公开(公告)号：KR102231945B1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020140109652A

申请日：2014-08-22

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 이재윤 ,  선우정 ,  이광진 ,  정동훈 ,  조백형

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/08

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C11/417 ,  G11C11/418 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C7/1075 ,  G11C2207/2209 ,  G11C2207/2281 ,  G11C2207/229 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C7/20

摘要： 커플링 노이즈가 감소된 비휘발성 메모리 장치가 제공된다. 상기 비휘발성 메모리 장치는 다수의 메모리 뱅크; 상기 다수의 메모리 뱅크에 공유되는 리드 글로벌 비트라인; 상기 다수의 메모리 뱅크에 공유되는 라이트 글로벌 비트라인; 상기 리드 글로벌 비트라인과 연결되고, 리드 동작을 수행하는 리드 회로; 및 상기 라이트 글로벌 비트라인과 연결되고, 파워업 동작 후의 초기화 구간에서 상기 라이트 글로벌 비트라인을 제1 디스차지하는 디스차지 제어회로를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR102226024B1

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020207031138A

申请日：2019-03-22

申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.

发明人： 마르코 스포르진 ,  파올로 아마토

IPC分类号： G11C16/26 ,  G06F3/06 ,  G11C7/06 ,  G11C16/30

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C16/26 ,  G06F3/0658 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0061 ,  G11C16/30 ,  G11C7/06 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2213/30 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76

摘要： 메모리 셀을 감지하는 것은: 전압 램프(voltage ramp)를 메모리 셀 그룹에 인가하여 이들 각자의 상태를 감지하는 것, 인가된 전압 램프에 응답하여 첫 번째 스위칭 이벤트가 메모리 셀 중 하나로 발생하는 때를 감지하는 것, 첫 번째 스위칭 이벤트가 발생하고 특정 시간 후 전압 램프의 인가를 중단하는 것, 및 상기 특정 시간 동안 그룹의 어느 추가 메모리 셀이 스위칭 이벤트를 겪는지를 결정하는 것을 포함한다. 인가된 전압 램프에 응답하여 스위칭 이벤트를 겪었다고 결정된 셀이 제1 데이터 값을 저장하는 것으로 감지되고 인가된 전압 램프에 응답하여 스위칭 이벤트를 겪지 않았다고 결정된 셀이 제2 데이터 값을 저장하는 것으로 감지된다. 그룹은 각각의 코드 패턴이 제1 데이터 값을 갖는 적어도 하나의 데이터 유닛을 포함하도록 제한된 인코딩 함수에 따라 데이터를 저장한다.

公开(公告)号：JP2018532219A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2018521640

申请日：2016-10-18

申请人： マイクロン テクノロジー, インク.

发明人： カワミ,シェコウフェ ,  サンダラム,ラジェシュ

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C14/0045 ,  G06F2212/7211 ,  G11C7/24 ,  G11C8/18 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/10 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/71

摘要： 本発明の1つの実施形態に従って、装置が開示される。装置は、複数のメモリセルを有するメモリアレイを含む。装置は、メモリアレイに接続され、制御信号に応答して書き込み操作を行うように構成されたメモリアクセス回路を、さらに含む。装置は、メモリアクセス回路に接続され、少なくとも部分的には、メモリアクセス回路によって行われた書き込み操作の数に応じた一連の書き込みパラメータを適用するように構成され、一連の書き込みパラメータに応じて複数のメモリセルに書き込み操作を行うために、メモリアクセス回路に制御信号を提供するようにさらに構成された制御ロジックをさらに含む。 【選択図】図1B

公开(公告)号：JP6303224B2

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：JP2014002569

申请日：2014-01-09

申请人： 旺宏電子股▲ふん▼有限公司

发明人： 呂 函庭

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/14

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3427 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

公开(公告)号：JP6251688B2

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：JP2014554249

申请日：2013-11-21

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 野々口 誠二 ,  曽根 威之 ,  五十嵐 実 ,  成沢 浩亮 ,  荒谷 勝久

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L27/2481 ,  G11C13/0002 ,  H01L27/249 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/71

公开(公告)号：JP6180549B2

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：JP2015554475

申请日：2013-12-27

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 笹子 佳孝 ,  吉武 宏 ,  藤崎 耕司 ,  小林 孝 ,  工藤 真

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L27/249 ,  G11C13/0004 ,  H01L23/528 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2481 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/75 ,  H01L21/823487 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

公开(公告)号：JP2016139453A

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：JP2016009878

申请日：2016-01-21

申请人： ナンテロ,インク.

发明人： バーティン,クロード エル. ,  クリーブランド,リー

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/025 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0011 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77

摘要： 【課題】1−R抵抗変化素子アレイ内の1つまたは複数の抵抗変化素子を読み取り、かつ、プログラムするための方法を提供する。 【解決手段】方法は、測定および記憶素子を用いてアレイ内の1つまたは複数の選択されたセルの電気応答を測定することと、次いで、記憶されたこの電気応答をアレイ内の参照素子の電気応答と比較して、1つまたは複数の選択されたセルの抵抗状態を決定することとを含む。方法は、プログラミング方法も含み、選択可能な電流制限素子は、各々プログラミング電流が選択されたセルを介して流れることを許容または、選択されていないセルを介して流れることを抑止するために使用される。方法は、さらに、選択されたセルのみを介して十分なプログラミング電流を提供するために、アレイラインの特有のバイアシングを用いるプログラミング方法を含む。 【選択図】図7B

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于读取和编程1-R电阻变化元件阵列中的一个或多个电阻变化元件的方法。解决方案：该方法包括测量一个或多个所选择的单元的电响应 使用测量和存储元件的阵列，然后将该存储的电响应与阵列中的参考元件的电响应进行比较，并确定一个或多个选定单元的电阻状态。 该方法还包括编程方法，并且每个可选择的限流元件用于允许编程电流经由所选择的单元流动或抑制编程电流不经由未选择的单元流动。 该方法还包括编程方法，该方法使用特定于阵列线的偏置，以便仅通过所选择的单元提供足够的编程电流。图7B

公开(公告)号：JP5903471B2

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：JP2014176385

申请日：2014-08-29

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 山岡 雅直 ,  大島 俊 ,  林 真人

IPC分类号： G06F7/48 ,  H03K19/18

CPC分类号： G06F13/1668 ,  G06F13/1652 ,  G06N7/005 ,  G11C11/16 ,  G11C14/0081 ,  G11C5/08 ,  G11C7/1006 ,  G06N99/002 ,  G11C2213/71

公开(公告)号：JP5903326B2

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：JP2012104701

申请日：2012-05-01

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 笹子 佳孝 ,  小田部 晃

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L27/2463 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  G11C2213/71 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144

公开(公告)号：JP5886974B2

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：JP2014536476

申请日：2012-09-20

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 白水 信弘 ,  半澤 悟 ,  小田部 晃

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0061 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144