公开(公告)号：JP2018085468A

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：JP2016228526

申请日：2016-11-25

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 福田 和久

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/1014 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/3434

Abstract: 【課題】テーパ型導波路構造を有する半導体レーザのレーザ光の品質及び出力を向上させること。 【解決手段】導波路110は、狭幅導波路101、広幅導波路102A及び102B、テーパ導波路103A及び103Bで構成される。広幅導波路102A及び102Bの幅Wwは、狭幅導波路101の幅Wnよりも広い。テーパ導波路103A及び103Bは、それぞれ、狭幅導波路101と、広幅導波路102A及び102Bとを接続するように連続的に幅が変化する。導波路110の長さをL、導波路110の面積をSとすると、ks=S/(Wn・L)、及び、1
【選択図】図1

公开(公告)号：JP6259611B2

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：JP2013171187

申请日：2013-08-21

Applicant: パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド ,  Palo Alto Research Center Incorporated

Inventor： ジョン・イー・ノースラップ ,  ボーエン・チェン ,  クリストファー・エル・チュア ,  トーマス・ウンデラー ,  ノーブル・エム・ジョンソン ,  ヅィホン・ヤン

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/34333

公开(公告)号：JP6091531B2

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：JP2015000195

申请日：2015-01-05

Applicant: ソラア レイザー ダイオード インク

Inventor： ジェイムズ ダブリュ. レイリング ,  ポール ルディ ,  エリック ホール

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/1096 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087 ,  H01S2304/02 ,  H01S2304/04 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34326

公开(公告)号：JP5877070B2

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：JP2012004283

申请日：2012-01-12

Applicant: ウシオオプトセミコンダクター株式会社

Inventor： 萩元 将人 ,  深井 春紀 ,  清住 努 ,  佐々木 真二 ,  川中 敏

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3213 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/18 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/209 ,  H01S5/3063

公开(公告)号：JP5734098B2

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：JP2011121541

申请日：2011-05-31

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 野津 俊介

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12 ,  H01S5/3063

公开(公告)号：JP5631692B2

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：JP2010237094

申请日：2010-10-22

Applicant: ソニー株式会社 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 俊介 河野 ,  俊介 河野 ,  弘之 横山 ,  弘之 横山 ,  大 倉本 ,  大 倉本 ,  智之 大木 ,  智之 大木

IPC: H01S5/065

CPC classification number: H01S5/0657 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/141 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

公开(公告)号：JP2014527707A

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：JP2014517706

申请日：2012-06-28

Applicant: ソイテック ,  オーエムエムアイシー ,  サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ スィヤンティフィック(セーエヌエルエス)Centre National De La Recherche Scientifique(Cnrs) ,  サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ スィヤンティフィック(セーエヌエルエス)Centre National De La Recherche Scientifique(Cnrs)

Inventor： シェンク デイビッド ,  シェンク デイビッド ,  ババール アレクシス ,  ババール アレクシス ,  コルディエ イヴォン ,  コルディエ イヴォン ,  フレシネ エリック ,  フレシネ エリック ,  ケナール マーク ,  ケナール マーク ,  ロンディ ダニエル ,  ロンディ ダニエル

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本発明は、GaNの単結晶層(3;3’、3”)を、熱膨張係数がGaNの熱膨張係数未満の基板(1)上に、エピタキシーを用いて形成するための方法であって、下記のステップ:(b)エピタキシャル温度で緩和したGaNの層(3a)を3次元エピタキシャル成長させるステップと、(c1)BwAlxGayInzNの中間層(4a)を成長させるステップ、(c2)BwAlxGayInzNの層(3b)を成長させるステップ、(c3)BwAlxGayInzNの中間層(4b)を成長させるステップであって、形成された層(3b、4a、4b)の少なくとも1つがアルミニウムおよびガリウムを含む少なくとも3元III−N合金であるステップ(c1)から(c3)と、(d)前記GaNの層(3;3’、3”)を成長させるステップとを含む方法に関する。

Abstract translation: 本发明是GaN的单晶层;在所述（3 3”，3“），在所述基板的热膨胀系数小于GaN的热膨胀系数（1），用于通过使用外延形成方法 下列步骤：（b）该GaN的步骤是松弛外延温度层（3a）中是三维外延生长，生长BwAlxGayInzN（4a）中，（C2）BwAlxGayInzN层（3b的（C1）的中间层 ）生长，（C3）BwAlxGayInzN的中间层（生长4b）中，所形成的层（图3b，4a的步骤中，至少三元III-N的至少一个包括铝和镓4B） 从步骤（c1）和（C3），（d）中的合金，所述的GaN层;方法包括生长（3 3”，3“）的步骤。

公开(公告)号：JP5351290B2

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：JP2012000760

申请日：2012-01-05

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  ソニー株式会社

Inventor： 孝史 京野 ,  陽平 塩谷 ,  隆道 住友 ,  祐介 善積 ,  昌紀 上野 ,  克典 簗嶋 ,  邦彦 田才 ,  中島　　博

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: A nitride semiconductor laser comprises a conductive support base having a primary surface of gallium nitride based semiconductor, an active layer on the primary surface, and a p-type cladding region on the primary surface. The primary surface is tilted to a reference plane perpendicular to a reference axis extending in the c-axis direction of the gallium nitride based semiconductor. The p-type cladding region comprises a first p-type group III nitride semiconductor layer of an AlGaN layer anisotropically-strained, and a second p-type group III nitride semiconductor layer of material different from the AlGaN layer. The first p-type group III nitride semiconductor layer is provided between the second p-type group III nitride semiconductor layer and the active layer. The AlGaN layer has the largest bandgap in the p-type cladding region. The second p-type group III nitride semiconductor layer has a resistivity lower than the first p-type group III nitride semiconductor layer.

公开(公告)号：JP5349737B2

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：JP2006050827

申请日：2006-02-27

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 聡 駒田 ,  麻祐子 筆田

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: A method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device having high light emission output and allowing decrease in forward voltage (Vf) is provided. The invention is directed to a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device including at least an n-type nitride semiconductor, a p-type nitride semiconductor and an active layer formed between the n-type nitride semiconductor and the p-type nitride semiconductor, wherein the n-type nitride semiconductor includes at least an n-type contact layer and an n-side GaN layer, the n-side GaN layer consists of a single or a plurality of undoped and/or n-type layers, and the method includes the step of forming the n-side GaN layer by organic metal vapor deposition using a nitrogen-containing gas as a carrier gas, such that the n-side GaN layer is formed between the n-type contact layer and the active layer.

公开(公告)号：JP5319623B2

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：JP2010177687

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 真司 斎藤 ,  鐘日 黄 ,  真也 布上

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: A semiconductor light emitting device of one embodiment includes: a substrate; an n-type layer of an n-type nitride semiconductor on the substrate; an active layer of a nitride semiconductor on the n-type semiconductor layer; a p-type layer of a p-type nitride semiconductor on the active layer. The p-type layer has a ridge stripe shape. The device has an end-face layer of a nitride semiconductor formed on an end face of the n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer. The end face is perpendicular to an extension direction of the ridge stripe shape. The end-face layer has band gap wider than the active layer. The end-face layer has Mg concentration in the range of 5E16 atoms/cm3 to 5E17 atoms/cm3 at a region adjacent to the p-type layer.