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公开(公告)号：JP6156833B2
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2012226469
申请日：2012-10-12
Applicant: エア・ウォーター株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
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公开(公告)号：JP2018189322A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2017093072
申请日：2017-05-09
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Abstract: 【課題】従来の冷凍機を使用した超電導ケーブル用冷却装置を上回るエネルギー消費効率を達成すると共に、大気への放散による冷媒消費の低減を可能とする超電導ケーブル用冷却装置及びそれを用いた超電導ケーブルの冷却方法を提供する。 【解決手段】超電導ケーブル用冷却装置1は超電導ケーブル冷却ユニット10と、第1供給ユニット20と、供給ユニット30と、を少なくとも備え、第1供給ユニット20は、液体状態の前記第1冷媒を貯留する第1冷媒貯槽23と、超電導ケーブル冷却ユニット10から排出される気体状態の当該第1冷媒を圧縮させる圧縮機26と、当該気体状態の第1冷媒を熱交換により、冷却して液化させる第1熱交換器27と、前記第1冷媒貯槽23、前記圧縮機26及び前記第1熱交換器27を接続し、かつ前記第1冷媒を循環させる第1冷媒循環路21と、を主として備える。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP6052570B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2012041178
申请日：2012-02-28
Applicant: エア・ウォーター株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: H01L21/20
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公开(公告)号：JP6592524B2
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2017546541
申请日：2016-10-17
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , C23C16/34
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公开(公告)号：JP2016167517A
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：JP2015046375
申请日：2015-03-09
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
CPC classification number: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 【課題】耐圧および結晶の品質を向上することのできる化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板は、Si(ケイ素)基板1と、Si基板1の表面に形成されたSiC(炭化ケイ素)層2と、SiC層2の表面に形成されたAlN(窒化アルミニウム)層3と、AlN層3の表面に形成された複合層6a、6b、および6cと、複合層6cの表面に形成されたGaN(窒化ガリウム)層7とを備えている。複合層6a、6b、および6cの各々は、AlN(窒化アルミニウム)層4a、4b、または4cと、AlN層4a、4b、または4cの表面に形成されたGaN層5a、5b、または5cとを含んでいる。少なくとも1つの複合層6a、6b、および6cにおいて、GaN層5a、5b、または5cの層中のCおよびFeの平均濃度は、AlN層4a、4b、または4cの層中のCおよびFeの平均濃度よりも高い。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够提高耐电压和晶体质量的化合物半导体衬底。解决方案：化合物半导体衬底包括：Si（硅）衬底1; 形成在Si衬底1的表面上的SiC（碳化硅）层2; 形成在SiC层2的表面上的AlN（氮化铝）层3; 形成在AlN层3的表面上的复合层6a，6b和6c; 和在复合层6c的表面上的GaN（氮化镓）层7。 复合层6a，6b和6c分别包括在AlN层4a，4b和4c的表面上形成的AlN（氮化铝）层4a，4b和4c以及GaN层5a，5b和5c。 至少在复合层6a，6b和6c中的一个中，GaN层5a，5b或5c中的C和Fe的平均密度分别高于AlN层4a，4b或4c中的C和Fe的平均密度。 选择图：图1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2020055700A
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：JP2018185227
申请日：2018-09-28
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Abstract: 【課題】一酸化炭素ガスの収率を向上させることが可能な一酸化炭素ガスの製造装置および一酸化炭素ガスの製造方法を提供すること。 【解決手段】原料ガスから改質ガスを得るための改質器30と、第1混合ガスを加圧する第1加圧手段40と、第1混合ガス中の炭酸ガスを吸着除去して第1精製ガスを得る第1分離装置50と、第1リサイクルガスを第1分離装置50から導出し、第1混合ガスを得る第1リサイクルガス配管41と、第2混合ガス中の少なくとも一酸化炭素ガスを吸着する第2分離装置70と、第2リサイクルガスを第2分離装置70から導出する第2リサイクルガス導出配管61と、第2リサイクルガスを加圧するための第2加圧手段60と、第2混合ガスを得るための第2リサイクルガス導入配管62と、第2分離装置70に吸着された一酸化炭素ガスを導出するための一酸化炭素ガス導出配管64と、を備える一酸化炭素ガスの製造装置が提供される。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2017069087A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2016080702
申请日：2016-10-17
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/338
CPC classification number: H01L21/02447 , C23C16/34 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66431 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L33/32
Abstract: 所望の品質を有する化合物半導体基板を提供する。 化合物半導体基板は、SiC(炭化ケイ素)層と、SiC層上に形成されたAlN(窒化アルミニウム)バッファー層と、AlNバッファー層上に形成された、Al(アルミニウム)窒化物半導体層と、Al窒化物半導体層上に形成された第1のGaN(窒化ガリウム)層と、第1のGaN層に接触して第1のGaN層上に形成された第1のAlN中間層と、第1のAlN中間層に接触して第1のAlN中間層上に形成された第2のGaN層とを備えている。
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公开(公告)号：JP6266490B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014224076
申请日：2014-11-04
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/47 , H01L21/205 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/267 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/66212 , H01L29/872
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公开(公告)号：JP2019173865A
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：JP2018062381
申请日：2018-03-28
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Abstract: 【課題】ヘリウム以外のガスや冷凍機を使用しない液体ヘリウムの充填方法を提供する。 【解決手段】コンテナ1から第1容器10に液体ヘリウムを供給して上記第1容器10に液体ヘリウムを充填するあいだ、上記第1容器10から出てくるボイルオフガスを第2容器20に供給して上記第2容器20を第1予冷する第1予冷工程と、 上記第1予冷工程による上記第2容器20の上記第1予冷が終了したのちに、上記コンテナ1から上記第2容器20に液体ヘリウムを供給して上記第2容器20を液体ヘリウムにより第2予冷する第2予冷工程と、 上記第2予冷工程による上記第2容器20の上記第2予冷が終了したのちに、上記コンテナ1から上記第2容器20に液体ヘリウムを供給して上記第2容器20に液体ヘリウムを充填する充填工程とを行う。 液体ヘリウムの純度を下げず、充填コストを節減できる。 【選択図】図1
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