公开(公告)号：JP6417051B2

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：JP2017542554

申请日：2015-09-29

申请人： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC

发明人： 中谷 公彦

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76876 ,  C23C16/045 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/285

公开(公告)号：JP6324800B2

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：JP2014095887

申请日：2014-05-07

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 石坂 忠大

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C23C16/46

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/06 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP6273257B2

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：JP2015503547

申请日：2013-03-27

申请人： ノベラス・システムズ・インコーポレーテッド ,  NOVELLUS SYSTEMS INCORPORATED

发明人： チャンドラシェカー・アナンド ,  ジェン・エスター ,  フマユン・ラシーナ ,  ダネク・ミハル ,  ガオ・ジュウェン ,  ワン・ドーチィ

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/10 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76879 ,  C23C16/045 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10891

公开(公告)号：JP6268008B2

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2014053934

申请日：2014-03-17

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 石坂 忠大 ,  佐久間 隆 ,  横山 敦 ,  松本 賢治 ,  常 鵬 ,  永井 洋之

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/40 ,  C23C16/16 ,  C23C14/14 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2017527117A

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：JP2017510542

申请日：2014-08-27

申请人： ウルトラテック インク ,  ウルトラテック インク

发明人： ソーワ マーク ,  ソーワ マーク

IPC分类号： H01L21/768 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/54 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238

摘要： 貫通ビアホールが、ALD処理及びPEALD処理を用いて、金属被覆のために製造される。各ビアは、20Å〜200Åの範囲の厚みを有する窒化チタン障壁層でコーティングされる。ルテニウムシール層が、酸素を伴うことなく、窒化チタン障壁層上に形成されることで、窒化チタン障壁層の酸化が防止される。ルテニウム核形成層は、Ru核形成層を施す間に炭素を酸化させるために、酸素を伴ってシール層上に形成される。該シール層は、酸素の代わりにプラズマ励起窒素ラジカルを用いてPEALD法によって形成される。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016186969A

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：JP2015065955

申请日：2015-03-27

申请人： 株式会社日立国際電気

发明人： 小川 有人

IPC分类号： C23C16/455 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76843

摘要： 【課題】薄膜化に伴う金属膜の抵抗率の上昇を抑制することができる技術を提供する。 【解決手段】半導体装置の製造方法であって、基板に対して、金属元素を含む有機系金属含有ガスを供給し排気する工程と、基板に対して、金属元素を含む無機系金属含有ガスを供給し排気する工程と、を時分割して所定回数行うことにより基板上にシード層を形成する工程と、シード層が露出した基板に対して、無機系金属含有ガスを供給し排気する工程と、基板に対して、窒素含有ガスを供給し排気する工程と、を時分割して所定回数行うことにより、シード層上に金属含有窒化膜を形成する工程と、を有する。 【選択図】図4

摘要翻译： 要解决的问题：提供能够抑制与薄膜变薄相关的金属膜的电阻率增加的技术。解决方案：半导体器件制造方法包括：通过执行预定时间在衬底上形成种子层的步骤 以分时的方式，将含有金属元素的含有机金属的气体供给到基板并排出含有机金属的气体的步骤，以及将含有金属元素的含无机金属的气体供给到 底物并排出含无机金属的气体; 以及通过以分时方式进行预定次数在种子层上形成含金属的氮化物膜的步骤，向种子层暴露的基板供给含无机金属的气体的步骤， 含金属的气体，以及将含氮气体供给到基板并排出含氮气体的步骤。图4：

公开(公告)号：JP6013901B2

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：JP2012277925

申请日：2012-12-20

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 石坂 忠大 ,  長谷川 敏夫

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C16/34 ,  C23C14/14 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H05K3/107 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1338 ,  H05K2203/1476 ,  H05K3/146 ,  H05K3/388 ,  H05K3/465

公开(公告)号：JP5851369B2

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：JP2012198266

申请日：2012-09-10

申请人： 株式会社東芝

发明人： 和田 真 ,  梶田 明広 ,  磯林 厚伸 ,  斎藤 達朗

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C01B31/02 ,  H01L23/522 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/544 ,  B82Y40/00 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP5801221B2

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：JP2012036377

申请日：2012-02-22

申请人： 株式会社東芝

发明人： 北村 政幸 ,  坂田 敦子 ,  和田 真 ,  山崎 雄一 ,  片桐 雅之 ,  梶田 明広 ,  酒井 忠司 ,  佐久間 尚志 ,  水島 一郎

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C23C16/26 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2015144184A

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：JP2014016841

申请日：2014-01-31

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 大森 和幸 ,  村中 誠志 ,  前川 和義

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  C23C14/06 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002

摘要： 【課題】半導体装置の性能を向上する。 【解決手段】実施の形態では、例えば、成膜時間を4.6秒から6.9秒に長くしている。言い換えれば、実施の形態では、成膜時間を長くして、窒化タンタル膜の膜厚を厚くしている。具体的に、実施の形態では、幅広配線と接続される接続孔の底部に形成される窒化タンタル膜の膜厚が5nm以上10nm以下の範囲内となるように成膜時間を長くしている。 【選択図】図17

摘要翻译： 要解决的问题：提高半导体器件的性能。解决方案：例如，沉积时间从4.6秒变长到6.9秒。 换句话说，使沉积时间更长，并且使氮化钽膜变厚。 具体地说，沉积时间使得形成在与宽布线连接的连接孔的底部上的氮化钽膜的厚度在5nm以上至10nm以下的范围内。