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公开(公告)号：JP5954020B2
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：JP2012165033
申请日：2012-07-25
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/38 , G03F7/039 , C08F220/28 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041
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公开(公告)号：JP5935807B2
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：JP2013536101
申请日：2012-08-29
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: G03F7/2041 , C08F220/26 , C08F220/38 , C08F220/58 , G03F7/11
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2020008965A1
公开(公告)日：2021-07-08
申请号：JP2019025256
申请日：2019-06-25
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 半導体基板の表面に基板処理膜を形成してこの基板表面の異物を除去するプロセスにおいて、基板表面の微小なパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された基板処理膜を基板表面から容易に除去することができる基板処理膜形成用組成物及び基板の処理方法の提供を目的とする。本発明は、基板に基板処理膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された基板処理膜に基板処理膜除去液を接触させる工程とを備える基板の処理方法に用いられる基板処理膜形成用組成物であって、樹脂と、溶媒とを含有し、上記溶媒が、標準沸点が175℃以上である第1溶媒成分を含み、上記樹脂100質量部に対する上記第1溶媒成分の含有量が1質量部以上である。
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公开(公告)号：JP6426936B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2014157194
申请日：2014-07-31
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6715
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公开(公告)号：JP6350080B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2014157071
申请日：2014-07-31
Applicant: JSR株式会社
IPC: C11D7/26 , C11D7/28 , H01L21/304 , C11D7/60
CPC classification number: C11D11/0047 , B08B7/0014 , C08F120/18 , C08F120/24 , C08F120/28 , C08F132/08 , C08K5/092 , C11D3/2086 , C11D3/245 , C11D3/373 , C11D3/43 , C11D7/50 , C11D11/0058 , H01L21/02052
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公开(公告)号：JP5967083B2
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：JP2013515066
申请日：2012-04-26
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/0035 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0274
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