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公开(公告)号：JP2015225948A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014109814
申请日：2014-05-28
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社
Inventor： 白石 克久
CPC classification number: H01L2224/48227 , H01L2224/49175
Abstract: 【課題】セラミック基板のクラックの発生や、強度低下を防止することができるパワーモジュール用基板を提供する。 【解決手段】セラミック基板11に、銅板13を接合するパワーモジュール用基板10において、銅板13角部のアール12の中点14と中心15を結ぶ第1の直線16上に中点14から中心15までの距離より短い位置を中心15aとする第1の貫通孔17と、この直線上に中点14から中心15までの距離より長い位置を中心15bとする第2の貫通孔18と、辺部外縁と平行する第2の直線19上に、中心15bから中心15aと、中心15b間の距離と同等の位置を中心15cとする第3の貫通孔20と、一方と他方の角部に設ける第3の貫通孔20の間に中心15dとする複数個の第4の貫通孔21と、第2の直線19より中央側で平行する第3の直線22上に中心15eとする複数個の第5の貫通孔23を有する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够防止陶瓷基板破裂或不降低强度的功率模块基板。解决方案：将铜板13接合到陶瓷基板11上的功率模块基板10包括：第一 将连接中间点14至中心15的距离的位置的通孔17定义为连接铜板13的角部的半径12的中点14的第一直线16和 中心15; 第二通孔18，其中比从中点14到中心15的距离更长的位置被定义为第一直线上的中心15b; 在与第二直线19平行的位置上与侧面部分外边缘平行地将中心部分15b与中心部分15a之间以及中心部分15b之间的位置定义为中心15c的第三通孔20; 多个第四通孔21，每个第四通孔21具有中心15d并且设置在设置在一个角部和另一个角部的第三通孔20之间; 以及多个第五通孔23，每个第五通孔23具有中心15e，并且布置在第三直线22上，平行于第二直线19的中心。
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公开(公告)号：JP2015224151A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014108928
申请日：2014-05-27
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社 , 新日鐵住金株式会社
Abstract: 【課題】銅を主成分とする金属板と、アルミナを主成分とするセラミック板との接合不良を発生し難くする。 【解決手段】Cu/セラミック基板(10)は、セラミック板(12)と、金属板(14,16)と、化合物層(18,20)とを備える。セラミック板は、Al 2 O 3 を主成分とする。金属板は、Cuを主成分とする。金属板は、セラミック板の少なくとも一方の面に重ね合わされる。金属板は、セラミック板と接合される。化合物層は、セラミック板と金属板との接合界面に形成される。化合物層は、金属酸化物を含む。金属酸化物は、Alと、Al以外の金属と、Oとからなる。Al以外の金属は、酸素原子の酸化数が−2の場合、酸化数が+2以下である二元系酸化物を形成できる。二元系酸化物のバンドギャップは、Cu 2 Oのバンドギャップよりも大きい。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：在主要由铜构成的金属板和主要由铝组成的陶瓷板之间难以发生接合缺陷。解决方案：提供一种Cu /陶瓷基板（10），其包括陶瓷板 （12），金属板（14和16）以及化合物层（18和20）。 陶瓷板主要由AlO组成。 金属板主要由铜组成。 金属板层叠在陶瓷板的至少一个表面上。 金属板结合到陶瓷板上。 复合层形成在陶瓷板和金属板之间的接合界面处。 复合层含有金属氧化物。 金属氧化物由Al，Al以外的金属和O构成。当氧原子的氧化数为-2时，Al以外的金属可以形成氧化数为+2的二元氧化物。 二元氧化物的带隙大于CuO的带隙。
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公开(公告)号：JP2015088642A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013226512
申请日：2013-10-31
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社
Abstract: 【課題】差動伝送線路の位相ずれを防止すると共に特性インピーダンスの不整合をも防止して、小型化可能な光モジュールを提供することを目的とする。 【解決手段】複数の絶縁層6a〜6fが積層された多層回路基板6に、差動信号を伝送する第1の信号線と第2の信号線を備え、第1及び第2の信号線は、それぞれ複数の絶縁層間に配置された層間配線部22a,22bと、多層回路基板面に設けられた入力端子10から層間配線部の一端部までを接続する入力側ビア接続部21a,21bと、多層回路基板面に設けられた出力端子11から層間配線部の他端部までを接続する出力側ビア接続部23a,23bとを備え、第1の信号線の層間配線部と前記第2の信号線の層間配線部は、異なる絶縁層間に配置され、第1の信号線の層間配線部と第2の信号線の層間配線部の間にグランド層24bが配置されることを特徴とする。 【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种允许防止差动传输线的特性阻抗的相移和失配并且被小型化的光学模块。解决方案：差分传输线设置在多层电路板6上，多层电路板6包括多个绝缘 层6a至6f以具有发送差分信号的第一信号线和第二信号线的方式。 第一和第二信号线分别包括设置在多个绝缘层之间的层间布线部分22a和22b，从设置在多层电路板的表面上的输入端子10连接的输入侧通孔连接部分21a和21b， 层间布线部分，以及从设置在多层电路板的表面上的输出端子11连接到层间布线部分的另一端部的输出侧通孔连接部分23a和23b。 第一信号线的层间布线部分和第二信号线的层间布线部分设置在不同的绝缘层之间，并且接地层24b设置在第一信号线的层间布线部分和第一信号线的层间布线部分之间 第二信号线。
