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公开(公告)号:KR102233793B1
公开(公告)日:2021-03-29
申请号:KR1020150017199A
申请日:2015-02-04
申请人: 가부시키가이샤 휴모 라보라토리
发明人: 노부오 사와
CPC分类号: G01R31/2893 , G01R31/2601 , B07C5/36 , B65G47/14 , B65G47/80
摘要: 과제
미소한 칩 전자 부품의 고속으로의 검사 선별이 요구되는 칩 전자 부품 검사 선별 장치를 사용한 칩 전자 부품의 검사 선별 조작의 효율 향상의 실현이나 검사 정밀도 저하의 발생을 억제하는 개량을 제공한다.
해결 수단
기대, 기대에 회전 가능하게 축 지지된 칩 전자 부품 반송 원반, 반송 원반의 회전 경로를 따라 순서대로 형성된, 반송 원반의 투공에 칩 전자 부품을 공급 수용시키는 부품 공급 수용부, 칩 전자 부품의 전기 특성의 검사부, 그리고 검사가 완료된 칩 전자 부품의 분류부를 포함하는 칩 전자 부품 검사 선별 장치로서, 칩 전자 부품 공급 수용부의 후단 위치에서부터 검사부의 전단 위치 사이에서, 또한 반송 원반의 회전 경로를 따르는 위치에, 투공에서의 수용 상태가 정상이 아닌 칩 전자 부품을 투공으로부터 이탈시키는 칩 전자 부품 제거 수단이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.-
公开(公告)号:KR102228290B1
公开(公告)日:2021-03-17
申请号:KR1020197017621A
申请日:2017-03-09
申请人: 이스메카 세미컨덕터 홀딩 에스.아.
发明人: 데이비드 차바일라즈 , 데미엔 코스 , 마르코 오베리 , 가이 라멜 , 패트리스 쉬웬딘해머 , 필립 비베흐쥬
CPC分类号: G01R1/0466 , G01R31/2601 , G01R31/2642
摘要: 본 발명에 따르면, (a) 테스트를 위해 네스트에 위치될 트랜지스터 부품의 제 1 이미지를 캡쳐 하는 단계; (b) 상기 제 1 이미지로부터 상기 트랜지스터 부품의 소스 및 게이트의 위치를 식별하는 단계; (c) 회전식 터릿 상의 부품 핸들링 헤드를 사용하여 트랜지스터 부품을 보유하는 단계; (d) 상기 부품 핸들링 헤드가 상기 부품을 네스트 상의 한 위치로 전달할 수 있도록 정렬 장치를 사용하여 상기 부품 핸들링 헤드 상의 한 위치로 상기 트랜지스터 부품을 이동시키는 단계; (e) 네스트의 베이스 플레이트 상의 상기 복수의 전기 접촉부 모두가 상기 트랜지스터 부품의 드레인과 전기적으로 접촉하도록 상기 트랜지스터 부품을 상기 네스트에 전달하는 단계; (f) 상기 네스트 커버 플레이트를 이동시켜 상기 네스트를 덮도록 상기 베이스 플레이트 위에 놓는 단계; 및 (g) 트랜지스터 부품의 테스트를 수행하는 단계를 포함하고, 상기 커버가 상기 네스트를 닫도록 이동될 때, 네스트의 베이스 플레이트 상의 상기 복수의 전기 접촉부 모두가 상기 트랜지스터 부품의 드레인과 전기적으로 접촉할 것이고, 네스트의 커버 플레이트 상의 상기 복수의 전기 접촉부 중 일부는 상기 트랜지스터 부품의 게이트와 전기적으로 접촉할 것이며, 네스트의 커버 플레이트 상의 나머지 전기 접촉부들은 상기 트랜지스터 부품의 소스와 전기적으로 접촉할 것이고; 네스트의 커버 플레이트 상의 상기 복수의 전기 접촉부 중 일부는 상기 트랜지스터 부품의 게이트와 전기적으로 접촉할 것이며, 네스트의 커버 플레이트 상의 나머지 전기 접촉부는 트랜지스터 부품의 소스와 전기 접촉할 것인 트랜지스터 부품을 테스트하는 방법이 제공된다. 또한, 대응하는 테스트 어셈블리가 제공된다.
