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    電力変換装置
    82.
    发明专利
    電力変換装置 有权
    电源转换器件

    公开(公告)号：JP2015149850A

    公开(公告)日：2015-08-20

    申请号：JP2014022013

    申请日：2014-02-07

    申请人： 株式会社デンソー

    发明人： 細田 剛

    IPC分类号： H02M3/28

    CPC分类号： H02M3/33507 ,  H02M3/285 ,  H02M3/33569 ,  H02M3/33592 ,  H02M1/32 ,  Y02B70/1475

    摘要： 【課題】互いに並列接続された複数のDC/DCコンバータを備えた電力変換装置にて、可及的に簡略な回路構成により変換効率及び信頼性の向上を実現する。 【解決手段】第一のDC/DCコンバータ(21)は、スイッチング素子(321a,322a)とフリーホイールダイオード(321b,322b)との組を複数組備えることで同期整流動作及びダイオード整流動作可能に構成された回路であって第一のトランスの二次側に設けられた第一の二次側回路を備えている。第二のDC/DCコンバータ(22)は、互いに並列に設けられた一対の整流ダイオード(324,325)を備えることで常時ダイオード整流動作するように構成された回路であって第二のトランスの二次側に設けられた第二の二次側回路を備えている。また、第二のDC/DCコンバータの出力停止状態から出力動作状態への移行に先立って、第一のDC/DCコンバータをダイオード整流動作させる。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：在包括彼此并联连接的多个DC / DC转换器的电力转换装置中，通过尽可能简单的电路配置来提高转换效率和可靠性。解决方案：第一DC / DC转换器（21 ）包括设置在第一变压器的次级侧上的第一次级侧电路，其是由多组开关元件（321a，322a）和续流二极管（321b，322b）构成的电路，以实现同步整流 操作和二极管整流操作。 第二DC / DC转换器（22）包括设置在第二变压器的次级侧上的第二二次侧电路，该第二二次侧电路是由并联的并联布置的一对整流二极管（324,325）构成的电路，以执行二极管整流 随时操作。 此外，在从第二DC / DC转换器的输出停止状态转换到输出操作状态之前，由第一DC / DC转换器进行二极管整流操作。

    電力変換装置
    86.
    发明专利
    電力変換装置 审中-公开
    电源转换器件

    公开(公告)号：JP2015133886A

    公开(公告)日：2015-07-23

    申请号：JP2014120526

    申请日：2014-06-11

    申请人： 群光電能科技股▲ふん▼有限公司

    发明人： 黄 昭睿 ,  楊 祖成 ,  葉 維珊

    IPC分类号： H02M7/48 ,  H02M5/257 ,  H02M3/28

    CPC分类号： H02M1/4208 ,  H02M3/33507 ,  H02M7/48 ,  H02M7/797 ,  Y02B70/126

    摘要： 【課題】本発明は、フライバック型電力変換器の機能及び無効電力補償機能を有する電力変換装置を提供する。 【解決手段】本発明に係る電力変換装置は、変圧器、一次側スイッチ、一次側スイッチ制御ユニット、モード切換スイッチ、モード切換スイッチ制御ユニット、二次側スイッチ及び二次側スイッチ制御ユニットを含んでいる。電力変換装置が無効電力状態に入った場合、一次側スイッチ制御ユニットは一次側スイッチを切断し、二次側スイッチ制御ユニットは二次側スイッチを導通し、且つ、モード切換スイッチ制御ユニットはモード切換スイッチを切断する。 【選択図】図4

    摘要翻译： 要解决的问题：提供具有回扫功率转换器和无功补偿功能的电力转换装置。解决方案：电力转换装置包括变压器，初级侧开关，初级侧开关控制单元，模式切换开关 模式转换开关控制单元，次级侧开关和次级侧开关控制单元。 当电力转换装置进入无功状态时，初级侧开关控制单元切断一次侧开关，次级侧开关控制单元使二次侧开关导通，模式切换开关控制单元切断模式切换开关。

    半導体装置及び半導体装置の製造方法
    87.
    发明专利
    半導体装置及び半導体装置の製造方法 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：JP2015115351A

    公开(公告)日：2015-06-22

    申请号：JP2013254111

    申请日：2013-12-09

    申请人： 富士通株式会社

    发明人： 金村 雅仁

    IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H02M3/28 ,  H02M7/12 ,  H01L29/417 ,  H01L21/338

    CPC分类号： H01L29/41766 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H02M1/42 ,  H02M3/33507 ,  H03F1/3241 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181

    摘要： 【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置において、オン抵抗を低くし、高周波領域における動作を可能とする。 【解決手段】基板10の上に窒化物半導体により形成された、第1の半導体層21と、第1の半導体層21の上の第2の半導体層22と、第2の半導体層22の上の第3の半導体層と、第3の半導体層23の上に形成されたドレイン電極43とゲート電極41と、第3の半導体層23及び第2の半導体層22を除去することにより形成された開口部と、開口部に形成されたソース電極42と、を有し、ソース電極42は、第1の導電層42aと第2の導電層42bとを積層することにより形成されており、第1の導電層42aは、第1の半導体層21と接しており、第2の導電層42bは、第2の半導体層22と接しており、第1の導電層42aを形成している材料の仕事関数は、第2の導電層42bを形成している材料の仕事関数よりも小さい。 【選択図】図2

    摘要翻译： 要解决的问题：在使用氮化物半导体的半导体器件中，为了降低导通电阻并且能够在高频区域中进行工作。解决方案：一种半导体器件包括：第一半导体层21，其形成在基板10上， 氮化物半导体; 设置在第一半导体层21上的第二半导体层22; 设置在第二半导体层22上的第三半导体层; 形成在第三半导体层23上的漏电极43和栅电极41; 通过去除第三半导体层23和第二半导体层22形成的开口; 以及形成在开口中的源电极42。 源电极42通过层叠第一导电层42a和第二导电层42b而形成。 第一导电层42a与第一半导体层21接触。第二导电层42b与第二半导体层22接触。形成第一导电层42a的材料的功函数小于形成第二导电层42a的材料的功函数 导电层42b。