公开(公告)号：KR20210032128A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020190113487A

申请日：2019-09-16

申请人： 주식회사 엘지화학

发明人： 김우연 ,  서광수 ,  신환호

IPC分类号： C08F220/30 ,  C08F2/38 ,  C08F2/44 ,  C08F2/50 ,  C08F220/26 ,  C08K5/23 ,  C08K5/37

CPC分类号： C08F220/30 ,  C08F2/38 ,  C08F2/44 ,  C08F2/50 ,  C08F220/26 ,  C08K5/23 ,  C08K5/37

摘要： 본 출원은 아크릴계 중합체의 제조 방법 및 아크릴계 중합체에 관한 것이다. 본 출원의 방법은, 특정 분자량, 다분산 지수 및 전환율을 가지는 아크릴계 중합체를 제조할 수 있다. 본 출원의 방법은, 활성 에너지선 조사 등으로 추가 중합되었을 때 잔류하는 미반응 단량체의 함량을 최소화할 수 있는 아크릴계 중합체를 제조할 수 있다. 본 출원의 아크릴계 중합체는 특정 분자량, 다분산 지수 및 전환율을 가지고 미반응 단량체의 함량이 최소화된 것이기 때문에, 광학용 점착제(혹은 접착제) 분야에 특히 적합하다.

公开(公告)号：JPWO2017141933A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2017005408

申请日：2017-02-15

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 横井 優季 ,  矢作 公

IPC分类号： C08F220/20 ,  C08F220/04 ,  C08F212/14 ,  C08F220/22 ,  C08G18/80 ,  C08G18/62 ,  H01B3/30 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C08F220/36

CPC分类号： C08F212/14 ,  C08F220/24 ,  C08F220/26 ,  C08F220/36 ,  C08G18/80 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

摘要： キャリア移動度がより高い有機薄膜トランジスタ。ブロック化イソシアナト基及びブロック化イソチオシアナト基を含む群から選ばれる少なくとも1種の基を有する繰り返し単位と、ヒドロキシ基を有する繰り返し単位、カルボキシ基を有する繰り返し単位並びにヒドロキシ基及びカルボキシ基を有する繰り返し単位を含む群から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位と、式(1)で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。 【化1】 (式(1)中、R 1 、R 2 、R 3 は水素原子、フッ素原子、炭素原子数1〜20の1価の有機基を表す。R 4 は水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数1〜20の1価の有機基を表す。Rfはフッ素原子、フッ素原子を含む1価の有機基を表す。R a は炭素原子数1〜20の2価の有機基、−O−、−CO−、−COO−、−NHCO−、−NHCOO−を表す。m1は0〜6の整数を表す。n1は1〜5の整数を表す。)

公开(公告)号：JP2017533302A

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：JP2017517277

申请日：2015-09-30

申请人： エルジー・ケム・リミテッド

发明人： ジョン・キュ・イ ,  ジェ・クォン・イ ,  イン・ヨン・ソン ,  スン・ジュン・オー ,  ヨン・ジュ・カン ,  スン・ス・ユン ,  ジュン・クン・キム

IPC分类号： C08F297/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C08J5/18

CPC分类号： C09D153/00 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/00 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/005 ,  C08L53/02 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027 ,  C08F214/182

摘要： 本出願はブロック共重合体およびその用途に関するものである。本出願は、自己組織化特性が優秀で多様な用途で効果的に使われ得るブロック共重合体およびその用途を提供することができる。

公开(公告)号：JP2017530238A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：JP2017517288

申请日：2015-09-30

申请人： エルジー・ケム・リミテッド

发明人： ジョン・キュ・イ ,  スン・ジュン・オー ,  ヨン・ジュ・カン ,  ジュン・クン・キム ,  イン・ヨン・ソン ,  スン・ス・ユン

IPC分类号： C08F293/00

CPC分类号： C09D153/00 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/00 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/005 ,  C08L53/02 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027 ,  C08F214/182