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公开(公告)号:KR20210028098A
公开(公告)日:2021-03-11
申请号:KR1020200105110A
申请日:2020-08-21
申请人: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人: 준 모치즈키
CPC分类号: G01R1/06733 , G01R31/2601 , G01R1/06716 , G01R1/07342 , G01R31/2863 , G01R31/2887 , G01R31/2889
摘要: [과제] 접촉 대상체에 접촉하는 접촉자를 갖는 전기적 접속 장치의 제작 코스트를 저감한다.
[해결수단] 접촉 대상체에 접촉하는 접촉자를 구비하는 전기적 접속 장치에 있어서, 상기 접촉 대상체측의 면에 오목부를 갖는 본체부와, 상기 오목부를 덮는 밀폐 공간을 형성하고, 가요성을 갖는 가요성부를 구비하고, 상기 본체부는 상기 밀폐 공간 내의 압력을 조정하기 위한 배기로 및 급기로를 갖고, 상기 접촉자는 상기 가요성부를 사이에 두고 상기 오목부와 대향하도록 마련되어 있다.-
公开(公告)号:JP2018101759A
公开(公告)日:2018-06-28
申请号:JP2016248622
申请日:2016-12-22
申请人: 三菱電機株式会社
CPC分类号: G01R31/2601 , G01R1/06716 , G01R1/06738
摘要: 【課題】半導体装置の電気的特性の評価の際、被測定物である半導体装置の一部領域に発生する放電現象を抑制し、かつ、その半導体装置の表面への異物または絶縁物の接触痕の転写を抑制する半導体装置の評価装置の提供を目的とする。 【解決手段】本発明に係る半導体装置の評価装置は、主面に半導体装置を支持可能なステージと、ステージの主面の上方に設けられる複数のプローブと、枠形状を有し、枠形状が複数のプローブを囲み、かつ、ステージの主面の上方に設けられる絶縁物と、複数のプローブとステージの主面とに接続され、ステージの主面に支持される半導体装置に複数のプローブを介して電流を注入し半導体装置の電気的特性を評価する評価部とを備える。その絶縁物は、ステージの主面側に、柔軟性を有する先端部を含む。また、その先端部は、先端部の一方の側面に、先端部が枠形状の内側または外側に変形することにより半導体装置に接触可能な接触面を含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6317562B2
公开(公告)日:2018-04-25
申请号:JP2013217536
申请日:2013-10-18
申请人: アイメック , IMEC , タイワン・セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー・リミテッド , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.
发明人: サンディープ・クマール・ゴエル , エリック・ヤン・マリニッセン
IPC分类号: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , G01R31/28
CPC分类号: G01R31/2601 , G01R31/31725 , G01R31/318513 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
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公开(公告)号:JP2018032873A
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:JP2017211502
申请日:2017-11-01
申请人: エイアー テスト システムズ
发明人: リンゼイ スコット イー , イェ ジュンジェ , ジョヴァノヴィック ジョヴァーン , マラソン シェーン ピー
IPC分类号: H01L21/66
CPC分类号: G01R1/0441 , G01R1/0416 , G01R1/0491 , G01R1/06705 , G01R1/07307 , G01R31/2601 , G01R31/2855 , G01R31/2863 , G01R31/2886 , G01R31/2887
摘要: 【課題】デバイスの集積回路を試験する方法を説明する。 【解決手段】空気が、流体ラインを通じて入れられて、アクチュエータの第1及び第2の構成要素の間に形成された容積のサイズを修正し、装置に対して接触器支持構造体を移動させ、デバイス上の接点に対して接触器支持構造体上の端子を押圧する。空気は、流体ラインの空気の圧力が所定の値に到達した時に圧力逃がし弁を通じて流体ラインから自動的に放出される。保持具は、装置フレームに対して移動され、アクチュエータの第1及び第2の構成要素を互いに実質的に静止した関係に維持しながら端子を接点から離脱させる。接線方向の分配ボード基板に対する接触器基板の動きを制限する相補的相互係合構造を有する第1及び第2の接続部分を含む接続構成を提供する。 【選択図】図49
