：2009-12-16
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , ソウル大学校産学協力団
CPC classification number: C08G73/0627 , C08G65/4081 , C08G73/18 , C08G83/005 , C08J5/2256 , C08J2300/202 , C08J2379/00 , C08L79/04 , C08L79/08 , C08L81/00 , H01M4/8663 , H01M8/1027 , H01M8/103
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公开(公告)号：JP5657232B2
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：JP2009242295
申请日：2009-10-21
CPC classification number: H01L23/50 , H01L23/49838 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
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公开(公告)号：JP2015008291A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014128501
申请日：2014-06-23
Applicant: アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw , Imec Vzw , アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： LEE SEUNG HUN , LIESBETH WITTERS , ROGER LAW
IPC: H01L21/3065 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/02658 , H01L21/02587 , H01L21/3065 , H01L21/76224 , H01L29/1054
Abstract: 【課題】新規な、歪み半導体構造を形成する方法を提供する。【解決手段】歪み緩和バッファ層204を設ける工程、歪み緩和バッファ層204の上に犠牲層206を形成する工程、犠牲層206を貫通するシャロートレンチアイソレーション構造208を形成する工程、犠牲層206の上の酸化物層を少なくとも一部210除去する工程、歪み緩和バッファ層204の一部が露出するように犠牲層206をエッチングする工程、歪み緩和バッファ層204の露出部分210の上に歪み半導体構造212を形成する工程、を含む。【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供形成应变半导体结构的新颖方法。解决方案：形成应变半导体结构的方法包括以下步骤：提供应变松弛缓冲层204; 在应变松弛缓冲层204上形成牺牲层206; 形成穿过牺牲层206的浅沟槽隔离结构208; 去除牺牲层206上的氧化物层的至少一部分; 蚀刻牺牲层206，以使应变松弛缓冲层204的一部分露出; 以及在应变松弛缓冲层204的暴露部分210上形成应变半导体结构212。
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公开(公告)号：JP5652803B2
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：JP2008058473
申请日：2008-03-07
CPC classification number: G09G3/20 , G09G2300/026 , G09G2300/0426 , H01L27/3293
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5652586B2
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：JP2009148655
申请日：2009-06-23
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/3468 , G11C16/3486 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C29/00
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公开(公告)号：JP2015005746A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2014123561
申请日：2014-06-16
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： SONG TAE-JOONG , PARK JAE-HO , BAEK KANG-HYUN
IPC: H01L21/8244 , H01L27/10 , H01L27/11
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L27/10826 , H01L27/10879 , H01L27/1108 , H01L27/1211 , H01L29/6681
Abstract: 【課題】小型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置1は、互いに隣接して配置された第1メモリセル領域MC1及び第2メモリセル領域MC2が定義された基板100、基板100の第1メモリセル領域MC1及び第2メモリセル領域MC2の境界に順次に積層されて配置されたアクティブベース(active base)110及びSTI(Shallow Trench Isolation)160、STI160の両側に配置され、アクティブベース110から突出した形状に形成された第1アクティブフィン120及び第2アクティブフィン(active fin)120と、アクティブベース110の少なくとも一側に配置されたDTI(Deep Trench Isolation)150を含む。【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题：提供允许小型化的半导体器件及其制造方法。解决方案：半导体器件1包括：基板100，第一存储单元区域MC1和第二存储单元区域MC2相邻地限定 对彼此; 在衬底100上的第一存储单元区域MC1和第二存储单元区域MC2之间的边界处依次层叠的有源基极110和浅沟槽隔离（STI）160; 第一活动翅片120和第二活动翅片120，其设置在STI 160的两侧并形成为从活动基座110突出的形状; 以及设置在活动基座110的至少一侧上的深沟槽隔离（DTI）150。
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公开(公告)号：JP2015004977A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2014125070
申请日：2014-06-18
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： GO A-RA , KIM SANG-JIN
CPC classification number: G10L13/08 , G10L13/047
Abstract: 【課題】本発明は、TTSに関し、特に、オーディオ及びテキスト間の変換のための方法及び電子装置に関する。【解決手段】本発明の一側面に従うテキストをオーディオに変換する方法は、テキストをオーディオで出力するための要請を感知するステップと、上記テキストをユーザ入力保存部で確認するステップと、確認された上記テキストに対応する発音データを上記ユーザ入力保存部で確認するステップと、上記確認された発音データに該当するオーディオ信号で出力するステップとを含む。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供TTS，特别是一种用于音频和文本之间转换的方法和电子设备。解决方案：将文本转换为音频的方法包括检测将文本作为音频输出的请求的步骤，检查文本中的文本 用户输入存储单元，检查与用户输入存储单元中的所检查文本相对应的发音数据，并输出与所检查的发音数据相对应的音频信号。
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公开(公告)号：JP5650906B2
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：JP2009293803
申请日：2009-12-25
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公开(公告)号：JP5646868B2
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：JP2010087364
申请日：2010-04-05
IPC: H04N5/00 , H04N7/173 , H04N21/422 , H04N21/436 , H04N21/442 , H04Q9/00
CPC classification number: H04N5/4403 , G08C2201/20 , H04N21/42207 , H04N21/42221 , H04N21/4882 , H04N2005/4407
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