-
公开(公告)号：JPWO2014103815A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2014554350
申请日：2013-12-18
Applicant: キヤノンアネルバ株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/667 , G11B5/84
Abstract: 磁気異方性の大きなL10型の規則合金を磁気記録層に用い、高い保磁力を持つ磁気記録媒体を高スループットで生産可能な磁気記録媒体とその製造方法を提供する。L10型構造を有する規則合金を含む磁気記録層の結晶性を高めるための配向制御層の下層に、面心立方構造を有する金属下地層を設けることにより、該配向制御層を薄膜化した場合においても十分な保磁力を有する磁気記録層の形成が可能となり、主に酸化物から構成される配向制御層を薄膜化できるため、スループットを向上させることができる。
Abstract translation: 与磁性记录层中大L10型有序合金的磁各向异性，是提供一种磁记录介质和能够产生与具有高矫顽力的高通量制造过程中的磁性记录介质的。 下用于增强包括具有L10结构有序合金磁记录层的结晶取向控制层，通过在所述取向控制层变薄提供具有面心立方结构，所述金属基体层 因为还可以形成具有足够的矫顽磁力的磁记录层可以减薄主要由氧化物组成的取向控制层，所以能够提高吞吐量。
-
公开(公告)号：JP4447279B2
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：JP2003355471
申请日：2003-10-15
Applicant: キヤノンアネルバ株式会社
IPC: B65G49/07 , C23C14/56 , C23C14/32 , C23C16/00 , C23C16/44 , C23C16/54 , G11B5/85 , H01L21/306 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/68
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/568 , C23C16/54
-
公开(公告)号：JPWO2010050359A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：JP2010535749
申请日：2009-10-13
Applicant: キヤノンアネルバ株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/3464 , H01J37/3405 , H01J37/3429 , H01J37/347
Abstract: 本発明は、ターゲットを有効に利用し、生産性に優れた、螺旋状の形状を低減した多層膜形成可能なスパッタリング装置と該装置を用いた多層膜形成方法を提供する。本発明の一実施形態は、回転可能なカソードユニット(30)であって、回転中心に対し同一円周上に配置されるカソード(7a)、(7b)と各カソードにそれぞれ電力を供給する電力供給機構とを有するカソードユニット(30)と、カソードの位置を検知するセンサ(14)と、カソードユニット(30)を回転させる回転機構とを備える。
-
公开(公告)号：JP4746063B2
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：JP2008035565
申请日：2008-02-18
Applicant: キヤノンアネルバ株式会社
IPC: C23C14/56 , G11B5/84 , H01L21/677
-
公开(公告)号：JP4493284B2
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：JP2003147529
申请日：2003-05-26
Applicant: キヤノンアネルバ株式会社
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C14/0063 , H01J37/34
-
Patent Agency Ranking6.发明专利
公开(公告)号：JP5425547B2
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：JP2009162467
申请日：2009-07-09
Applicant: キヤノンアネルバ株式会社
Inventor： 和人 山中 , 雅弘 芝本 , 歩 三好 , 聡 人見 , ジャヤプラウィラ ダビッド
CPC classification number: G11B5/8404
-
-
公开(公告)号：JP4416422B2
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：JP2003077888
申请日：2003-03-20
Applicant: キヤノンアネルバ株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
-
公开(公告)号：JPWO2016208094A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016538119
申请日：2015-12-16
Applicant: キヤノンアネルバ株式会社
Abstract: アーク放電を用いて基板上にta−C膜を形成する真空アーク成膜装置は、ターゲット部を保持する保持部と、前記ターゲット部から放出された電子が流入するアノード部と、前記ターゲット部と前記アノード部との間に、アーク放電によってプラズマを発生させる電流を供給する電源とを有し、前記アーク放電の際に前記電源が供給する電流は、直流電流に、140Hz以下のパルス周波数のパルス電流を重畳したものである。
-
公开(公告)号：JPWO2015125193A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016503792
申请日：2014-11-19
Applicant: キヤノンアネルバ株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3476 , C23C14/35 , C23C14/542 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32935 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J37/345
Abstract: 真空容器と、前記真空容器内に配置された複数の電極と、前記複数の電極のそれぞれに電位を与える複数の電源と、前記真空容器内に搬送される基板と前記複数の電極のそれぞれとの間のプロセス空間における電位を検出する検出部と、前記検出部によって検出された電位に基づいて、前記複数の電源によって前記複数の電極のそれぞれに与えられる電位の位相を制御する制御部と、を有することを特徴とする処理装置を提供する。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.018 seconds)
