公开(公告)号：JP2018511935A

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：JP2017544596

申请日：2016-02-25

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： シャルマ, ビジャイ バーン ,  アルネパリ, ランガ ラオ ,  ゴーラディア, プレルナ ,  フィッサー, ロバート ヤン

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32135 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6838

摘要： 本開示では、金属窒化物を、露出しているか或いは下層の誘電体もしくは金属層に関して選択的に除去する改善された方法及び装置が提供される。幾つかの実施態様では、基板上の金属窒化物層をエッチングする方法が、(a)金属窒化物層を酸化させて金属窒化物層の表面に金属酸窒化物層(MN1−xOx)を形成することであって、式中、Mはチタン又はタンタルの一方であり、xは0.05〜0.95の数であること、及び、(b)金属酸窒化物層(MN1−xOx)を処理ガスに晒すことであって、金属酸窒化物層(MN1−xOx)が処理ガスと反応して、金属窒化物層の表面から脱離する揮発性の化合物を形成すること、を含む。【選択図】図1

公开(公告)号：JP6314082B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2014255723

申请日：2014-12-18

申请人： 株式会社SCREENホールディングス

发明人： 塩田 崇二

IPC分类号： B23K26/067 ,  G02B27/28 ,  G02B27/10 ,  G02B26/08 ,  B23K26/00 ,  B23K26/36 ,  H01L21/302

公开(公告)号：JP6301796B2

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：JP2014193521

申请日：2014-09-24

申请人： 日本電子株式会社

发明人： 岡 崎 秀 則

IPC分类号： B08B7/00 ,  H01L21/302

公开(公告)号：JP2018041883A

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：JP2016176119

申请日：2016-09-09

申请人： 大陽日酸株式会社

发明人： 山口 晃 ,  有村 忠信

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/302

摘要： 【課題】炭化珪素がエッチングされることを抑えながら気相成長装置用部品の洗浄操作を確実に行うことができる気相成長装置用部品の洗浄方法を提供する。 【解決手段】炭化珪素製部品又は炭化珪素被覆部品に付着した窒化ガリウム又は窒化アルミニウムガリウムを除去する洗浄操作を行う際に、洗浄ガスとして塩素を含む洗浄ガスを使用し、部品加熱温度を、700〜800℃の範囲内の温度を設定温度として設定するとともに、前記設定温度に対する気相成長装置用部品の加熱温度変動幅を±10℃の範囲内にする。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2018503977A

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：JP2017528927

申请日：2015-11-30

申请人： ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド

发明人： アンソニー ルノー ,  クリストファー ヘイティム

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

摘要： 基板に多層構造を作るための方法は、前記基板の上に配置されるデバイス積層の上にマスクを供給するステップであって、前記デバイス積層は、第1の層のタイプ及び第2の層のタイプから成る、第1の複数の層を備える、ステップと、前記基板の平面の法線に対して第1のゼロ以外の入射角を形成して、第1のイオンを第1の方向に沿って向けるステップであって、前記法線に対して第1のゼロ以外の傾射角を形成する側壁の角度を有する第1の側壁が形成され、前記第1の側壁は、前記第1の複数の層の少なくとも一部からの、及び、前記第1の層のタイプ及び前記第2の層のタイプから成る、第2の複数の層を備える、ステップと、前記第2の複数の層を、第1の選択エッチングを用いてエッチングし、前記第1の層のタイプを、前記第2の層のタイプに対して、選択的にエッチングするステップとを含む。

公开(公告)号：JP6261974B2

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：JP2013255612

申请日：2013-12-11

申请人： クアンタム グローバル テクノロジーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー

发明人： ウェスト, ブライアン, ティー. ,  ブルックナー, カール ,  ウー, シュン ,  ヘイニー, ロバート

IPC分类号： H01L21/3065 ,  B08B7/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/302

CPC分类号： B08B7/0021 ,  B08B1/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  C23C16/4407 ,  H01J37/32862

公开(公告)号：JP2017221969A

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：JP2016121123

申请日：2016-06-17

申请人： 株式会社ブイ・テクノロジー

发明人： 梶山 康一 ,  鈴木 良和

IPC分类号： B23K26/067 ,  B23K26/064 ,  H01S3/10 ,  H01S3/00 ,  G02F1/37 ,  H01L21/302 ,  B23K26/36

摘要： 【課題】装置の小型化が可能で、メンテナンスの煩雑さを解消することができ、複数の固体レーザを用いること無く、所望の出力パワーの紫外光をワークに照射する。 【解決手段】レーザリフトオフ装置1は、単一の固体レーザ20を備えるレーザ光源部2と、レーザ光源部2から出射されるレーザ光を複数のビームに分割するビーム分割光学系3と、ビーム分割光学系3によって分割された各ビームが入射し、ビームの出力パワーを増幅する光増幅部4と、光増幅部4から出射したビームの波長変換を行う非線形波長変換部5と、非線形波長変換部5から出射したビームを線状にビーム成形してワークに照射するビーム成形部6とを備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017535953A

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：JP2017522588

申请日：2015-10-12

申请人： アイクストロン、エスイー

发明人： テオ、ケネス・ビー・ケー ,  ジョウブレイ、アレクサンダー ,  マザルー、ジャイ ,  トーマス、サイモン

IPC分类号： H01L21/302 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C23C16/01 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/168 ,  C01B32/18 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C23C16/26 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  G01N2021/8433 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/843

摘要： 本発明は、シード構造(2)の上に堆積したカーボン構造(1)をシード構造(2)から分離する方法に関する。本方法は、CVD反応炉のプロセスチャンバーの中でシード構造(2)の上に堆積されたカーボン構造(1)を準備するステップと、シード構造(2)とカーボン構造(1)とを含む基板(3)をプロセス温度に加熱するステップと、分子式AOmXn,AOmXnYpまたはAmXnを持つ少なくとも1つのエッチングガスを注入するステップとを備える。ここで、AはS,CおよびNを含む族の元素から選択される。Oは酸素である。XとYは異なるハロゲンである。m,nおよびpは0より大きな自然数である。本方法は、更に、エッチングガスでの化学反応を通してシード構造(2)をガス状の反応生成物に変換するステップと、キャリアガスの流れによってプロセスチャンバーからガス状の反応生成物を除くステップとを備える。

公开(公告)号：JP6239339B2

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：JP2013216557

申请日：2013-10-17

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： ▲高▼橋 宏幸 ,  中村 芳彦 ,  戸澤 茂樹 ,  中村 雄輔 ,  保坂 晋

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68757

公开(公告)号：JP2017199782A

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2016089146

申请日：2016-04-27

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 守谷 修司 ,  冨田 正彦

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248

摘要： 【課題】実用的な基板の温度においてシリコン系の膜のエッチングを適切に制御することができる基板処理方法を提供する。 【解決手段】エッチング装置10は、弗素ガス供給系18により、シリコン系の膜を有するウエハWを収容するチャンバ11の内部に弗素ガスを供給し、パージガス供給系20により、供給された弗素ガスを排出するためのパージガスをチャンバ11の内部に供給し、一酸化窒素ガス供給系19により、弗素ガスが排出されたチャンバ11の内部に一酸化窒素ガスを供給する。 【選択図】図2