公开(公告)号：JP4418534B2

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：JP51064797

申请日：1996-08-28

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

发明人： エリック アスカリアン ,  デイヴィッド グローケル ,  ケネス コリンズ ,  ジョシュア ツイ ,  ジョーン トロウ ,  レイモンド ヒュング ,  ダグラス ブクバーガー ,  マイケル ライス

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  A21D2/18 ,  A23G3/34 ,  A23G9/52 ,  A23L1/0524 ,  A23L1/0526 ,  A23L1/0532 ,  A23L1/054 ,  A23L1/187 ,  A23L1/214 ,  A23L1/236 ,  A23L1/308 ,  A23L2/60 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01J37/32458 ,  A21D2/185 ,  A23G3/346 ,  A23G9/52 ,  A23G2200/06 ,  A23L2/60 ,  A23L9/12 ,  A23L19/115 ,  A23L27/30 ,  A23L27/32 ,  A23L29/231 ,  A23L29/238 ,  A23L29/256 ,  A23L29/27 ,  A23L33/21 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/6831

摘要： The invention is embodied by a plasma reactor for processing a workpiece, including a reactor enclosure defining a processing chamber, a semiconductor window, a base within the chamber for supporting the workpiece during processing thereof, a gas inlet system for admitting a plasma precursor gas into the chamber, and an inductive antenna adjacent a side of the semiconductor window opposite the base for coupling power into the interior of the chamber through the semiconductor window electrode.