記憶装置
    2.
    发明专利
    記憶装置 审中-公开

    公开(公告)号:JPWO2018190071A1

    公开(公告)日:2020-02-20

    申请号:JP2018010255

    申请日:2018-03-15

    Abstract: 本開示の一実施形態の記憶装置は、一の方向に延伸する複数の第1の配線層と、他の方向に延伸する複数の第2の配線層と、複数の第1の配線層と複数の第2の配線層との対向領域にそれぞれ設けられた複数のメモリセルとを備え、複数のメモリセルはそれぞれ、選択素子層と、記憶素子層と、選択素子層と記憶素子層との間に設けられた中間電極層とを有し、選択素子層、記憶素子層および中間電極層のうちの少なくとも1つは、一の方向または他の方向に延伸して隣り合う複数のメモリセル間における共通層となっており、中間電極層は、非線形抵抗材料を含んで形成されている。

    記憶素子および記憶装置
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021048310A

    公开(公告)日:2021-03-25

    申请号:JP2019170594

    申请日:2019-09-19

    Abstract: 【課題】高密度、且つ、大容量な記憶素子および記憶装置を提供する。 【解決手段】本開示の一実施形態の記憶素子は、第1電極と、第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられると共に、少なくとも銅、アルミニウム、ジルコニウムおよびテルルを含む記憶層と、記憶層と第2電極との間に設けられ、少なくとも記憶層よりも高濃度なジルコニウムを含むと共に、第2電極との界面における銅の濃度が記憶層よりも低いバリア層とを備える。 【選択図】図1

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