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    Nonvolatile memory device
    3.
    发明专利
    Nonvolatile memory device 审中-公开
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：JP2012048805A

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：JP2011121699

    申请日：2011-05-31

    申请人： Hynix Semiconductor Inc ,  株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.

    发明人： YOON JEONG-HYEOK ,  KIM DONG-KEUN

    IPC分类号： G11C13/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C8/12 ,  G11C13/0026

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a leakage current by floating a leakage current path when turning off a column switch.SOLUTION: This nonvolatile memory device includes a cell array 100 for performing a data reading or writing operation, a local column switch LYSW for selectively connecting a bit line BL of the cell array and a global bit line in accordance with a column selection signal, a global column switch GYSW for selectively connecting the global bit line and a sense amplifier SA in accordance with an enable signal EN, and a switching part 200 for selectively connecting or disconnecting a current path of the global column switch in accordance with a control signal CTR corresponding to a bank active operation.

    摘要翻译： 要解决的问题：为了在关闭列开关时防止泄漏电流通过浮动泄漏电流路径。 解决方案：该非易失性存储器件包括用于执行数据读取或写入操作的单元阵列100，根据列选择选择性地连接单元阵列的位线BL和全局位线的本地列开关LYSW 信号，用于根据使能信号EN选择性地连接全局位线和读出放大器SA的全局列开关GYSW，以及根据控制器选择性地连接或断开全局列开关的电流路径的开关部件200 对应于银行活动操作的信号CTR。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

    Column circuit and pixel binning circuit for image sensor
    5.
    发明专利
    Column circuit and pixel binning circuit for image sensor 有权
    图像传感器的电路和像素点阵电路

    公开(公告)号：JP2012019516A

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：JP2011148103

    申请日：2011-07-04

    申请人： Hynix Semiconductor Inc ,  株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.

    发明人： YU SHI-WOOK

    IPC分类号： H04N5/378 ,  H01L27/146 ,  H04N5/347

    CPC分类号： H04N5/347 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/3742

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a column circuit and a binning circuit for an image sensor that may perform a binning function regardless of a pixel structure and that can serve as an existing column read circuit and a binning circuit.SOLUTION: The present invention comprises: a first column read circuit configured to read data of a first column line and include a fist power source and a first capacitor; and a second column read circuit configured to read data of a second column line and include a second power source and a second capacitor. During a binning mode, data from two or more pixels are output through the first column line and stored in the first capacitor in a first phase, data from two or more pixels are output through the second column line and stored in the second capacitor in a second phase, and charges are shared between the first capacitor and the second capacitor in a third phase.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于图像传感器的列电路和组合电路，其可以执行组合功能而不管像素结构如何，并且可以用作现有的列读取电路和组合电路。 解决方案：本发明包括：第一列读取电路，被配置为读取第一列线的数据，并且包括第一电源和第一电容器; 以及第二列读取电路，被配置为读取第二列线的数据，并且包括第二电源和第二电容器。 在合并模式期间，来自两个或更多个像素的数据通过第一列线输出并以第一相存储在第一电容器中，来自两个或更多个像素的数据通过第二列线输出并存储在第二电容器中 在第三相中，电荷在第一电容器和第二电容器之间共享。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT