3端子デバイスの端子間容量測定方法及びその装置
    71.
    发明专利
    3端子デバイスの端子間容量測定方法及びその装置 审中-公开
    用于测量三端器件的互补电容的方法及其器件

    公开(公告)号:JP2015210120A

    公开(公告)日:2015-11-24

    申请号:JP2014090325

    申请日:2014-04-24

    IPC分类号: G01R27/02 G01R27/26

    CPC分类号: G01R31/2607 G01R31/2601

    摘要: 【課題】 3端子デバイスの端子間容量を、再現性良く、しかも残留インダクタンスによる影響をキャンセルして測定することができる測定装置及び測定方法を提供する。 【解決手段】 本発明による測定装置は、第1の端子と、第2の端子と、第3の端子と、第4の端子と、第5の端子と、第6の端子とを備え、前記第4〜6の端子はそれぞれ、前記第1〜3の端子のいずれかを接続することができるように構成された経路セレクタと、LCRメータと、3端子デバイスである被測定対象と、前記第1の経路セレクタの前記第4〜第6の端子と、前記被測定対象の第1、第2、第3の端子とをそれぞれ接続する第1、第2、第3のケーブルと、前記第1の経路セレクタの前記第1〜第3の端子と、前記LCRメータの第1、第2、第3の端子とをそれぞれ接続する第4、第5、第6のケーブルとを備える測定装置。 【選択図】 図1

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种测量装置和测量方法,其能够以优异的再现性测量三端子装置的串联电容,并且还能够抵消由于剩余电感引起的影响。解决方案:根据本发明的测量装置 本发明包括第一端子,第二端子,第三端子,第四端子,第五端子和第六端子。 第四至第六端子中的每一个设置有路径选择器,其被配置为能够连接第一至第三端子之一,LCR表,作为三端子装置的被测量对象,第一, 第二和第三电缆,每个连接第一路线选择器的第四至第六端子和被测量物体的第一,第二和第三端子; 以及第四,第五和第六电缆,每个连接第一路由选择器的第一至第三端子和LCR仪表的第一,第二和第三端子。

    半導体プロセスセンサおよび半導体プロセスを特徴付ける方法
    72.
    发明专利
    半導体プロセスセンサおよび半導体プロセスを特徴付ける方法 有权
    半导体工艺传感器和表征半导体工艺的方法

    公开(公告)号:JP2015195393A

    公开(公告)日:2015-11-05

    申请号:JP2015134989

    申请日:2015-07-06

    摘要: 【課題】半導体プロセスセンサおよび半導体プロセスを特徴付ける方法を提供する。 【解決手段】集積回路は、プロセスセンサと温度センサと電圧センサとを含む。プロセスセンサは、集積回路が形成される半導体プロセスを示すプロセスパラメータを検知し検知されたプロセスパラメータに基づいて上記半導体プロセスの特徴をプロセスセンサの出力に与えるように構成される。温度センサは、集積回路の温度の表示を温度センサの出力に与えるように構成され、電圧センサは、集積回路の電源電圧レベルの表示を電圧センサの出力に与えるように構成される。プロセスセンサの出力は、温度センサおよび電圧センサのうち少なくとも一方に結合されて、温度の表示および電源電圧レベルの表示のうち少なくとも一方を補償する。 【選択図】図1

    摘要翻译: 要解决的问题:提供半导体工艺传感器和表征半导体工艺的方法。解决方案:集成电路包括工艺传感器,温度传感器和电压传感器。 过程传感器被配置为感测指示形成集成电路的半导体工艺的工艺参数,并且基于所感测的工艺参数将半导体工艺的特性提供给工艺传感器的输出。 所述温度传感器被配置为向所述温度传感器的输出提供所述集成电路的温度的指示,并且所述电压传感器被配置为向所述电压的输出提供所述集成电路的电源电压电平的指示 传感器。 过程传感器的输出耦合到温度传感器和电压传感器中的至少一个,以补偿温度指示和电源电压电平指示中的至少一个。

    デバイスの集積回路を試験するためのシステム及びその使用方法
    74.
    发明专利
    デバイスの集積回路を試験するためのシステム及びその使用方法 有权
    用于测试设备的集成电路的系统及其使用方法

    公开(公告)号:JP2015053500A

    公开(公告)日:2015-03-19

    申请号:JP2014212000

    申请日:2014-10-16

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 【課題】デバイスの集積回路を試験する方法を提供する。【解決手段】空気が、流体ライン160を通じて入れられて、アクチュエータの第1及び第2の構成要素の間に形成された容積のサイズを修正し、装置に対して接触器支持構造体を移動させ、デバイス上の接点に対して接触器支持構造体上の端子を押圧する。空気は、流体ライン160の空気の圧力が所定の値に到達した時に圧力逃がし弁を通じて流体ライン160から自動的に放出される。保持具は、装置フレームに対して移動され、アクチュエータの第1及び第2の構成要素を互いに実質的に静止した関係に維持しながら端子を接点から離脱させる。接線方向の分配ボード基板に対する接触器基板の動きを制限する相補的相互係合構造を有する第1及び第2の接続部分を含む接続構成を有する。【選択図】図11

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种用于测试设备的集成电路的方法。解决方案:允许空气通过流体管线160进入,以改变在致动器的第一和第二部件之间限定的体积的尺寸,并且移动 相对于设备的接触器支撑结构,从而将接触器支撑结构上的端子按压在设备上的触点上。 当流体管线160中的空气的压力达到预定值时,空气通过压力释放阀从流体管线160自动释放。 保持器相对于装置框架移动以使端子与触点脱离,同时将致动器的第一和第二部件保持在彼此基本上静止的关系。 提供一种连接装置,其包括具有互补的相互接合结构的第一和第二连接部分,其限制接触器基板相对于分配板基板在切线方向上的移动。

    プローブ装置
    75.
    发明专利
    プローブ装置 有权
    探测器

    公开(公告)号:JP2015026765A

    公开(公告)日:2015-02-05

    申请号:JP2013156505

    申请日:2013-07-29

    摘要: 【課題】基板の両面に電極を有するパワーデバイスの電気的特性検査をウエハレベルで行うプローブ装置において、基板の裏側電極とチャックトップの載置面導体との間で接触抵抗の低減と均一化を実現する。【解決手段】このプローブ装置において、半導体ウエハWをチャックトップ12上に保持するための吸着機構は、チャックトップの載置面導体に&phgr;

    摘要翻译: 要解决的问题:为了实现减少卡盘顶部的后侧电极和配置面导体之间的接触电阻和均匀性,涉及对在包含电极的电极的电力装置进行电特性检查的探针装置 衬底在晶片级上。解决方案:在探针装置中,用于将半导体晶片W保持在卡盘顶部12上的吸入机构具有满足条件

    アクティブプローブカード
    76.
    实用新型
    アクティブプローブカード 有权
    主动探针卡

    公开(公告)号:JP3194953U

    公开(公告)日:2014-12-18

    申请号:JP2014005354

    申请日:2014-10-08

    摘要: 【課題】検査対象のデバイス(DUT)の検査帯域幅を広げることができる、アクティブプローブカードが提供される。【解決手段】検査対象のデバイス(DUT)12を検査する帯域幅を向上させることが可能なアクティブプローブカード200であって、プリント回路基板202と、前記プリント回路基板の第一の表面に固定された、前記DUTをプロービングする少なくとも1つのプローブ針106と、前記少なくとも1つのプローブ針に電気的に接続される、少なくとも1つの接続部材108と、前記プリント回路基板に形成され、少なくとも1つの接続部材に結合されている、前記DUTの入力信号又は出力信号を増幅する増幅回路20と、を有する。【選択図】図2

    摘要翻译: 甲它能够扩大检查对象设备(DUT)的检查带宽,提供了一种有源探针卡。 解决方案:将活性探针卡200能够提高检查被检查的目标设备(DUT)12,印刷电路板202的带宽被固定于所述印刷电路板的所述第一表面 并且,探测DUT的至少一个探针106,所述电连接到至少一个探针,和至少一个连接构件108中,对在印刷电路板上形成的,至少一个连接构件 它被连接到具有,一个放大器电路20,用于放大输入信号或DUT的输出信号。 .The

    基板検査装置及び基板温度調整方法
    77.
    发明专利
    基板検査装置及び基板温度調整方法 有权
    基板检查装置和基板温度调整方法

    公开(公告)号:JP2014209536A

    公开(公告)日:2014-11-06

    申请号:JP2013201289

    申请日:2013-09-27

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 【課題】基板を所望の温度に調整することができる基板検査装置を提供する。【解決手段】プローバ10は、半導体デバイスが形成されたウエハWを載置するステージ11と、載置されたウエハWの半導体デバイスの電気的特性を検査するテストヘッド14と、ステージ11の温度を調整する温度調整システム25と、ステージ11を通過する調温流路28とを備え、温度調整システム25は、高温媒体を調温流路28へ供給する高温チラー26と、低温媒体を調温流路28へ供給する低温チラー27と、調温流路28へ供給される高温媒体及び低温媒体を混合する混合バルブユニット29とを有する。【選択図】図3

