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公开(公告)号：JP2015524746A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2015521575
申请日：2013-07-13
Inventor： パフラ，ヴァクワフ , クルチェク，マリウシュ , スキバ，ヤツェク , ヴォイチェフオフスキ，コンラッド
CPC classification number: B21C37/045 , B21C23/002 , B21C23/007 , C21D6/004 , C21D7/10 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/50 , C22C38/58
Abstract: 少なくとも150mm2の横断表面積と1200MPaより大きい引張強度UTSとを有するロッドは、ビレット(1)の初期温度を100℃未満とした、オーステナイト鋼からなる当該ビレット(1)のワンパス静水圧押出しからなる塑性変形を用いることで生産される。当該押出しによるビレット(1)の横断表面積のリダクションRは、少なくとも2である。
Abstract translation: 具有横向表面区，达到1200MPa的拉伸强度比为至少150 mm2时，坯料（1）小于100℃，塑性变形包括由奥氏体钢的钢坯的一个通静液力挤压的的初始温度UTS更大所述杆（1） 它是通过使用产生的。 钢坯（1）通过挤出它至少为2的压下量R的横向表面积。
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公开(公告)号：JP2016505387A
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：JP2015547888
申请日：2013-12-11
Inventor： パフラ，ヴァクワフ , クルチェク，マリウシュ , ヴォイチェフオフスキ，コンラッド
CPC classification number: B21C23/001 , A61L27/06 , A61L2400/12 , B21C23/002 , B21C23/007 , B21C23/32 , B21C29/003 , B21J9/06 , C22C14/00
Abstract: 本発明は、少なくとも99wt%の純チタン含有の粗粒のチタン半製品(1)を塑性変形させることを含む。前記塑性変形では、チタン半製品の横断面積は該チタン半製品が抜き型(4)を通過するビレット(1)となる静水圧押出しによって減少される。チタンビレット(1)の横断面の減少は、ビレット(1)の初期温度が50℃を超えず押出し速度が50cm/sを超えない3回以上5回以下の連続する静水圧押出しパスによって実現される。各静水圧押出しパスの前に、チタンビレットは減摩剤で覆われる。一回目の静水圧押出しパスにおいて、チタン半製品の横断面積のリダクションは少なくとも4であり、2回目及び3回目の静水圧押出しパスにおけるそれは少なくとも2.5である。医療用チタンインプラントは少なくとも99wt%の純チタンを含む。インプラントの材料は、平均粒度が100nm未満で、降伏応力が1000MPaを超えるナノ結晶構造を有する。
Abstract translation: 本发明包括塑性变形的含粗钛纯钛的至少99重量％的坯料（1）。 其中，所述塑性变形，钛坯件的横截面面积是由静水压挤出减小到坯料（1）使钛坯料冲切（4）。 钛坯料（1）的横截面的减小是通过钢坯实现（1）初始温度静水压挤出路径挤出速度不超过50℃小于三个连续5次或更多次不超过50厘米/秒 这一点。 每个液压静力挤压路径之前，钛坯覆盖有润滑剂。 在一个圆形静水压挤出路径的，还原的钛坯料的横截面面积的至少为4，即在第二和第三静水压挤出路径为至少2.5。 含有至少99重量％纯的钛医用钛植入物。 所述植入物的材料具有小于100nm的平均粒径，具有纳米结构的屈服应力大于1000MPa的更大。
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公开(公告)号：JP4198762B2
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：JP50218799
申请日：1998-06-03
Applicant: インスティトゥト ヴィソキフ チシニエン ポルスキエイ アカデミイ ナウク
Inventor： ウゥチュニク，ボスレワフ , ヴルブレフスキ，ミロスワフ , グジェゴシ，イザベラ , クルコフスキ，スタニスワフ , ススキ，タデウシュ , ボチコフスキ，ミハウ , ポロフスキ，シルヴェステル , レシュチュンスキ，ミハウ
CPC classification number: C30B9/00 , C30B11/00 , C30B29/406 , Y10S117/907
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6212118B2
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：JP2015521575
申请日：2013-07-13
Applicant: インスティトゥト ヴィソキフ チシニエン ポルスキエイ アカデミイ ナウク
Inventor： パフラ,ヴァクワフ , クルチェク,マリウシュ , スキバ,ヤツェク , ヴォイチェフオフスキ,コンラッド
IPC: B21C23/00