摘要： 本出願はブロック共重合体およびその用途に関するものである。本出願は、自己組織化特性が優秀で多様な用途で効果的に使われ得るブロック共重合体およびその用途を提供することができる。

公开(公告)号：JP2017523273A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2016574269

申请日：2015-06-24

申请人： ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ,  ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー

发明人： オットー・ジェイ・バービー ,  テレサ・ピー・カージャラ ,  ステファン・ヒンリッチ ,  ジェームズ・エル・クーパー

IPC分类号： C08F2/34 ,  C08F10/02

CPC分类号： C08F210/02 ,  C08F22/105 ,  C08F222/1006 ,  C08F220/40 ,  C08F220/26 ,  C08F236/20 ,  C08F2/34 ,  C08F4/34 ,  C08F2/00

摘要： 本発明は、エチレン系ポリマーを重合させるための高圧フリーラジカル重合プロセスであって、第1の反応ゾーン及び第1の反応ゾーンの下流側に位置する反応ゾーンの少なくとも2つの反応ゾーンを有する反応器を備える反応器構成において、エチレンを重合させることを含み、反応器の第1の反応ゾーンの下流側に位置する少なくとも1つの反応ゾーン内に、CO(一酸化炭素)が導入され、COの総量の95重量パーセント以下が、第1の反応ゾーンに供給されるプロセスを提供する。

公开(公告)号：JPWO2016006489A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：JP2016532884

申请日：2015-06-29

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 研由 後藤 ,  研由 後藤 ,  雅史 小島 ,  雅史 小島 ,  三千紘 白川 ,  三千紘 白川 ,  啓太 加藤 ,  啓太 加藤

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  C08F220/22 ,  C08F220/26 ,  C08F220/36 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2220/282 ,  C08F2220/283 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/327 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

摘要： DOFが大きく、かつ、LWRに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記組成物を用いたパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。上記組成物は、樹脂(P)を含有し、上記樹脂(P)が、特定の一般式(1)で表される繰り返し単位(a1)を少なくとも含む、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位(a)と、ラクトン構造、スルトン構造、及び、カーボネート構造の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(b1)と、上記繰り返し単位(b1)とは異なる、ラクトン構造、スルトン構造、及び、カーボネート構造の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(b2)と、を含み、上記繰り返し単位(b1)の大西パラメータが、上記繰り返し単位(b2)の大西パラメータよりも大きく、両者の差が0.85以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物である。

公开(公告)号：JP6118831B2

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：JP2015029086

申请日：2015-02-17

申请人： テルモ株式会社

发明人： 落合 庄司 ,  徳永 則文 ,  田口 昇

IPC分类号： A61L33/00 ,  A61K35/14 ,  A61M1/02

CPC分类号： A61L33/064 ,  A61M1/3633 ,  B01D29/00 ,  C08F220/26 ,  C08F220/28 ,  C09D133/08 ,  C09D133/10 ,  C08F220/56 ,  C08F2220/285

公开(公告)号：JPWO2015030060A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015534263

申请日：2014-08-27

申请人： 日産化学工業株式会社

发明人： 智也 大橋 ,  木村　　茂雄 ,  友輝 臼井 ,  裕斗 緒方

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08F20/32 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/3086 ,  C08F8/14 ,  C08F220/32 ,  G03F7/038 ,  G03F7/094 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  C08F220/26 ,  C08F220/14 ,  C08F220/18

摘要： 【課題】塩基性過酸化水素水溶液に対する耐性を有するレジスト下層膜を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、重量平均分子量1000乃至100000のエポキシ基を有するポリマー及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物を塗布し、ベークしてレジスト下層膜を形成する第1工程、前記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成する第2工程、前記レジストパターンをマスクとして前記レジスト下層膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させる第3工程、並びにドライエッチング後の前記レジスト下層膜をマスクとして、塩基性過酸化水素水溶液を用いて前記無機膜又は前記半導体基板をウエットエッチングする第4工程、を含むパターン形成方法。【選択図】なし

