公开(公告)号：JP5758086B2

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：JP2010124388

申请日：2010-05-31

Applicant: 学校法人トヨタ学園

Inventor： 佐々木実

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C23C16/513 ,  H05H1/24

公开(公告)号：JP2015133431A

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：JP2014004692

申请日：2014-01-15

Applicant: 日星電気株式会社 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  エンシュウ株式会社 ,  学校法人トヨタ学園

Inventor： 内山 典久 ,  西川 慎二 ,  岡崎 朋也 ,  久米 憲一 ,  松本 康太郎 ,  齋藤 和也

IPC: H01S3/067 ,  F28F13/14 ,  F28F3/12 ,  H01S3/042

Abstract: 【課題】 基板に設けられた溝に冷却流体輸送管を配設して対象物を冷却する形の冷却構造において、本来の冷却対象ではない基板が冷却されることにより、本来の冷却対象物に対する冷却効率が低下してしまうことを改善する。 【解決手段】 冷却流体輸送管と、冷却流体輸送管が配設される溝が設けられた基板を備えた冷却構造とし、基板上において冷却流体輸送管と溝が接しない部分における冷却流体輸送管の肉厚の少なくとも一部を、冷却流体輸送管と該溝が接する面における肉厚よりも薄くする。 【選択図】 図5

Abstract translation: 要解决的问题：为了改善对待冷却的原始物体的冷却效率的劣化，在冷却流体输送管是冷却流体输送管的冷却结构中，由于不是原始冷却对象的基板的冷却而导致的劣化 安装在凹槽中以冷却物体，凹槽设置在基底中。解决方案：冷却结构包括冷却流体输送管和其中形成有凹槽的基底，冷却流体输送管安装在凹槽中。 在冷却流体输送管与衬底上的槽不接触的部分处的冷却流体输送管的至少一部分壁厚比冷却流体输送管接触的表面处的壁厚薄 与沟槽。

公开(公告)号：JP5725688B2

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：JP2006317241

申请日：2006-11-24

Applicant: 学校法人トヨタ学園 ,  日本プラズマトリート株式会社

Inventor： 原 民夫 ,  武村 祐一朗 ,  鶴本 康彦

IPC: H05H1/24

公开(公告)号：JP2015003335A

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：JP2013131322

申请日：2013-06-24

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  Toyota Motor Corp ,  学校法人トヨタ学園 ,  Toyota Gakuen

Inventor： KO MASAKEN ,  YUN KYYOUL ,  OKUMIYA MASAHIRO

IPC: B23K20/00

Abstract: 【課題】アルミニウム系部材と鉄系部材との接合強度を高めることができる異種金属の接合方法を提供する。【解決手段】AlまたはAl合金を主材としたアルミニウム系部材12とFeを主材とした鉄系部材11との間に、溶融または一部溶融状態のAl−Mg合金61のAlを鉄系部材12に固溶拡散させながら、アルミニウム系部材12と鉄系部材11とを接合する。【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够提高铝基构件和铁基构件的接合强度的异种金属接合方法。解决方案：将铝基构件12和铁基构件11接合在一起，同时将Al 熔融或部分熔融状态的Al-Mg合金61固体溶解并扩散到主要由Al或Al合金构成的铝基部件12和铁基部件11之间的铁基部件11中 由铁组成。

公开(公告)号：JP2015001966A

公开(公告)日：2015-01-05

申请号：JP2013127820

申请日：2013-06-18

Applicant: 株式会社デンソー ,  Denso Corp ,  学校法人トヨタ学園 ,  Toyota Gakuen

Inventor： HOSSEIN TEHRANI NIKNEJAD ,  OISHI YUKI ,  TAKENAKA KAZUHITO ,  EGAWA MASUZO ,  MITA SEIICHI

IPC: G06T7/00

Abstract: 【課題】検出すべき特定の対象物の一部しか画像に映しだされていない場合であっても、その特定対象物の検出を可能とする。【解決手段】特定対象物の全体形状の確からしさを示すルートスコア、及び、特定対象物に対する相対位置を加味した、各パーツである確からしさ示すパーツスコアに加え、各パーツ同士の相対的位置関係の確からしさを示すスコアを用いて、特定対象物もしくはその一部が存在する確からしさを示す評価点Sを算出する。【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：即使在图像中仅显示特定被检测对象的一部分时也检测特定对象。解决方案：指示特定对象的整体形状概率的根分数，部分得分 用于表示相对于特定对象的部分的位置的表示，表示各部分的概率，以及表示各部分之间的相对位置关系概率的评分，用于计算评价点S，该评价点S表示 特定物体或其一部分存在。

公开(公告)号：JP2014188519A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：JP2013063162