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公开(公告)号:JP6271257B2
公开(公告)日:2018-01-31
申请号:JP2014001651
申请日:2014-01-08
申请人: 東京エレクトロン株式会社
发明人: 雨宮 貴
IPC分类号: H01L21/66
CPC分类号: G01R31/2601 , G01R31/27 , G01R31/2893
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公开(公告)号:JP2017090292A
公开(公告)日:2017-05-25
申请号:JP2015221885
申请日:2015-11-12
发明人: UEMURA TOSHIFUMI , FUKUOKA KAZUKI
CPC分类号: H03K3/011 , G01R31/2601 , H03K3/0315
摘要: 【課題】正確に劣化量を測定することができる半導体装置、劣化量判定システム、及び処理システムを提供する【解決手段】本実施形態にかかる半導体装置は、動作用オシレータ13と、リファレンス用オシレータ16と、電源電位VDDと接地電位GNDとの間で動作用オシレータ13に直列接続された動作用第1スイッチ11と、電源電位VDDと接地電位GNDとの間でリファレンス用オシレータ16に直列接続されたリファレンス用第1スイッチ14と、電源電位VDDと接地電位GNDとの間でリファレンス用オシレータ16に並列接続されたリファレンス用第2スイッチ15と、所定の測定期間における動作用オシレータ13からの出力パルス数をカウントする動作用カウンタ26と、測定期間におけるリファレンス用オシレータからの出力パルス数をカウントするリファレンス用カウンタ25と、を備えたものである。【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017503335A
公开(公告)日:2017-01-26
申请号:JP2016530244
申请日:2015-02-20
申请人: カスケード マイクロテック インコーポレイテッドCascade Microtech,Incorporated , カスケード マイクロテック インコーポレイテッドCascade Microtech,Incorporated
CPC分类号: G01R31/2601 , G01R31/2889
摘要: 電子デバイスのオンウェーハ動的検査のためのシステムおよび方法に関する。本システムは、プローブヘッドアセンブリ、プローブ側の接触構造体、チャック、およびチャック側の接触構造体を含む。プローブヘッドアセンブリは、検査対象デバイス(DUT)の第一の側に電気的に接触するように構成されたプローブを含む。プローブ側の接触構造体は、プローブ側の接触領域を含む。チャックは、DUTを含む基板を支持し、DUTの第二の側に電気的に接触するように構成された導電性の支持表面を含む。プローブヘッドアセンブリとチャックは、プローブとDUTとの間の電気的な接触を選択的に確立するために互いに対して並進移動するように構成される。チャック側の接触構造体は、導電性の支持表面と電気的に通信し、プローブ側の接触構造体に対向するチャック側の接触領域を含む。本方法は、1つ以上のシステムを作動させる方法を含む。【選択図】図8
摘要翻译: 用于电子设备的晶片上的动态研究的系统和方法。 该系统包括探针头组件,所述探测器侧的接触结构,所述卡盘和卡盘侧接触结构。 探针头组件包括构造成探测所述装置的第一侧电接触被测设备(DUT)。 探测器侧的接触结构包括探测器侧的接触区域。 卡盘支持包括DUT,包括配置导电支撑表面到所述DUT的所述第二侧电接触的基板。 探针头组件和所述卡盘被构造成相对于彼此平移,以选择性地建立所述探针和DUT之间的电接触。 卡盘侧的接触结构,导电支撑表面和电连通,包括面向探测器侧的接触结构的卡盘侧的接触面积。 该方法包括用于操作一个或多个系统的方法。 点域8
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公开(公告)号:JP6031238B2
公开(公告)日:2016-11-24
申请号:JP2012052914
申请日:2012-03-09
申请人: 東京エレクトロン株式会社
发明人: 山田 浩史
IPC分类号: H01L21/66
CPC分类号: G01R31/2601 , G01R1/44 , G01R31/2863 , G01R31/2875
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