選択素子および記憶装置
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2018203459A1

    公开(公告)日:2020-05-14

    申请号:JP2018014717

    申请日:2018-04-06

    Abstract: 本開示の一実施形態の選択素子は、第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられると共に、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素と、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、リン(P)、ヒ素(As)、炭素(C)、ゲルマニウム(Ge)およびケイ素(Si)から選ばれる少なくとも1種の第1元素とを含む半導体層と、第1電極と第2電極との間において、半導体層の周囲の少なくとも一部に設けられた半導体層よりも熱伝導率の高い第1の熱バイパス層とを備える。

    記憶素子および記憶装置
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019129239A

    公开(公告)日:2019-08-01

    申请号:JP2018010229

    申请日:2018-01-25

    Abstract: 【課題】大容量化を実現することが可能な記憶素子および記憶装置を提供する。 【解決手段】本開示の一実施形態の記憶素子は、第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられると共に、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素と、遷移金属と、酸素とを含む記憶層とを備え、記憶層は、非線形抵抗性を有すると共に、印加電圧を所定の閾値電圧以上のとすることで低抵抗状態となり、印加電圧を所定の閾値電圧より低い電圧とすることで高抵抗状態となることより整流性を有する。 【選択図】図1

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