公开(公告)号：JP2018110237A

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：JP2018006176

申请日：2018-01-18

Applicant: カーネギー−メロン ユニバーシティ ,  CARNEGIE−MELLON UNIVERSITY

Inventor： ロザナ・フッシン ,  チェン・イシュエン ,  イ・ルオ

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/43 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66219 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】100THzより高いカットオフ周波数及び作動速度を有する非常に非線形性の高いダイオードを提供する。 【解決手段】ダイオード100は、第1の面112と第1の面112に対して反対側の第2の面114とを有する半導体層102であって、半導体層102は第1の面112と第2の面114との間の厚さ116は半導体層102に放出される電荷キャリアの平均自由行程に近いもしくはこの平均自由行程と同じである。半導体層102の第1の面112に堆積させた第1の金属層104と、半導体層102の第2の面114に堆積させた第2の金属層106と、を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6351863B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2017541203

申请日：2015-09-25

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 藤井 秀紀

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

公开(公告)号：JP2018056220A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2016187705

申请日：2016-09-27

Applicant: 株式会社 日立パワーデバイス

Inventor： 若木 政利 ,  新井 大夏 ,  森 睦宏 ,  古川 智康

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/3225 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H02M7/5395 ,  H02P27/08

Abstract: 【課題】安価でありながら発振現象を抑制できる半導体装置を実現する。 【解決手段】シリコン半導体基板(100)に形成されたアノード電極(106)およびカソード電極(107)と、アノード電極に隣接して形成されたp型層(102,103)と、カソード電極に隣接して形成され、V族元素を拡散してなるn型層(104)と、p型層と、n型層との間に形成されたn - 層(101)と、n - 層とn型層との間に形成され、酸素を含有するnバッファ層(105)と、を設け、カソード電極のn型層側の面からアノード電極に向かう少なくとも30μmの幅の領域内の酸素濃度が1×10 17 cm -3 以上であるとともに、p型層に接する箇所におけるn - 層の酸素濃度が3×10 17 cm -3 未満にした。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018056163A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2016186769

申请日：2016-09-26

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 藤井 秀紀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L27/0761 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861

Abstract: 【課題】本発明は、pnp領域の動作とpn領域の動作とを独立して制御することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明による半導体装置は、n型のn−i層3と、n−i層3の表面に形成されたp型のpアノード層4と、n−i層3の裏面に形成されたn型のn−バッファ層7と、n−バッファ層7の裏面、またはn−i層3およびn−バッファ層7の裏面に、平面視において互いに隣接または隣接部分が重なって形成されたn型のn+カソード層5およびp型のpコレクタ層6と、pアノード層4の表面を覆うように形成された表面電極8と、n+カソード層5およびpコレクタ層6の裏面を覆うように形成された裏面電極9とよりなる積層構造を備え、n+カソード層5の積層構造における積層高さ位置と、pコレクタ層6の積層構造における積層高さ位置とは異なる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017201644A

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：JP2016092229

申请日：2016-05-02

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  株式会社 日立パワーデバイス

Inventor： 新井 大夏 ,  若木 政利 ,  石丸 哲也 ,  森 睦宏

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L21/322 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H02M1/084 ,  H02M7/537 ,  H02P27/06

Abstract: 【課題】ダイオードの導通損失とスイッチング損失のトレードオフを改善しつつ、逆回復スイッチング時のサージ電圧と高周波発振を抑制し、また素子破壊や劣化要因となる耐圧保持時のリーク電流を低減する。 【解決手段】アノード電極層と、カソード電極層と、前記アノード電極層と前記カソード電極層とに挟まれ、前記カソード電極層からの距離が30μm以上の位置に形成された第1導電型のバッファ層と、前記アノード電極層と前記カソード電極層とに挟まれた領域に形成され、前記第1導電型のバッファ層に接した第1導電型の第1半導体層と、前記アノード電極層と前記第1導電型の第1半導体層とに挟まれた領域に形成された第2導電型の第2半導体層と、を備え、前記第1半導体層のキャリア濃度が前記バッファ層のキャリア濃度より低く、前記バッファ層のキャリア濃度は1×10 15 cm −3 未満である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2016067477A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：JP2016556177

