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公开(公告)号：JPWO2018066320A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：JP2017032811
申请日：2017-09-12
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
Abstract: 【解決手段】本開示の一実施形態のスイッチ素子は、第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられたスイッチ層とを備え、スイッチ層は、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素と、リン(P)およびヒ素(As)から選ばれる少なくとも1種の第1元素とを含み、さらに、ホウ素(B)および炭素(C)から選ばれる少なくとも1種の第2元素と、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)およびインジウム(In)から選ばれる少なくとも1種の第3元素との少なくとも一方を含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6251688B2
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：JP2014554249
申请日：2013-11-21
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/2481 , G11C13/0002 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , G11C2213/52 , G11C2213/71
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公开(公告)号：JPWO2018203459A1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2018014717
申请日：2018-04-06
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
Abstract: 本開示の一実施形態の選択素子は、第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられると共に、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素と、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、リン(P)、ヒ素(As)、炭素(C)、ゲルマニウム(Ge)およびケイ素(Si)から選ばれる少なくとも1種の第1元素とを含む半導体層と、第1電極と第2電極との間において、半導体層の周囲の少なくとも一部に設けられた半導体層よりも熱伝導率の高い第1の熱バイパス層とを備える。
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公开(公告)号：JP2019165084A
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2018051357
申请日：2018-03-19
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
Abstract: 【課題】繰り返し特性を向上させることが可能なクロスポイント素子および記憶装置を提供する。 【解決手段】本開示の一実施形態のクロスポイント素子は、第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に積層されたメモリ素子、選択素子および抵抗素子とを備え、抵抗素子は、負の電圧の印加によって得られる抵抗値が正の電圧の印加によって得られる抵抗値よりも低い。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2019129239A
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：JP2018010229
申请日：2018-01-25
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
Abstract: 【課題】大容量化を実現することが可能な記憶素子および記憶装置を提供する。 【解決手段】本開示の一実施形態の記憶素子は、第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられると共に、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素と、遷移金属と、酸素とを含む記憶層とを備え、記憶層は、非線形抵抗性を有すると共に、印加電圧を所定の閾値電圧以上のとすることで低抵抗状態となり、印加電圧を所定の閾値電圧より低い電圧とすることで高抵抗状態となることより整流性を有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2016158429A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017509542
申请日：2016-03-16
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 本技術の一実施の形態のスイッチ素子は、第1電極と、第1電極に対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられたスイッチ層とを備えている。スイッチ層は、カルコゲン元素を含んで構成されている。スイッチ層では、第1電極寄りの第1領域と、第1領域と比べて第2電極寄りの第2領域とにおいて、カルコゲン元素の組成比、または、カルコゲン元素の種類が互いに異なっている。
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公开(公告)号：JP6050015B2
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：JP2012080643
申请日：2012-03-30
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146
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公开(公告)号：JP6772124B2
公开(公告)日：2020-10-21
申请号：JP2017509542
申请日：2016-03-16
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
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公开(公告)号：JP6162931B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2012137588
申请日：2012-06-19
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105
CPC classification number: H01L45/1266 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146
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