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种能够将衬底的温度调节到所需温度的衬底检查装置。解决方案:探测器10包括:用于放置其中形成半导体器件的晶片W的平台11; 检查放置的晶片W的半导体器件的电特性的测试头14; 调节台11的温度的温度调节系统25; 以及通过台架11的温度调节通路28.温度调节系统25包括:向温度调节通路28供给高温介质的高温冷却器26; 低温冷却器27,其向温度调节通道28供应低温介质; 以及混合阀单元29,其将提供给温度调节通道28的高温介质和低温介质彼此混合。

    Turret handler and operation method thereof
    79.
    发明专利
    Turret handler and operation method thereof 有权
    其操作方法及操作方法

    公开(公告)号:JP2014163943A

    公开(公告)日:2014-09-08

    申请号:JP2014034199

    申请日:2014-02-25

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a turret handler and an operation method thereof.SOLUTION: A method of testing semiconductor elements in one embodiment includes the steps of: mounting a plurality of semiconductor elements on a main turret of a turret handler; carrying the plurality of semiconductor elements to a test area by using the main turret; and dividing the plurality of semiconductor elements into a first group and second group. This method further includes the steps of: testing first semiconductor elements of the first group at a first test pad by using a tester while carrying second semiconductor elements of the second group into a second test pad; and testing the second semiconductor elements by using the tester while carrying the first semiconductor elements out of the first test pad. The first group and second group are united as a plurality of semiconductor elements, and the plurality of semiconductor elements are carried out of the test area by using the main turret.

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种转塔处理器及其操作方法。一个实施例中的半导体元件的测试方法包括以下步骤:将多个半导体元件安装在转塔处理器的主转塔上; 通过使用主转塔将多个半导体元件携带到测试区域; 以及将所述多个半导体元件分成第一组和第二组。 该方法还包括以下步骤:通过使用测试仪在第一测试垫测试第一组的第一半导体元件,同时将第二组的第二半导体元件传输到第二测试垫中; 以及通过使用所述测试仪在将所述第一半导体元件从所述第一测试垫中移出的情况下测试所述第二半导体元件。 第一组和第二组被联合为多个半导体元件,并且多个半导体元件通过使用主转台被从测试区域执行。

    Probe device and wafer transfer unit
    80.
    发明专利
    Probe device and wafer transfer unit 审中-公开
    探测设备和传输单元

    公开(公告)号:JP2014135363A

    公开(公告)日:2014-07-24

    申请号:JP2013001998

    申请日:2013-01-09

    发明人: OSUGA YASUNOBU

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe device and a wafer transfer unit, capable of sucking and holding a semiconductor wafer and suppressing occurrence of a transfer error or the like even when the semiconductor wafer is warped.SOLUTION: A probe device for electrically inspecting a semiconductor device formed in a semiconductor wafer comprises: a measuring unit which brings the semiconductor device of the semiconductor wafer mounted on a mounting table into contact with a probe and electrically measures the semiconductor device; a load port on which a wafer carrier housing the semiconductor wafer is mounted; a wafer transfer mechanism including a wafer holding unit which vacuum-sucks the semiconductor wafer and capable of transferring the semiconductor wafer between the wafer carrier and the mounting table; and a gas jetting mechanism which sprays a gas onto an upper surface of the semiconductor wafer in the wafer carrier when vacuum-sucking the semiconductor wafer by the wafer holding unit.

    摘要翻译: 要解决的问题:即使当半导体晶片翘曲时,提供能够吸住和保持半导体晶片并抑制转印误差等的发生的探针装置和晶片转印单元。解决方案:用于电检查的探针装置 形成在半导体晶片中的半导体器件包括:测量单元,其使安装在安装台上的半导体晶片的半导体器件与探针接触并电测量半导体器件; 其上安装有容纳半导体晶片的晶片载体的负载端口; 晶片传送机构,其包括:晶片保持单元,其对所述半导体晶片进行真空吸附并且能够在所述晶片载体和所述安装台之间传输所述半导体晶片; 以及气体喷射机构,当通过晶片保持单元对半导体晶片进行真空吸附时,将气体喷射到晶片载体中的半导体晶片的上表面上。