公开(公告)号：JP2020097201A

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：JP2018237269

申请日：2018-12-19

申请人： 株式会社日本製鋼所

发明人： 焼本 数利 ,  石川 華奈 ,  越智 昭太 ,  竹堂 公貴 ,  荒木 克之

IPC分类号： B82Y40/00 ,  C01B32/159 ,  C01B32/168 ,  C01B32/21 ,  C01B32/194 ,  B29C33/42 ,  B29C43/36 ,  B29C70/88 ,  B05D7/00 ,  B05D7/24 ,  B05D3/00 ,  B05D1/26 ,  B05D3/12 ,  B29C70/64

摘要： 【課題】特性の良好なナノ物質含有樹脂複合体を製造する。 【解決手段】カーボンナノチューブ(CNT)の分散液を基板上に吐出し、加熱により溶剤を除去することで、CNTの集合体(CNTネットワーク層)を有する基板S1を準備する。次いで、基板S1上のCNTの集合体(CNTネットワーク層)上に溶融樹脂MRを吐出し、CNTに溶融樹脂を含浸させる。次いで、溶融樹脂を固化させることにより、CNT含有樹脂複合体(PNC)を形成し、これを基板S1から剥離する。CNT含有樹脂複合体(PNC)は、基板S1の剥離面側を機能面とし、CNT含有樹脂複合体(PNC)は、機能面側のCNTの密度が、機能面と逆側の面のCNTの密度より高い。このような構成により、ナノ物質であるCNTの特性が機能面(樹脂表層)において、大きくあらわれ、機能性材料として性能の高いナノ物質含有樹脂複合体となる。 【選択図】図21

公开(公告)号：JP2020083744A

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：JP2018225957

申请日：2018-11-30

申请人： 日本ゼオン株式会社 ,  国立大学法人 香川大学

发明人： 楠瀬 尚史 ,  谷島 幹男

IPC分类号： C04B35/488 ,  C04B35/582 ,  C01B32/159 ,  C01B32/168 ,  H01B1/08 ,  H01B1/04 ,  C04B35/053

摘要： 【課題】緻密で、且つ、電気伝導性に優れる導電性セラミックスを提供する。 【解決手段】金属酸化物および/または金属窒化物と、単層カーボンナノチューブとを含有し、単層カーボンナノチューブの含有割合が0.05体積%以上1.0体積%以下であり、体積抵抗率が10 −2 Ω・cm以上10 8 Ω・cm以下である導電性セラミックスとする。 【選択図】なし

公开(公告)号：JPWO2018207780A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：JP2018017797

申请日：2018-05-08

申请人： 国立大学法人東京工業大学 ,  日本ゼオン株式会社

发明人： 河野 行雄 ,  鈴木 大地 ,  落合 雄輝 ,  長宗 勉

IPC分类号： C01B32/159 ,  G01N21/3581 ,  G01J1/02 ,  H01L29/06 ,  C01B32/158

摘要： カーボンナノチューブのフェルミ準位を制御することができるカーボンナノチューブ膜、テラヘルツ波検出装置およびカーボンナノチューブ膜のPN接合形成方法を提供する。カーボンナノチューブ膜(10)は、膜内に、P型半導体領域(11)、N型半導体領域(12)、および、P型半導体領域(11)とN型半導体領域(12)とが接するPN接合部(13)を備える。N型半導体領域(12)を形成する部位は、カーボンナノチューブと、イオン液体(20)および/またはカチオンを内包したクラウンエーテル(30)との複合体により形成される。また、テラヘルツ波検出装置(100)は、カーボンナノチューブ膜(10)の2次元平面上に、PN接合部(13)を挟んで対向配置された第1電極(2)および第2電極(3)と、を備える。

公开(公告)号：JP2020020452A

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：JP2018146810

申请日：2018-08-03

申请人： 株式会社LIXIL ,  株式会社名城ナノカーボン ,  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構

发明人： 井須 紀文 ,  上野 智永 ,  橋本 剛 ,  八名 拓実 ,  宮北 健

IPC分类号： C01B33/158 ,  C01B32/159 ,  C01B32/174 ,  F16L59/06

摘要： 【課題】高強度かつ熱伝導率の小さい断熱材を提供すること。 【解決手段】多孔質シリカと、カーボンナノチューブと、を含んで構成される断熱材である。低強度かつ輻射伝熱による熱伝導率の大きい低比重断熱材において、結晶性の大きいカーボンナノチューブを添加することで、強度を高めるとともに輻射伝熱を抑制することができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6637586B2

公开(公告)日：2020-01-29

申请号：JP2018501241

申请日：2016-07-13

申请人： アライアンス フォー サステイナブル エナジー リミテッド ライアビリティ カンパニー

发明人： アヴェリー,アジュール ディー ,  ブラックバーン,ジェフ ,  ファーグソン,アンドリュー ジョン

IPC分类号： H01L35/34 ,  H01L35/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/159 ,  C01B32/168 ,  C01B32/172 ,  H01L35/22

公开(公告)号：JP6634468B2

公开(公告)日：2020-01-22

申请号：JP2018088667

申请日：2018-05-02

申请人： ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO.,LTD.

