公开(公告)号：JP6425835B2

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2017558437

申请日：2016-05-11

Applicant: アールエフエイチアイシー コーポレイション

Inventor： フランシス,ダニエル

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02 ,  C23C16/27 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/7624 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344

公开(公告)号：JP2018170387A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2017066088

申请日：2017-03-29

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 古澤 純和

IPC: H01L21/302 ,  C23C16/44 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H05B1/0233

Abstract: 【課題】縦型熱処理装置により被処理基板に対して成膜を行うにあたり、パーティクル汚染を低減できる技術を提供すること。 【解決手段】ウエハボート65にウエハWを搭載して反応容器10内に搬入し、シラン系のガスを用いてポリシリコン膜70の成膜を行う。次いでウエハボート65を反応容器10から搬出し、ウエハWをウエハボート65から移載した後、空のウエハボート65を反応容器10内に搬入し、フッ素ガスでクリーニングを行う。このとき反応容器の蓋体6に設けられたヒータにより蓋体6の内面を300〜350℃に加熱しておく。続いてクリーニング時の温度雰囲気でアミノシランガス及びオゾンガスを用いて反応容器10内にシリコン酸化膜(SiO 2 膜)71を成膜する。シリコン酸化膜71は低温で成膜することができ、蓋体6の内面にも成膜され、蓋体6の内面に付着しているパーティクルP1を固定化できる。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2018520977A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2017565193

申请日：2016-06-16

Applicant: コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ ,  サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェ シアンティフィク ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

Inventor： エル・コーリー・マルーン,ミシェル ,  フイエ,ギー ,  ベンヌグ,フィリップ ,  スニガ・ペレス,ヘスス

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/02647 ,  C30B25/04 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30608 ,  H01L33/007

Abstract: 本発明の主題は、結晶基板(310)の上面上において、ガリウム、アルミニウム、又はインジウムのうちの何れか1つを含む窒化物材料の半極性層(480)を得ることを可能にする方法に関し、前記方法は、以下のステップ:結晶基板の上面上において、第一の方向に延びる複数の平行な溝(320、410、420)を得るステップであって、前記2つの対向するファセットのうちの1つ(330)は、{111}結晶方向を示す、ステップと、溝(320、410、420)の前記第一の方向に関して回転された第二の方向に延びる複数の平行なスライス(450)をエッチングして、{111}結晶方向を示す個別のファセット(330’)を得るステップと、前記個別のファセット(330’)から前記材料(480)をエピタキシャル成長させるステップとを含む。

公开(公告)号：JP6367208B2

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：JP2015538470

申请日：2013-10-25

Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ エナジーズ アルタナティブス ,  アレディア

Inventor： ヨト,べランジェール ,  アムスタット,ブノワ ,  アルマン,マリー−フランソワーズ ,  デュポン,フローリアン

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/62

CPC classification number: H01L21/02609 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B25/005 ,  C30B25/183 ,  C30B29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B29/403 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  H01L21/02658 ,  H01L22/12 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2018107169A

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：JP2016248994

申请日：2016-12-22

Applicant: 日亜化学工業株式会社

Inventor： 光永 隆之

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02079 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0213

Abstract: 【課題】窒化物半導体層が積層された基板を良質な基板に再生する再生基板の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】基板上に窒化物半導体層が積層された積層体から前記窒化物半導体層を除去し、前記基板に付着している付着物を酸化させて酸化付着物とし、前記酸化付着物を前記基板から除去することをこの順に含むことを特徴とする、再生基板の製造方法。 【選択図】図1A

公开(公告)号：JP2018073886A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2016208600

申请日：2016-10-25

Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

Inventor： 家近 泰 ,  津久井 雅之 ,  石川 幸孝

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68764 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 【課題】基板の温度の均一性を向上できる気相成長装置を提供する。 【解決手段】気相成長装置は、反応室と、反応室内に設けられ基板を載置するための、環状の外周部50と、外周部の上面よりも下方に位置する基板載置面を有する環状の内周部52とを有し、基板載置面が周方向に凸領域と凹領域を繰り返す6回回転対称の曲面である環状ホルダ14と、環状ホルダの下方に設けられたヒータと、を備える。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6315579B2

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：JP2014153289

申请日：2014-07-28

Applicant: 昭和電工株式会社

Inventor： 佐々木 有三 ,  菅野 進

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C23C16/02 ,  B24B9/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/20 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02021 ,  B24B9/00 ,  B24B9/065 ,  B24D3/06 ,  B24D3/28 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/325 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34

公开(公告)号：JP6271309B2

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：JP2014057283

申请日：2014-03-19

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 西尾 譲司 ,  飯島 良介 ,  高尾 和人 ,  四戸 孝

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8613

公开(公告)号：JPWO2016114382A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：JP2016569523

申请日：2016-01-15

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 西林　良樹 ,  良樹 西林 ,  仲前　一男 ,  一男 仲前

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/00 ,  B23K26/53 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/48 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/7813 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/34

Abstract: 本発明の半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板(1)を準備する工程と、種基板(1)にイオン注入を行うことにより、種基板(1)の主面の表面から一定深さに、イオン注入層(2)を形成する工程と、種基板(1)の主面上に気相合成法により、半導体層(3)を成長させる工程と、半導体層(3)および種基板(1)の少なくともいずれかの主面の表面から光(4)を照射することにより、半導体層(3)および種基板の一部(1a)を含む半導体基板(5)を分離する工程とを含む。

公开(公告)号：JP2017199810A

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2016089735

申请日：2016-04-27

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 大野 彰仁 ,  ▲濱▼野 健一 ,  金澤 孝

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C30B29/36 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C16/325 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 【課題】結晶欠陥の少ない炭化珪素エピタキシャルウエハを製造することができる炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置を得る。 【解決手段】成長炉1の内壁に付着した炭化珪素を窒化、酸化又は酸窒化させて安定化させる。次に、成長炉1内に基板2を搬入する。次に、成長炉1内にプロセスガスを導入し、基板2上に炭化珪素エピタキシャル層を成長させて炭化珪素エピタキシャルウエハを製造する。 【選択図】図1