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公开(公告)号：JP2015088501A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013222982
申请日：2013-10-28
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社
Inventor： 阿野 清治
Abstract: 【課題】メタライズ膜に対する金属枠体のろう付け接合強度を向上できるメニスカス形状であって、金属枠体の角部に応力が集中したとしても、メタライズ膜の絶縁基体からの剥離を防止して、気密信頼性の高い電子部品収納用パッケージを提供する。 【解決手段】絶縁基体12、12aと、メタライズ膜14と、金属枠体15とを有し、凹部18に搭載する電子部品13を気密に封止するために、蓋体19が設けられる電子部品収納用パッケージ10、10aにおいて、メタライズ膜14には、外周側の大きさが金属枠体15の外周側の大きさより大きく、内周側の大きさが金属枠体15の内周側の大きさと略同等以下の大きさの相似形からなる帯状パターン21と、絶縁基体12、12aの上面角部の帯状パターン21の外周側に接続しながら外側に突出する金属枠体15のアールの半径より小さい半径からなる瘤状パターン23を有する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有可靠气密性的电子部件存储包装，其具有弯月面形状，其可以有助于提高金属框架与金属化膜接合的钎焊强度，并且即使应力集中在金属框架的拐角上， 防止金属化膜从绝缘基体剥离。解决方案：在具有绝缘基底12和12a的电子部件存储包装10和10a中，金属化膜14，金属框架15和用于密封地密封电子部件13的盖19 为了安装在凹部18中，金属化膜14具有类似图案的带状图案21，其外周尺寸大于金属框架15的外周尺寸，并且其内周尺寸基本上等于或小于 金属框架15的内周尺寸和半径小于金属框架15的圆形部分的半径的球状图案23，p 向外延伸，同时保持与绝缘基座12和12a的上表面角的带状图案21的外周侧的连接。
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公开(公告)号：JPWO2020115868A1
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：JP2018044942
申请日：2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGKエレクトロデバイス株式会社
IPC: H01L23/13 , C04B35/119
Abstract: セラミックス焼結体(3)において、Zrの含有量は、ZrO 2 換算で、17.5質量%以上23.5質量%以下であり、Hfの含有量は、HfO 2 換算で、0.3質量%以上0.5質量%以下であり、Alの含有量は、Al 2 O 3 換算で、74.3質量%以上80.7質量%以下であり、Yの含有量は、Y 2 O 3 換算で、0.8質量%以上1.9質量%以下であり、Mgの含有量は、MgO換算で、0.1質量%以上0.8質量%以下であり、Siの含有量は、SiO 2 換算で、0.1質量%以上1.5質量%以下であり、Caの含有量は、CaO換算で、0.03質量%以上0.35質量%以下であり、Na及びKの合計含有量は、Naの含有量をNa 2 O換算とし、Kの含有量をK 2 O換算とした場合、0.01質量%以上0.10質量%以下であり、残部の含有量は、酸化物換算で、0.05質量%以下である。MgのMgO換算の含有量、SiのSiO 2 換算の含有量、CaのCaO換算の含有量、NaのNa 2 O換算の含有量、KのK 2 O換算の含有量、及び残部の含有量の和は、0.3質量%以上2.0質量%以下である。
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公开(公告)号：JP2021086880A
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：JP2019213315
申请日：2019-11-26
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社 , 日本碍子株式会社
Abstract: 【課題】絶縁層を貫通する貫通導体部の電気抵抗を低くすることができるセラミック配線基板を提供する。 【解決手段】第1絶縁層110の第1周縁部112は第1絶縁層110の第1貫通孔部111の周りに設けられている。第1絶縁層110の第1平板部113は、第1周縁部112の周りに設けられており、第1厚みT13での平板形状を有している。第1貫通導体部310は第1貫通孔部111の中に設けられている。第1導体層210は、第1絶縁層110の第1面S1上に設けられており、第1貫通導体部310につながれている。第2導体層220は、第1絶縁層110の第2面S2上に設けられており、第1貫通導体部310につながれている。第1周縁部112は少なくとも一の断面視において、第1平板部113から第1貫通孔部111へ向かう方向において連続的に減少する厚みと、第1平板部113の第1厚みT13よりも大きい第1幅W12とを有している。 【選択図】図3
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