公开(公告)号：JP6409632B2

公开(公告)日：2018-10-24

申请号：JP2015050916

申请日：2015-03-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 兼子 俊彦 ,  藤野 辰哉 ,  吉田 武尊 ,  海老名 陽輝 ,  森ケ▲崎▼ 信人

IPC: H01G4/30 ,  C04B35/468

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/488 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/68 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30

公开(公告)号：JP6398771B2

公开(公告)日：2018-10-03

申请号：JP2015026222

申请日：2015-02-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐屋 裕子 ,  政井 琢 ,  古川 正仁 ,  南風盛 将光

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/319 ,  C04B35/475 ,  C01G29/00 ,  C01G51/00 ,  C23C14/08 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/1878 ,  B32B18/00 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  C23C14/08 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/083

公开(公告)号：JP6383382B2

公开(公告)日：2018-08-29

申请号：JP2016114285

申请日：2016-06-08

Applicant: コンポーネント リ−エンジニアリング カンパニー インコーポレイテッド

Inventor： エリオット アルフレッド グラント ,  エリオット ブレント ドナルド アルフレッド ,  バルマ フランク ,  シュスター リチャード エーリヒ ,  レックス デニス ジョージ ,  ヴェイトサー アレクサンダー

IPC: H01L21/683 ,  C04B37/00

CPC classification number: C04B37/006 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  B23K1/20 ,  B23K35/005 ,  B23K35/286 ,  B23K2103/10 ,  B32B3/30 ,  B32B7/14 ,  B32B9/005 ,  B32B9/04 ,  B32B9/041 ,  B32B15/20 ,  B32B18/00 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/945 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/61 ,  C04B2237/64 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/76 ,  C04B2237/765 ,  C04B2237/80 ,  C04B2237/84 ,  F16B9/00 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  Y10T403/46 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

公开(公告)号：JP2018117126A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2018007496

申请日：2018-01-19

Applicant: 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 郭 燦 ,  金 玄 植 ,  盧 鍾 旭 ,  文 庚 ▲せき▼ ,  朴 賢 哲 ,  孫 崙 ▲てつ▼ ,  梁 大 珍 ,  丁 度 源 ,  ▲そう▼ 永 眞

IPC: H01C7/02 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01C7/10

CPC classification number: H01G4/30 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62815 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  H01C7/008 ,  H01C7/1006 ,  H01C7/18 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/14 ,  H01G4/232 ,  H01G4/248

Abstract: 【課題】誘電複合体と、これを含む積層型キャパシタと電子素子に関する。 【解決手段】半導性、又は伝導性を有する素材からなる複数の結晶粒と、結晶粒の境界を囲んでいる粒界絶縁層を含み、粒界絶縁層は、結晶粒の表面の少なくとも一部を覆っている2次元層状素材を含む誘電複合体と、これを含む積層型キャパシタ及び電子素子が提供される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017228737A

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：JP2016125825

申请日：2016-06-24

Applicant: 太陽誘電株式会社

Inventor： 川村 知栄 ,  広井 一路 ,  服部 修

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/30 ,  B32B18/00 ,  C01G23/006 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62685 ,  H01G4/1218 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/88 ,  C01P2006/12 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/663 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68

Abstract: 【課題】誘電体層の寿命特性を向上させつつリーク電流を抑制することができる積層セラミックコンデンサ、セラミック粉末およびそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】積層セラミックコンデンサ10は、セラミック誘電体層11と内部電極層12とが交互に積層される。セラミック誘電体層は、Tiよりも価数の大きいドナー元素およびTiよりも価数が小さくTiおよびドナー元素よりもイオン半径が大きいアクセプタ元素を固溶するチタン酸バリウムを主成分とする。チタン酸バリウムに対するドナー元素の固溶量は、チタン酸バリウムを100molとした場合にドナー元素を酸化物で換算して0.05mol以上0.3mol以下であり、チタン酸バリウムに対するアクセプタ元素の固溶量は、チタン酸バリウムを100molとした場合にアクセプタ元素を酸化物で換算して0.02mol以上0.2mol以下である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2016072427A1

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：JP2016557779

申请日：2015-11-04

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 岡田　佳子 ,  佳子 岡田

IPC: H01F17/00 ,  C01G49/00 ,  C04B35/30 ,  H01F1/34 ,  H01F1/375 ,  H01F27/29

CPC classification number: H01F1/34 ,  B32B18/00 ,  C04B35/26 ,  C04B35/265 ,  C04B35/2658 ,  C04B35/2666 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3265 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3282 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  H01F1/344 ,  H01F3/14 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/245 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/292 ,  H01F2027/2809

Abstract: 本発明は、フェライト材料から構成される磁性体部と、非磁性フェライト材料から構成される非磁性体部と、それらの内部に埋設されたコイル状の導体部を有する積層コイル部品であって、前記非磁性体部が、Fe2O3に換算したFe含有量、ZnOに換算したZn含有量、およびV2O5に換算したV含有量、ならびに存在する場合、CuOに換算したCu含有量およびMn2O3に換算したMn含有量の合計に対して、Feの含有量が、Fe2O3に換算して、36.0〜48.5mol%であり、Znの含有量が、ZnOに換算して、46.0〜57.5mol%であり、Vの含有量が、V2O5に換算して、0.5〜5.0mol%であり、Mnの含有量が、Mn2O3に換算して、0〜7.5mol%であり、Cuの含有量が、CuOに換算して、0〜5.0mol%であることを特徴とする積層コイル部品を提供する。本発明の積層コイル部品は、低酸素分圧下で焼成した場合であっても、比抵抗が高い。

