公开(公告)号：JP2017098307A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：JP2015225914

申请日：2015-11-18

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 川上 昌宏 ,  兼近 将一 ,  上田 博之

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L29/06 ,  H01L21/338

Abstract: 【課題】JFET型ゲート構造を有する半導体装置において、JFET型ゲート構造のドレイン側の電界を緩和する技術を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体装置1は、p型窒化物半導体層18に接するゲート電極36を備える。ゲート電極36は、p型窒化物半導体層18のドレイン側の側面18Saに隣接する部分において、p型窒化物半導体層18のドレイン側の側面18Saの一部に接するとともに絶縁膜22の薄肉絶縁膜部22aを介して電子供給層16cに対向する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018060985A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2016199498

申请日：2016-10-07

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 川上 昌宏 ,  森 朋彦 ,  上田 博之

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

Abstract: 【課題】p型ウエル領域とプレナーゲート電極を利用するFETのオン抵抗を下げて耐圧を上げる。 【解決手段】p型ウエル領域を囲むウエル外n型領域に、p型ウエル領域に接する不純物低濃度領域と、その不純物低濃度領域によってp型ウエル領域から隔てられている不純物高濃度領域を形成する。不純物高濃度領域を利用してオン抵抗を下げることができ、p型ウエル領域にn型不純物の低濃度領域が接することで耐圧を上げることができる。 【選択図】図1