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    スパッタリング装置および基板処理装置
    1.
    发明专利
    スパッタリング装置および基板処理装置 有权
    溅射装置和底板处理装置

    公开(公告)号：JP2016166426A

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：JP2016087356

    申请日：2016-04-25

    申请人： キヤノンアネルバ株式会社

    发明人： 石原 繁紀 ,  小長 和也 ,  戸谷 寛行 ,  須田 真太郎 ,  安松 保志 ,  藤本 雄 ,  中澤 俊和 ,  中村 英司 ,  今井 慎

    IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/34

    CPC分类号： H01J37/3417 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3447

    摘要： 【課題】搬送チャンバの周囲への配置に有利で、かつ、使用するターゲットの位置によって生じうるスパッタリング特性の差を低減するスパッタリング装置の提供。 【解決手段】スパッタリング装置100は、チャンバ7と、基板を保持する面に直交する軸8を中心として回転可能な基板ホルダと、第1〜第4ターゲットホルダ91〜94とを有し、4つのターゲットのうちスパッタリングに使用するターゲットを選択するシャッターユニットを備える。ゲートバルブ6を介してチャンバ7の内部空間と外部空間との間で基板が搬送される。第1〜第4ターゲットホルダ91〜94は、軸8を中心とする1つの仮想円VCに内接する仮想長方形の頂点上に配置され、第1および第2ターゲットホルダ91、92は、仮想長方形の短辺を定める2つの頂点に配置され、かつ、ゲートバルブ6までの距離が第3および第4ターゲットホルダ93、94からゲートバルブ6までの距離より小さい。 【選択図】図1A

    摘要翻译： 要解决的问题：为了提供有利于对转移室的周围的布置有利的溅射装置，并且减少溅射性能的差异，所述差异是由所使用的靶的位置引起的。解决方案：溅射装置100包括： 一个房间7; 能够围绕与基板保持平面正交的轴8旋转的基板保持件; 第一至第四目标持有人91-94; 以及在四个靶中选择用于溅射的靶的快门单元。 基板经由闸阀6在腔室7的内部空间和外部空间之间传递。第一至第四目标保持器91-94被布置在虚拟矩形的顶部上，虚拟矩形的内部具有围绕轴线8的一个虚拟圆圈VC 第一和第二目标保持器91,92被布置在确定虚拟矩形的短边的两个顶部上，并且布置在比第三和第四目标保持器93,94至距离闸阀6的距离短的距离处 闸阀6.选择图：图1A

    放電空間を画成する部材およびその再生処理方法
    4.
    发明专利
    放電空間を画成する部材およびその再生処理方法 审中-公开
    会员定义排放空间及其恢复处理方法

    公开(公告)号：JP2016042496A

    公开(公告)日：2016-03-31

    申请号：JP2012277110

    申请日：2012-12-19

    申请人： キヤノンアネルバ株式会社

    发明人： 安松 保志 ,  岡本 直之 ,  本地 香織

    IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/31 ,  H01J37/305 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01J37/32467 ,  H01J37/32477

    摘要： 【課題】再生処理時に発生する基材へのダメージを低減することができる放電空間を画成する部材および該部材の再生処理方法を提供する。 【解決手段】本発明の一実施形態に係るベルジャ104は、基材201と、基材201の放電空間側の表面に被覆されている第1の中間層202、第1の中間層202の表面に被覆されている第2の中間層203と、第2の中間層203の表面に被覆されているトップコート層204とを含む。第2の中間層はフッ酸に溶解し、かつ第1の中間層はフッ酸に溶解しないように構成されている。ベルジャの再生処理においては、フッ酸を用いて表面の付着物質ごと第2の中間層およびトップコート層を除去し、第1の中間層を残存させる。その結果、基材にフッ酸が接触してダメージを与えることを抑制することができる。 【選択図】図2

    摘要翻译： 要解决的问题：提供：限定放电空间的构件，其能够减少在恢复处理中引起的基材的损坏; 以及该构件的回收处理方法。解决方案：根据本发明的实施例的钟罩104包括：基材201; 在放电空间侧覆盖基材201的表面的第一中间层202; 覆盖第一中间层202的表面的第二中间层203; 以及覆盖第二中间层203的表面的顶涂层204.钟罩104被布置成使得第二中间层溶解在氢氟酸中，而第一中间层不溶于氢氟酸。 钟罩的回收处理方法包括在离开第一中间层的同时用氢氟酸与表面沉积物质一起除去第二中间层和顶涂层的步骤。 结果，可以抑制基材与氢氟酸接触导致的基材损坏。图2：

    イオンビームエッチング装置、およびイオンビーム発生装置
    8.
    发明专利
    イオンビームエッチング装置、およびイオンビーム発生装置 有权
    离子束蚀刻装置，离子束发生器

    公开(公告)号：JP2016225508A

    公开(公告)日：2016-12-28

    申请号：JP2015111701

    申请日：2015-06-01

    申请人： キヤノンアネルバ株式会社

    发明人： 岡本 直之 ,  小平 吉三 ,  安松 保志

    IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32522

    摘要： 【課題】大型グリッドを用いた場合であっても、グリッド孔の位置ずれおよびグリッド間のギャップずれを低減できるイオンビームエッチング装置、およびイオンビーム発生装置を提供すること。 【解決手段】本発明の一実施形態に係るイオンビームエッチング装置1は、内部空間102aから処理室101へと、プラズマ発生室102にて生成されたプラズマからイオンを引き出すためのグリッド部109と、第1の電極115よりもプラズマ発生室102側に設けられた第1のリング119と、グリッド部109の第3の電極117よりも処理室101側に設けられた第2のリング120と、第1の電極115、第2の電極116、および第3の電極117を貫通し、一方端が第1のリング119に連結され、他方端が第2のリング120に連結された固定部材121と、第3の電極117をプラズマ発生室102の外側から加熱するランプヒータ123とを備える。 【選択図】図1

    摘要翻译： 甲即使在使用大的网格，能够降低间隙的位置偏差和格孔的栅格之间的偏移的离子束蚀刻装置，并且提供一种离子束产生器的情况下。 根据从内部空间102a中的本发明的一个实施例中，在处理室101中的离子束蚀刻装置1，用于从在等离子体产生室102产生的等离子体引出离子的网格部分109， 在等离子体产生室102侧比第一电极115提供的第一环119，并在栅109，第三电极117的处理室101侧的第二环120 第一电极115，穿过第二电极116和第三电极117，一端连接至所述第一环119，固定构件121的另一端连接至所述第二环120， 和灯加热器123，用于从等离子体产生室102的外部加热该第三电极117。 点域1