公开(公告)号：JPWO2016021370A1

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：JP2016540134

申请日：2015-07-10

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 祥一郎 鈴木 ,  祥一郎 鈴木 ,  貴史 岡本 ,  貴史 岡本

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  H01B3/12 ,  H01G4/012 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/232

Abstract: 比較的高い比誘電率を確保しながら、高い温度での漏れ電流および絶縁抵抗劣化を抑制することができる積層セラミックコンデンサを提供する。積層セラミックコンデンサは、誘電体層と誘電体層間の界面に配設されている内部電極とを有するセラミック積層体とセラミック積層体の外表面に形成されている外部電極とを備えている。誘電体層は主成分としてBa、Ti、Zr、Mを含むペロブスカイト型化合物を含み、MはTa、Nb、V、Wの少なくとも一種類の元素であり、添加成分としてMn、Siを含む。Ti、Zr、Mの合計量に対するZrの含有量が40モル%

公开(公告)号：JPWO2015005027A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015526213

申请日：2014-06-04

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 貴史 岡本

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  C04B35/468 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  H01B3/12 ,  H01G4/012 ,  H01G4/242 ,  H01G4/30

Abstract: 高温負荷時の絶縁劣化耐性が高い積層セラミックコンデンサを提供する。内層用セラミック層11の組成が、BaおよびTiを含むペロブスカイト型化合物を主成分とし、NbおよびTaの少なくとも一種類を含み、かつ、MnおよびAlを含み、かつ、Mgおよび希土類元素(Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Erの少なくとも一種類)を任意で含み、Tiの含有量を100モル部としたとき、(ア)NbおよびTaの合計が0.2〜1.5モル部、(イ)Mgが0.2モル部以下(0モル部を含む)、(ウ)Mnが1.0〜3.5モル部、(エ)Alが1.0〜4.0モル部、(オ)希土類元素が0.05モル部以下(0モル部を含む)含む。さらに、内層用セラミック層11の1層あたりの平均粒子数が3個以下である。

Abstract translation: 在高温负荷绝缘劣化性，以提供高的层压陶瓷电容器。 所述内陶瓷层11的组合物，作为主要组分的含Ba和Ti的钙钛矿型化合物，含有至少一种Nb和Ta的，并且包括Mn和Al，以及，Mg和稀土类元素（Y，钆 ，铽，镝，钬，包括至少一个）铒任选的，当Ti的含量为100摩尔份的（a）Nb和Ta，是（i）的Mg的总0.2〜1.5摩尔份 0.2摩尔份或以下（包括0摩尔份），包括（ⅲ）Mn为1.0〜3.5摩尔份，（d）中的Al为1.0〜4.0摩尔份，（E）的稀土类元素为0.05摩尔份以下（0摩尔单元 ），包括。 此外，每内陶瓷层11的层的颗粒的平均数量是三个或更少。

公开(公告)号：JP6079899B2

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：JP2015553394

申请日：2014-08-21

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 足立 大樹

IPC: C04B35/30 ,  C03C8/14 ,  H01F17/00 ,  H01F27/00 ,  H01G4/40 ,  C04B35/16

CPC classification number: H01G4/40 ,  B32B18/00 ,  C03C10/0009 ,  C03C10/0018 ,  C03C10/0054 ,  C03C14/004 ,  C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  C03C8/14 ,  C04B35/18 ,  H01F17/04 ,  H01F27/245 ,  H01F27/2804 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/129 ,  H01G4/30 ,  C03C2204/00 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704

公开(公告)号：JP2016169130A

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：JP2015050941

申请日：2015-03-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 兼子 俊彦 ,  藤野 辰哉 ,  森ケ▲崎▼ 信人 ,  伊藤 康裕

IPC: H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/488 ,  C04B35/49 ,  H01G4/30 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68

Abstract: 【課題】誘電体層を薄層化しても容量温度特性がX8R特性を満足し、高電圧環境下での信頼性が良好なセラミック電子部品および前記誘電体層を構成する誘電体磁器組成物の提供。 【解決手段】一般式ABO 3 で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する主成分と、希土類元素の酸化物である第1の副成分と、Siの酸化物である第2の副成分と、を含有する誘電体磁器組成物であって、コアシェル構造を有する誘電体粒子2a、および、偏析粒子2bを少なくとも含有し、偏析粒子2bにおける前記希土類元素の濃度が、コアシェル構造を有する誘電体粒子2aのシェル部における前記希土類元素の平均濃度の2倍以上であり、前記誘電体磁器組成物を切断した断面において、偏析粒子2bが占める領域の面積が5.0%以下であり、それぞれの偏析粒子2bの断面積の平均が0.075μm 2 以下である誘電体磁器組成物。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种陶瓷电子部件，其中即使当电介质层变薄时，容量温度特性满足X8R特性，并且其中在高电压环境下的可靠性令人满意，并且提供 介电陶瓷组合物，其形成所述电介质层。本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其包含具有由通式ABO表示的钙钛矿晶体结构的主要成分，稀土元素的氧化物的第一副成分和 Si的氧化物的第二子成分，并且至少含有具有核 - 壳结构的电介质粒子2a和偏析粒子2b，其中分散粒子2b中的稀土元素的浓度为2 在具有核 - 壳结构的电介质粒子2a的壳部中的稀土元素的平均浓度的一倍以上 对于通过切断电介质陶瓷组合物而得到的截面图，偏析粒子2b占据的区域的面积为5.0％以下，各偏析粒子2b的截面积的平均值为0.075μm以下 图2