发明人： 付 紅穎 ,  李 文珍

IPC分类号： C01B32/158 ,  C01B32/168 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/08 ,  C01B32/159

公开(公告)号：JPWO2018168346A1

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：JP2019505803

申请日：2018-02-19

IPC分类号： C01B32/174 ,  C01B32/159

摘要： 本発明は、分散安定性に優れる炭素ナノ構造体分散液を調製可能な炭素ナノ構造体を提供する。本発明の表面処理された炭素ナノ構造体の製造方法は、炭素ナノ構造体と分散媒とを含む炭素ナノ構造体含有液を減圧する減圧処理工程と、減圧処理工程後または減圧処理工程中に、炭素ナノ構造体含有液に酸化剤を添加し、炭素ナノ構造体の表面酸素原子濃度を7.0at%以上にする表面処理工程とを含む。ここで、炭素ナノ構造体は、カーボンナノチューブを含むことが好ましい。

公开(公告)号：JP2019172485A

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：JP2018060432

申请日：2018-03-27

申请人： 日本ゼオン株式会社

发明人： 山岸 智子 ,  上島 貢

IPC分类号： C01B32/159 ,  C01B32/174

摘要： 【課題】分散処理の際の泡立ちを抑制しつつ、長期安定性に優れる繊維状炭素ナノ構造体分散液の効率的製造方法の提供。 【解決手段】繊維状炭素ナノ構造体と、溶媒とを含有する組成物に分散処理を施す工程を含む、繊維状炭素ナノ構造体分散液の製造方法であって、組成物中の分散剤の含有量を繊維状炭素ナノ構造体100質量部当たり0質量部以上60質量部未満とし、分散処理を、ステーター3とローター2を備えるメディアレス分散機1を用いて行い、分散処理の際のローター2の周速S(m/s)と、スリット4の幅の最小値W2(m)に対する最大値W1(m)の比Wとの積S×Wの値が、10以上200以下である製造方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018193288A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2018000453

申请日：2018-01-05

申请人： ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

发明人： 王 江濤 ,  柳 鵬 ,  姜 開利 ,  ▲ハン▼ 守善

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L35/22 ,  H01L51/00 ,  C01B32/159 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/108 ,  C01B32/16

CPC分类号： C01B32/162 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/159 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/02 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558

摘要： 【課題】カーボンナノチューブのキラリティーを制御できるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 【解決手段】基板11を提供し基板の表面に触媒層12を堆積させる第一ステップと、基板を反応炉13に設置し、反応炉を所定の温度に加熱し反応炉に炭素源ガス14及び保護ガス15を導入して基板にカーボンナノチューブアレイ16を成長させ、カーボンナノチューブアレイは複数の金属性カーボンナノチューブセグメントを含む第二ステップと、カーボンナノチューブアレイに電界を印加して電界向きは触媒層を正に帯電させる方向である第三ステップと、電界向きを反転させて金属性カーボンナノチューブセグメントから半導体性カーボンナノチューブセグメントを成長させる第四ステップとを含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018188732A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2018088687

申请日：2018-05-02

申请人： ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

发明人： 付 紅穎 ,  李 文珍

IPC分类号： B82Y30/00 ,  C01B32/168 ,  C01B32/159 ,  C22C1/08

CPC分类号： B32B15/04 ,  B32B33/00 ,  B32B2255/205 ,  B32B2260/021 ,  B32B2262/106 ,  B32B2305/026 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/302

摘要： 【課題】本発明は、三次元の多孔性複合材料を提供する。三次元の多孔性複合材料は、帯状金属及び少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造を含む。前記帯状金属の間に多孔性構造が形成され、少なくとも一つの前記カーボンナノチューブ構造が前記帯状金属の中に設置され、少なくとも一つの前記カーボンナノチューブ構造は、少なくとも一層のカーボンナノチューブフィルムを含み、少なくとも一層の前記カーボンナノチューブフィルムが複数のカーボンナノチューブを含み、複数のカーボンナノチューブは端と端が接続され、且つ同じ方向に沿って配向して配列される。 【選択図】図1