公开(公告)号：JP5568370B2

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：JP2010107959

申请日：2010-05-10

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 悟 半澤 ,  佳孝 笹子

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/78 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/144

公开(公告)号：JP5551769B2

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：JP2012512199

申请日：2010-05-08

申请人： フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

发明人： リン・アイケ ,  キューゲラー・カルステン ,  ローゼツィン・ローラント・ダニエル ,  ヴァーサー・ライナー

IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： G11C13/0002 ,  G11C13/00 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/02 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H03K19/177

公开(公告)号：JP5549962B2

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：JP2013514178

申请日：2011-05-06

申请人： マイクロン テクノロジー, インク.

发明人： リゥ，ゼンタオ

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC分类号： G01R33/58 ,  G01R33/1284 ,  G01R33/24 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  G11C7/1087 ,  G11C7/1093 ,  G11C8/14 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C2213/18 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/144

摘要： Some embodiments include memory arrays. The memory arrays can have global bitlines extending along a first horizontal direction, vertical local bitlines extending perpendicularly from the global bitlines, and wordlines extending along a second horizontal direction which is perpendicular to the first horizontal direction. The global bitlines may be subdivided into a first series at a first elevational level, and a second series at a second elevational level which is different from the first elevational level. The global bitlines of the first series can alternate with the global bitlines of the second series. There can be memory cell material directly between the wordlines and the vertical local bitlines. The memory cell material may form a plurality of memory cells uniquely addressed by wordline/global bitline combinations. Some embodiments include cross-point memory cell units that have areas of about 2F2.

公开(公告)号：JP5545872B2

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：JP2010513271

申请日：2008-06-23

申请人： サンディスク スリーディー,エルエルシー

发明人： ハーナー，エス．ブラッド ,  エイチ． クラーク，マーク ,  クマー，タンメイ

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/868 ,  G11C11/5692 ,  G11C17/06 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/04 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8615

公开(公告)号：JP5542742B2

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：JP2011117555

申请日：2011-05-26

申请人： 株式会社東芝

发明人： 淳 出口 ,  春希 戸田

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0085 ,  G11C2013/0088 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77

公开(公告)号：JP5531296B2

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：JP2010527610

申请日：2008-09-02

申请人： 株式会社東芝

发明人： 浩一 村岡 ,  宏行 永嶋

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L49/02

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463

公开(公告)号：JP5469239B2

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：JP2012504732

申请日：2010-04-02

申请人： サンディスク スリーディー,エルエルシー

发明人： サマチサ，ジョージ

IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5614 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/19 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/78 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149

公开(公告)号：JP2014038687A

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：JP2013160531

申请日：2013-08-01

申请人： Samsung Electronics Co Ltd ,  三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： KWAK DONG-HUN

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/14 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2213/71

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile memory device which enables programming operation to be executed without physically erasing a nonvolatile memory cell, a programming method and an operating method thereof, and a memory system including the same.SOLUTION: A method of operating a nonvolatile memory device includes a step of successively programming a nonvolatile memory cell without physically erasing the memory cell. Each successive programming of the memory cell uses a correspondingly expanded erase state region to indicate an erase state for the memory cell.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种非易失性存储器件，其能够在不物理擦除非易失性存储单元的情况下执行编程操作，编程方法及其操作方法，以及包括该非易失性存储单元的存储器系统。 非易失性存储器件包括在不物理擦除存储单元的情况下连续编程非易失性存储单元的步骤。 存储器单元的每个连续编程使用相应扩展的擦除状态区域来指示存储器单元的擦除状态。

公开(公告)号：JP5410974B2

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：JP2009523981

申请日：2007-08-08

申请人： ナンテロ,インク.

发明人： バーチン，クロード，エル． ,  ルークス，トーマス ,  ファン，エックス．エム．，ヘンリー ,  シバラジャン，ラメシュ ,  ジェンシュー，エリオーダー，ジー． ,  コンセック，スティーブン，エル． ,  メインホールド，ミッチェル

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L27/105 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L51/0587 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/025 ,  G11C14/00 ,  G11C17/16 ,  G11C29/86 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2213/19 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048

公开(公告)号：JP5388710B2

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：JP2009141427

申请日：2009-06-12

申请人： 株式会社東芝

发明人： 岳志 曽根原 ,  隆之 岡村 ,  隆 重岡 ,  正樹 近藤

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/025 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233