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公开(公告)号：JP6307071B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2015517051
申请日：2014-05-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L31/036 , H01L31/077 , H01L31/10 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L31/077 , H01L31/0368 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541
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公开(公告)号：JP6112626B2
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：JP2014552089
申请日：2013-12-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/16 , H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0008 , H01L33/26 , H01L33/28 , H01L33/285 , H01L33/325 , H01L33/0083 , H01L33/0095
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015199635A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2014199217
申请日：2014-09-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/32 , C30B29/38
Abstract: 【課題】安価で且つ大面積化にも適した、窒化ガリウム単結晶基板の代替材料として有用な窒化ガリウム自立基板の提供。 【解決手段】窒化ガリウム自立基板12と、この基板上に形成される発光機能層14とを備えてなる発光素子10において、窒化ガリウム自立基板12は、略法線方向に単結晶構造を有する複数の窒化ガリウム系単結晶粒子で構成される板からなっており、配向多結晶焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、配向多結晶焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成した後、種結晶層上に厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層を、種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成し、配向多結晶焼結体を除去することで、窒化ガリウム自立基板を製造ができ、発光機能層14も、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一以上有する発光機能層14。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供廉价的氮化镓自支撑衬底，适用于较大面积，并且可用作氮化镓单晶衬底的替代材料。解决方案：发光元件10配备有 氮化镓自支撑基板12和形成在基板上的发光功能层14。 氮化镓自支撑基板12由在大致法线方向上具有单晶结构的多个氮化镓系单晶粒子构成的板构成。 在取向多晶体烧结体上形成氮化镓的晶种层，使晶体取向几乎与取向多晶体烧结体的晶体取向相似，由镓构成的厚度为20μm以上的层 在籽晶层上形成氮化物系晶体，使晶体取向几乎类似晶种的晶体取向，然后去除取向多晶体烧结体，制造氮化镓自支撑衬底。 发光功能层14具有在几乎法线方向上具有单晶结构的多个半导体单晶粒子构成的一层以上的层。
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公开(公告)号：JP5807100B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2014171923
申请日：2014-08-26
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406
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公开(公告)号：JP5770905B1
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：JP2014199217
申请日：2014-09-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L33/32 , C30B29/38 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/16
Abstract: 【課題】安価で且つ大面積化にも適した、窒化ガリウム単結晶基板の代替材料として有用な窒化ガリウム自立基板の提供。 【解決手段】窒化ガリウム自立基板12と、この基板上に形成される発光機能層14とを備えてなる発光素子10において、窒化ガリウム自立基板12は、略法線方向に単結晶構造を有する複数の窒化ガリウム系単結晶粒子で構成される板からなっており、配向多結晶焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、配向多結晶焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成した後、種結晶層上に厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層を、種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成し、配向多結晶焼結体を除去することで、窒化ガリウム自立基板を製造ができ、発光機能層14も、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一以上有する発光機能層14。 【選択図】図1
Abstract translation: A为和适合于在低成本的大面积，提供了有用的氮化镓自支撑衬底作为用于氮化镓单晶衬底的替代材料。 和氮化镓自支撑衬底12，发光元件10，其包括一个发光在衬底上形成功能层14，氮化镓自支撑衬底12具有在基本垂直的方向上具有单晶结构中的多个 其中由板氮化镓单晶晶粒构成，在取向多晶烧结体，氮化镓的晶种层的晶体取向，一般遵循取向的多晶烧结体的晶体取向 形成有后，一个籽晶层的厚度为20μm或更氮化镓晶体构成的层，形成为具有通常的结晶取向的籽晶层的晶体取向，取向多以下 通过去除晶烧结体，它可以产生一个镓独立衬底的氮化物，发光功能层14还具有形成为大致法线方向具有单晶结构中的多个半导体单晶颗粒的一个或多个层 发光功能层14。 点域1
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公开(公告)号：JP6978641B1
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2021551577
申请日：2021-04-20
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 第一面と第二面とを備えるIII族元素窒化物半導体基板であって、目視による第一面と第二面の区別が容易であり、光学センサーによる端部の検出がしやすく、有効面積(デバイス作製に使用できる面積)を大きく確保でき、基板全体の反りが低減される、III族元素窒化物半導体基板を提供する。 本発明の実施形態によるIII族元素窒化物半導体基板は、第一面と第二面とを備えるIII族元素窒化物半導体基板であって、該第一面が鏡面であり、該第二面が第二面中央領域と第二面外周領域とを有し、該第二面中央領域が鏡面であり、該第二面外周領域が非鏡面である。
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公开(公告)号：JPWO2019187737A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2019005240
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B9/10 , H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38
Abstract: 【課題】略法線方向で特定結晶方位に配向した複数の単結晶粒子で構成された13族元素窒化物結晶層において、表面の転位欠陥を低減し、機能層の歩留りおよび効率を改善できるようにする。 【解決手段】多結晶13族元素窒化物からなる13族元素窒化物層 が、略法線方向で特定結晶方位に配向した複数の単結晶粒子で構成されている。13族元素窒化物が窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムまたはこれらの混晶からなる。13族元素窒化物層が上面及び底面を有しており、前記上面におけるX線ロッキンカーブの(1000)面反射の半値幅が20000秒以下、1500秒以上である。 【選択図】 図1
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