摘要翻译： 为了提供使用具有基本过氧化氢水溶液的电阻抗蚀剂下层膜的图案形成方法。 无机膜可以在表面上的半导体基板上形成，施加抗蚀剂下层膜形成用组合物包含聚合物和具有溶剂的1000的重均分子量为环氧基团的100,000，和烘烤抗蚀剂 形成的下层膜，曝光抗蚀剂形成抗蚀剂下层上图案的第二步骤的第一步骤中，使用抗蚀剂下层膜，通过干蚀刻，无机层或所述半导体基板的表面的掩模的抗蚀剂图案 第三步骤中，和干法蚀刻作为掩膜，第四步骤中，图案形成方法，包括湿法蚀刻无机膜或与碱性过氧化氢水溶液是在半导体衬底后的抗蚀剂下层膜。 系统技术领域

公开(公告)号：JP6080356B2

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：JP2011507082

申请日：2010-03-16

申请人： テルモ株式会社

发明人： 落合 庄司 ,  徳永 則文 ,  田口 昇

IPC分类号： A61M1/02 ,  C08F220/34 ,  C08F220/60 ,  A61L33/06

CPC分类号： A61L33/064 ,  A61M1/3633 ,  B01D29/00 ,  C08F220/26 ,  C08F220/28 ,  C09D133/08 ,  C09D133/10 ,  C08F220/56 ,  C08F2220/285

公开(公告)号：JPWO2014080948A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：JP2014548601

申请日：2013-11-20

申请人： デンカ株式会社

发明人： 孝史 河崎 ,  孝史 河崎 ,  努 小張 ,  努 小張 ,  錠 新堀 ,  錠 新堀

IPC分类号： C08F20/10 ,  B32B25/00 ,  C08K5/14 ,  C08K5/19 ,  C08K5/50 ,  C08L33/04

CPC分类号： C08F20/22 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/22 ,  B32B27/306 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/51 ,  B32B2307/518 ,  B32B2307/54 ,  C08F20/26 ,  C08F20/32 ,  C08F220/18 ,  C08F220/22 ,  C08F220/26 ,  C08F220/32 ,  C08F2220/325 ,  C08G63/682 ,  C08G63/91 ,  C08J3/24 ,  C08J2333/06 ,  C08J2333/16 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/14 ,  C08K5/19 ,  C08K5/49 ,  C08K5/50 ,  C08L33/16 ,  F16L11/04 ,  C08F2220/1825 ,  C08F2220/1808 ,  C08F212/02 ,  C08L33/062

摘要： フッ素系エラストマーとの接着性に優れたアクリル系エラストマー、アクリル系エラストマー組成物、積層体、架橋物及び成形部材を提供する。アクリル系エラストマーに、架橋基としてヨウ素基を導入し、ヨウ素含有量をエラストマー全質量あたり0.1〜2質量%とする。また、このアクリル系エラストマー100質量部に対して、有機過酸化物を1〜7質量部と、オニウム塩を1〜5質量部とを配合してアクリル系エラストマー組成物とする。更に、このアクリル系エラストマー組成物からなるアクリル系エラストマー層と、架橋基としてヨウ素基を有するフッ素系エラストマーを主成分とするフッ素系エラストマー組成物からなるフッ素系エラストマー層とを積層して積層体とする。そして、この積層体を架橋して、架橋物や成形部材を形成する。

摘要翻译： 优异的丙烯酸类弹性体附着在氟系弹性体，丙烯酸类弹性体组合物，层压板，提供的交联产物和模制构件。 丙烯酸类弹性体，引入的碘基团作为交联基团，碘含量为每弹性体总质量为0.1〜2重量％。 另外，相对于该丙烯酸类弹性体100重量份，和1-7重量份的有机过氧化物，和按重量计鎓盐和丙烯酸类弹性体组合物与1至5份共混。 此外，丙烯酸系弹性体组合物的丙烯酸类弹性体层，氟系弹性体组成的氟类弹性体组合物主要由具有碘基团层叠作为交联基团包括氟系弹性体层和所述层压 到。 然后，交联的层压板，以形成交联产物与成型构件。