公开(公告)号：JP6685366B2

公开(公告)日：2020-04-22

申请号：JP2018203719

申请日：2018-10-30

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 瀬尾 哲史 ,  下垣 智子 ,  大澤 信晴 ,  吉住 英子 ,  鈴木 邦彦

IPC: H01L51/50

公开(公告)号：JP6626931B2

公开(公告)日：2019-12-25

申请号：JP2018129101

申请日：2018-07-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 一條 充弘 ,  遠藤 俊弥 ,  鈴木 邦彦 ,  竹村 保彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2019204980A

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：JP2019161042

申请日：2019-09-04

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 下垣 智子 ,  瀬尾 哲史 ,  大澤 信晴 ,  吉住 英子 ,  高橋 正弘 ,  鈴木 邦彦

IPC: H01L51/50

Abstract: 【課題】外部量子効率が高い発光素子を提供する。また、寿命の長い発光素子を提供する 。 【解決手段】一対の電極間に、ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し、ホスト材 料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとが重なり、ホスト材料の励起エネル ギーがゲスト材料の励起エネルギーに変換され燐光を発する発光素子を提供する。ホスト 材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりを利用して、ホスト材料か らゲスト材料へのエネルギー移動が円滑に行われるため、該発光素子はエネルギー移動効 率が高い。したがって、外部量子効率の高い発光素子を実現することができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019192922A

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：JP2019105369

申请日：2019-06-05

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  辻 隆博 ,  鈴木 邦彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/477 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する 信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。 【解決手段】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、BT試験前後における 薄膜トランジスタのしきい値電圧の変動幅を2V以下、好ましくは1.5V以下、さらに 好ましくは1.0V以下とすることで、信頼性が高く安定した電気特性を有する半導体装 置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、しきい値 の変動に起因する表示むらなどの動作不良を低減することができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019176175A

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：JP2019110115

申请日：2019-06-13

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 保本 清治 ,  佐藤 将孝 ,  江口 晋吾 ,  鈴木 邦彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

Abstract: 【課題】剥離性を向上させること。または、剥離工程における歩留まりを向上すること。 または、フレキシブルデバイスの製造歩留まりを向上すること 【解決手段】支持基板上にタングステンを含む剥離層を形成する第1の工程と、前記剥離 層上に、酸化窒化シリコンを含む第1の層、及び窒化シリコンを含む第2の層が順に積層 された被剥離層と、前記剥離層と前記被剥離層との間にタングステン酸化物を含有する酸 化物層と、を形成する第2の工程と、加熱処理により、前記酸化物層中にタングステンと 窒素を含む化合物を形成する第3の工程と、前記酸化物層を境に、前記剥離層と前記被剥 離層とを剥離する第4の工程と、を有する剥離方法を用いる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019176171A

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：JP2019104614

申请日：2019-06-04

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  鈴木 邦彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02

Abstract: 【課題】新規な剥離方法、又は新規な剥離装置を提供することを目的の一とする。 【解決手段】基板上に剥離層を形成する、第1の工程と、剥離層上に被剥離層を形成する 、第2の工程と、被剥離層の一部を剥離層から剥離し、剥離の起点を形成する、第3の工 程と、剥離の起点を用いて、被剥離層を基板から剥離する、第4の工程と、を有し、前記 第4の工程では、基板の温度が、60℃以上90℃以下である、剥離方法を提供する。 【選択図】図10

公开(公告)号：JP6542925B2

公开(公告)日：2019-07-10

申请号：JP2018018133

申请日：2018-02-05

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 保本 清治 ,  佐藤 将孝 ,  江口 晋吾 ,  鈴木 邦彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H01L21/02

公开(公告)号：JP6538143B2

公开(公告)日：2019-07-03

申请号：JP2017228201

申请日：2017-11-28

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  辻 隆博 ,  鈴木 邦彦

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP2019062223A

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：JP2018229742

申请日：2018-12-07

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 瀬尾 哲史 ,  下垣 智子 ,  大澤 信晴 ,  吉住 英子 ,  鈴木 邦彦

IPC: H05B33/26 ,  H01L51/50

Abstract: 【課題】外部量子効率が高い発光素子を提供する。また、駆動電圧の低い発光素子を提供する。 【解決手段】燐光性化合物、第1の有機化合物、及び第2の有機化合物を含む発光層を一対の電極間に有し、第1の有機化合物及び第2の有機化合物が、励起錯体(エキサイプレックス)を形成する組み合わせであり、励起錯体の発光スペクトルが、燐光性化合物の吸収スペクトルの最も長波長側に位置する吸収帯と重なり、励起錯体の発光スペクトルのピーク波長が、燐光性化合物の吸収スペクトルの最も長波長側に位置する吸収帯のピーク波長以上である発光素子を提供する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019054265A

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：JP2018211607

申请日：2018-11-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 下垣 智子 ,  瀬尾 哲史 ,  大澤 信晴 ,  吉住 英子 ,  鈴木 邦彦

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50

Abstract: 【課題】外部量子効率が高い発光素子を提供する。また、寿命の長い発光素子を提供する。 【解決手段】第1の有機化合物と第2の有機化合物とを含み、第1の有機化合物及び第2の有機化合物は、励起錯体を構成しうる組み合わせであり、励起錯体の一重項励起エネルギーと三重項励起エネルギーは、実質的に同じである、もしくは励起錯体の一重項状態からの発光スペクトルと三重項状態からの発光スペクトルは、近接する、または励起錯体の蛍光スペクトルのピークと燐光スペクトルのピークは、実質的に同じである、ホスト材料。 【選択図】図25