申请日：2013-03-26

Applicant: Toyota Motor Corp ,  トヨタ自動車株式会社 ,  Toyota Gakuen ,  学校法人トヨタ学園

Inventor： FURUKAWA YUICHI ,  NISHIKAWA NAOKI ,  TSUNEKAWA YOSHIKI ,  SUETSUGU SHIMPEI

IPC: B22D27/20 ,  B22D1/00 ,  B22D21/04 ,  C22C21/02

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a casting composed of an Al-Si-Cu-based eutectic alloy capable of also improving ductility, besides having high tensile strength, in the casting composed of the Al-Si-Cu-based eutectic alloy.SOLUTION: The manufacturing method of the casting composed of the Al-Si-Cu-based eutectic alloy, is composed of a first step of irradiating an ultrasonic wave to molten metal up to reducing to the eutectic temperature from the temperature of the liquid phase line temperature or more by generating the molten metal of the eutectic alloy by setting the Al-Si-Cu-based eutectic alloy to the liquid phase line temperature or more, a second step of continuing irradiation of the ultrasonic wave to the molten metal while maintaining the eutectic temperature, a third step of manufacturing a casting precursor by casting the molten metal provided by the second step and a fourth step of manufacturing the casting by executing aging processing on the casting precursor.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供由Al-Si-Cu基共晶合金制成的铸型的制造方法，该铸造除了具有高的拉伸强度之外，还能够提高延展性，在由Al-Si-Cu系 共晶合金。解决方案：由Al-Si-Cu基共晶合金构成的铸造的制造方法由将超声波照射到熔融金属上的第一步骤从低于共晶合金的温度降低到共晶温度 液相线温度以上，通过将Al-Si-Cu系共晶合金设定为液相线温度以上，通过产生共晶合金的熔融金属，继续向熔融金属照射超声波的第二工序 同时保持共熔温度，第三步骤是通过铸造由第二步骤提供的熔融金属制造铸造前体，以及通过对铸件进行老化处理来制造铸件的第四步骤 ng前体。

公开(公告)号：JP5590339B2

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：JP2011224275

申请日：2011-10-11

Applicant: 学校法人トヨタ学園 ,  岐阜県 ,  フェザー安全剃刀株式会社

Inventor： 民夫 原 ,  伸明 大嶋 ,  貴嗣 山口 ,  廣茂 小河 ,  幸太 細野 ,  崇 大津 ,  正明 村井 ,  一樹 藤村

IPC: C23C8/36 ,  C23C8/38 ,  H01J37/077 ,  H05H1/24

公开(公告)号：JP2014115328A

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：JP2012267304

申请日：2012-12-06

Applicant: Hitachi Metals Ltd ,  日立金属株式会社 ,  Toyota Gakuen ,  学校法人トヨタ学園

Inventor： OGURA AKIRA ,  YAO BING ,  WATANABE TOMONORI ,  SAITO KAZUYA

IPC: G02B6/02

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide fiber Bragg grating having excellent productivity and a method of manufacturing the same.SOLUTION: In fiber Bragg grating 10, bubbles 13 are periodically formed along the longitudinal direction of a core 12a, which is a part of multi core fiber 11. In a method of manufacturing fiber Bragg grating, bubbles 13 are periodically formed along the longitudinal direction of the core 12a, which is a part of the multi core fiber 11 using a fiber fuse phenomenon.

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有优异生产率的光纤布拉格光栅及其制造方法。解决方案：在光纤布拉格光栅10中，气泡13沿着芯12a的长度方向周期性地形成，芯12a是多芯的一部分 纤维11.在制造光纤布拉格光栅的方法中，使用光纤熔丝现象沿着芯12a的长度方向周期性地形成气泡13，该芯12a是多芯光纤11的一部分。

公开(公告)号：JP5523242B2

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：JP2010175611

申请日：2010-08-04

Applicant: 学校法人トヨタ学園 ,  日本プラズマトリート株式会社

Inventor： 民夫 原 ,  伸明 大嶋

IPC: H05H1/24

公开(公告)号：JP2014027001A

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：JP2012163613

申请日：2012-07-24

Applicant: Toyota Gakuen ,  学校法人トヨタ学園

Inventor： HAYASHI YUTAKA ,  OSHITA YOSHIO ,  OGURA ATSUSHI

IPC: H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion element which enables mass-production of an ultrathin and uniform thin film having reproducibility at low cost, and which can easily reduce an interface state between a semiconductor and a thin film interface, and which does not cause deterioration in reliability and a characteristic change even when used for a long time by passing a large current through the thin film.SOLUTION: A photoelectric conversion element comprises: a crystal semiconductor 12; a first hydrogenated amorphous semiconductor film 16 provided on the crystal semiconductor 12 in vicinity to a first surface 14; and a first low-resistance film 20 provided on the crystal semiconductor 12 via the first hydrogenated amorphous semiconductor film 16.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种光电转换元件，其能够以低成本批量生产具有再现性的超薄均匀薄膜，并且可以容易地降低半导体和薄膜界面之间的界面状态，并且不会 即使长时间使用大电流通过薄膜也导致可靠性劣化和特性变化。解决方案：光电转换元件包括：晶体半导体12; 在第一表面14附近设置在晶体半导体12上的第一氢化非晶半导体膜16; 以及经由第一氢化非晶半导体膜16设置在晶体半导体12上的第一低电阻膜20。