CPC classification number: B21C37/045 , B21C23/002 , B21C23/007 , C21D7/10 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/50 , C22C38/58 , C21D6/004
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公开(公告)号：JP2008510298A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：JP2007525570
申请日：2005-08-09
Applicant: インスティトゥト ヴィソキフ チシニエン ポルスキエイ アカデミイ ナウク
Inventor： ヴィシニエフスキ，プシェムィスラヴ , グジェゴルィ，イザベラ , シェカチュ，マルチン , スキエルビシェフスキ，チェスワフ , ススキ，タデウシュ , フェドゥニエヴィチュ，アンナ , ペルリン，ピョトル , ボツコフスキ，ミハウ , ポロフスキ，シルヴェステル , レシュチンスキ，ミハウ
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/3063 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/02
Abstract: レーザーダイオードは結晶基板（１）を含み、その上に、一組のｎ型層、一組の光活性層（５）及び一組のｐ型層が順次結晶成長によって積層される。 一組のｎ型層は、バッファ層（２）、ボトムｎ型クラッド層（３）及びボトムｎ型導波路層（４）を少なくとも含む。 一組のｐ型層は、電子障壁層（ＥＢＬ）を含むアッパーｐ型導波路層（６）、アッパーｐ型クラッド層（７）及びｐ型コンタクト層（８）を少なくとも含む。 電子障壁層は、マグネシウムをドープした混合物Ｉｎ
x Ａｌ
y Ｇａ
1-xy Ｎ（ただし、１≧ｘ＞０．００１、１≧ｙ≧０）を含む。 本発明では、一組のｎ型層（２，３，４）、一組の光活性層（５）及び一組のｐ型層（６，７，８）を順次エピタキシャル積層し、アッパーｐ型導波路層（６）及びアッパーｐ型クラッド層（７）を、インジウムが存在する状態においてプラズマ支援分子線エピタキシー法で積層する。
【選択図】図１-
公开(公告)号：JP4184441B2
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：JP54264598
申请日：1998-03-13
Applicant: インスティトゥト ヴィソキフ チシニエン ポルスキエイ アカデミイ ナウク
Inventor： ヴァイヘル，ヤーン , グジェゴシ，イザベラ , ノヴァク，グジェゴズ , ポロフスキ，シルヴェステル
CPC classification number: C30B33/00 , C30B29/403 , C30B29/406
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公开(公告)号：JP6339588B2
公开(公告)日：2018-06-06
申请号：JP2015547888
申请日：2013-12-11
Applicant: インスティトゥト ヴィソキフ チシニエン ポルスキエイ アカデミイ ナウク
Inventor： パフラ,ヴァクワフ , クルチェク,マリウシュ , ヴォイチェフオフスキ,コンラッド
CPC classification number: B21C23/001 , A61L27/06 , A61L2400/12 , B21C23/002 , B21C23/007 , B21C23/32 , B21C29/003 , B21J9/06 , C22C14/00
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公开(公告)号：JP2009507219A
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：JP2008528978
申请日：2006-09-01
Applicant: インスティトゥト ヴィソキフ チシニエン ポルスキエイ アカデミイ ナウク
Inventor： オパリンスカ，アグニェシュカ , グリゴリエワ，ラリサ , ストレック，ヴィェスワフ , ナルキェヴィッチ，ウルシュラ , フィデルス，ヤヌシュ , ミレルス，ドナトス , ロイコフスキ，ヴィトルト
IPC: G01N21/78
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/6408
Abstract: 高温のエンジンの排ガスなどの気体中の酸素分圧を測定する方法であって、較正発光センサーを使用すること、および、前記センサー内でナノ結晶性酸化ジルコニウムＺｒＯ
２ （２）を測定する気体と接触させる工程、前記酸化ジルコニウムに光源（３）から放射される、酸化ジルコニウムの発光を誘起するのに適したUV-VIS光パルスを照射する工程、光検出器（４）および記録計（５）を使用して前記ＺｒＯ
２ の発光強度の時間依存性を記録する工程、特定の強度、例えば前記の記録された発光パルスの最大強度を測定する工程、および、測定時間におけるセンサーの温度に対する酸素分圧の関数としての、発光強度の較正データと前記測定された強度を比較する工程を含むことを特徴とする方法。
【選択図】図１
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