申请日：2014-10-31

Applicant: 新電元工業株式会社

Inventor： 小笠原　淳 ,  淳 小笠原

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C09K13/08 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868

Abstract: 半導体基板の表面に形成された酸化膜を部分的に除去する酸化膜除去工程を含む半導体装置の製造方法であって、酸化膜除去工程は、露光工程を用いることなく酸化膜の上面にレジストガラス層を形成する第1工程と、レジストガラス層を焼成してレジストガラス層を緻密化する第2工程と、レジストガラス層をマスクとして酸化膜を部分的に除去する第3工程とを含み、レジストガラス層は、少なくともSiO2と、B2O3と、Al2O3と、CaO、MgO及びBaOのうち少なくとも2つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Pbと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kと、Znとを実質的に含有しないレジストガラスからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明の半導体装置の製造方法によれば、酸化膜除去工程中にシリコン露出などの不具合が生じにくく、かつ、高い生産性で半導体装置を製造することができる。

公开(公告)号：JP2017098351A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：JP2015227340

申请日：2015-11-20

Applicant: 富士電機株式会社 ,  株式会社オクテック

Inventor： 吉川 功 ,  中澤 治雄 ,  井口 研一 ,  関 康和 ,  奥村 勝弥

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/405 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L29/2003

Abstract: 【課題】耐圧構造を有する半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置は、半導体基板10と、半導体基板10上の半導体層12と、半導体層12の上方の表面電極16と、半導体基板10の下方の裏面電極18と、半導体基板10の側面に設けられた延長部20と、表面電極16及び裏面電極18と電気的に接続された抵抗部30を備える、耐圧構造を有する。延長部20は、半導体基板10よりも低い誘電率を有してよい。抵抗部30は、延長部20における上面および側面の少なくともいずれかに設けられる。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6119059B2

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：JP2015125467

申请日：2015-06-23

Applicant: インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag

Inventor： ヨハネス ゲオルク ラヴェン， ,  ヨハネス ゲオルク ラヴェン， ,  シュルツェ，　ハンス−ヨアヒム ,  ハンス−ヨアヒム シュルツェ， ,  シュテファン ヴォス， ,  シュテファン ヴォス， ,  アレクサンダー ブレイメッサー， ,  アレクサンダー ブレイメッサー， ,  アレクサンダー スシティー， ,  アレクサンダー スシティー， ,  シューハイ リウ， ,  シューハイ リウ， ,  ヘルムート エーフナー， ,  ヘルムート エーフナー，

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/265 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3242 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP6028807B2

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：JP2014542166

申请日：2013-10-17

Applicant: 日産自動車株式会社

Inventor： 丸井 俊治 ,  林 哲也 ,  山上 滋春 ,  倪 威 ,  江森 健太

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/417 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47

公开(公告)号：JPWO2014061724A1

公开(公告)日：2016-09-05

申请号：JP2014542166

申请日：2013-10-17

Applicant: 日産自動車株式会社

Inventor： 俊治 丸井 ,  俊治 丸井 ,  林　哲也 ,  林　　哲也 ,  山上　滋春 ,  滋春 山上 ,  威 倪 ,  威 倪 ,  健太 江森 ,  健太 江森

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 半導体装置(100)は、半導体基体(1)と、上部の一部に溝を有し、半導体基体(100)の第1の主面上に配置された第1導電型のドリフト領域(2)と、溝の底部においては中央部を除いた角部の周囲のみに配置された第2導電型の電界緩和領域(4)と、溝に埋め込まれたアノード電極(9)と、半導体基体(100)の第1の主面に対向する第2の主面上に配置されたカソード電極(10)とを備える。

Abstract translation: 的半导体器件（100），包括：半导体主体（1）具有在设置在半导体衬底（100）的第一主表面上，第一导电型的漂移区的一部分的槽（2） 时，在该布置仅围绕除了所述中央部分（4），嵌入在所述凹槽（9），在半导体基板的阳极电极的角部的槽的底部上的第二导电类型的电场缓和区域（100 ），包括第一阴极电极（10布置在第二主表面上的主表面）和相对的。