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公开(公告)号：JP6487500B2
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：JP2017127376
申请日：2017-06-29
发明人： ラヴェン, ヨハネス ゲオルク , マウダー, アントン , ラップ, ローラント , シュルツェ, ハンス−ヨアヒム , シュスターレダー, ヴェルナー
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/41 , H01L21/3065 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP2019009428A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2018100178
申请日：2018-05-25
发明人： ビーナ, マルクス , ダイネーゼ, マッテオ , ディルンストーフェル, インゴ , グリーブル, エーリヒ , イエーガー, クリスティアン , ラヴェン, ヨハネス ゲオルク , レーンデルツ, カスパー , フィルシュ, フランク ディーター , フィリッポウ, アレクサンダー
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： 【課題】DV/DT可制御性およびクロストレンチ機構を有するパワー半導体デバイスを提供する。 【解決手段】複数のトレンチのトレンチ電極は、制御端子に電気接続されている第1の種類のトレンチ14及び制御端子の電位と異なる電位に電気接続されているか若くは電気的に浮遊している、第2の種類のトレンチ16を含む。複数のメサは、活性領域内の第1の負荷端子に電気接続されており、負荷電流を導通するように構成された少なくとも1つの第1の種類のメサ17及び負荷電流を導通しないように構成された少なくとも1つの第2の種類のメサ18を含む。少なくとも1つの第2の種類のメサのうちの1つの内部に配置されており、少なくとも1つの第2の種類のメサを、活性領域内の半導体本体により形成された第1の区分及び終端領域内の半導体本体により形成された第2の区分に分離する切り離し構造を備える。 【選択図】図5B
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公开(公告)号：JP2015216371A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2015093812
申请日：2015-05-01
发明人： シュルツェ, ハンス−ヨアヒム , ラヴェン, ヨハネス ゲオルク
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/265 , H01L21/22 , H01L21/20 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/225 , H01L21/266 , H01L27/04 , H01L29/36 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L29/861
摘要： 【課題】 半導体デバイスを形成するための方法および半導体デバイスを提供する。 【解決手段】 半導体デバイスを形成するための方法(100)が、半導体基板上にエピタキシャル層を堆積させるステップ(110)と、半導体基板からエピタキシャル層の一部分まで酸素を拡散させることによって、エピタキシャル層内に酸素拡散領域を形成するステップ(120)と、400℃〜480℃の間の温度で15分間を超えて、エピタキシャル層の少なくとも酸素拡散領域において焼戻し処理するステップ(130)とを含む。 【選択図】 図1
摘要翻译： 本发明提供一种形成半导体器件和半导体器件的方法。一种形成半导体器件（100）的方法，包括在半导体衬底（110）上沉积外延层，形成氧扩散区 通过从半导体衬底的氧扩散到外延层（120）的一部分中的外延层内，并且在400℃和480℃之间的温度下至少回火外延层的氧扩散区超过15分钟 （130）。
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公开(公告)号：JP6580545B2
公开(公告)日：2019-09-25
申请号：JP2016207173
申请日：2016-10-21
发明人： バスラー, トーマス , バブルスケ, ローマン , ラヴェン, ヨハネス ゲオルク
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/47 , H02M1/08 , H03K17/08 , H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/695 , H03K17/0814
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公开(公告)号：JP6133373B2
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：JP2015195649
申请日：2015-10-01
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号： H01L22/32 , H01L29/0653 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L29/7827
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公开(公告)号：JP6080938B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2015249516
申请日：2015-12-22
发明人： ラヴェン, ヨハネス ゲオルク , バブルスキ, ローマン , ダイネーゼ, マッテオ , イエーガー, クリスティアン
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/7397 , H01L29/8613 , H01L27/0825 , H01L27/0883 , H01L29/0619 , H01L29/36
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公开(公告)号：JP2016105460A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2015195649
申请日：2015-10-01
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号： H01L22/32 , H01L29/0653 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L29/7827
摘要： 【課題】活性領域にセンサ電位を備えた半導体デバイスを提供する。 【解決手段】半導体デバイス1は半導体ボディ領域12及び表面領域11を含み、半導体ボディ領域が、第1の導電型の電荷キャリアを含む第1の半導体領域121と、第2の導電型の電荷キャリアを含む第2の半導体領域122とを含む。半導体デバイスは、第1の負荷接点構造13と、半導体ボディ領域の中に延び、センサ電極141及び第1の誘電体142を含む、第1の誘電体が、センサ電極を第2の半導体領域から電気的に絶縁する第1のトレンチ14と、センサ電極を第1の半導体領域に電気的に接続する導電経路16と、第1の半導体領域が、少なくとも第1の半導体経路によって、第1の負荷接点構造に電気的に接続されている第1の半導体経路15と、表面領域に含まれ、センサ電極の電位を受けるように配置されているセンサ接点構造27と、を更に含む。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供在有源区域中配备有传感器电位的半导体器件。解决方案：半导体器件1包括半导体本体区域12和表面区域11.半导体本体区域包括第一半导体区域121，其包括 第一导电型电荷载体，以及包括第二导电型电荷载体的第二半导体区域122。 半导体器件还包括：第一负载接触结构13; 第一沟槽14，其包括传感器电极141和第一电介质体142，并且其中第一电介质体使传感器电极与第二半导体区域电绝缘; 将传感器电极电连接到第一半导体区域的导电通路16; 至少第一半导体路径将第一半导体区域与第一负载接触结构电连接的第一半导体路径15; 以及包括在表面区域中的传感器接触结构27，并且设置成接收传感器电极的电荷。图1：
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公开(公告)号：JP2021082829A
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2021016333
申请日：2021-02-04
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 【課題】 半導体装置を形成する方法および半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置を形成する方法は半導体基板内に規定ドーズ量の陽子を注入する工程と規定温度プロフィルに従って半導体基板を焼き戻しする工程とを含む。規定ドーズ量の陽子と規定温度プロフィルのうちの少なくとも1つは半導体基板の少なくとも一部分内の炭素濃度に関する情報を示す炭素関連パラメータに依存して選択される。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6698746B2
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：JP2018108490
申请日：2018-06-06
发明人： ラヴェン, ヨハネス ゲオルク , バブルスケ, ローマン , バスラー, トーマス , ブラント, フィリップ クリストフ , コトロゲア, マリア
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/12 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/78
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公开(公告)号：JP6679637B2
公开(公告)日：2020-04-15
申请号：JP2018046283
申请日：2018-03-14
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L21/8248 , H02M3/28 , H02M3/155 , H01L29/12
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