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    グラファイトプレート及びその製造方法
    3.
    发明专利
    グラファイトプレート及びその製造方法 审中-公开
    石墨板及其制造方法

    公开(公告)号：JP2017024972A

    公开(公告)日：2017-02-02

    申请号：JP2016081746

    申请日：2016-04-15

    申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

    发明人： 西木 直巳 ,  西川 和宏 ,  北浦 秀敏 ,  田中 篤志 ,  中谷 公明

    IPC分类号： C01B32/205

    摘要： 【課題】熱伝導ペーストを使用せず、接触抵抗の小さいグラファイトプレートとその製造方法を提供こと。 【解決手段】グラファイトプレートの表面粗さ(Ra)が10μm以上、40μm未満であり、上記グラファイトプレートの表面内の任意の80mmの距離の間で、距離80mmに対する表面凹凸の変化率が、0.01%以上、0.135%以下であるグラファイトプレートを用いる。また、高分子フィルムを不活性ガス中で熱処理するグラファイトプレートの製造方法であり、上記高分子フィルムに行う熱処理は、上記不活性ガスの雰囲気中で、温度が2400℃以上3200℃以下であり、温度が2000℃以上で10kg/cm 2 以上、100kg/cm 2 以下の加圧をするグラファイトプレートの製造方法を用いる。 【選択図】 図3

    摘要翻译： 不导热膏，小石墨板接触电阻和A可以提供其制造方法。 石墨板的表面粗糙度（Ra）为10μm或更大且小于40微米时，距离之间的任何80毫米，变化率的表面的凹凸相对于距离80mm时的石墨板的表面，0.01％ 以上，使用石墨板是小于0.135％。 此外，用于生产的方法的石墨板热处理在惰性气体中的聚合物膜，在聚合物膜进行了热处理，在惰性气体的气氛中，温度为3200℃以下2400℃以上， 温度在10公斤/厘米2以上，在2000℃以上，使用100公斤/厘米2或更小的压力的石墨板的制造方法。 点域

    グラファイトとその製造方法
    4.
    发明专利
    グラファイトとその製造方法 审中-公开
    石墨及其生产方法

    公开(公告)号：JP2016023093A

    公开(公告)日：2016-02-08

    申请号：JP2014146437

    申请日：2014-07-17

    申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

    发明人： 北浦 秀敏 ,  西木 直巳 ,  坂口 茂樹

    IPC分类号： C01B31/04

    摘要： 【課題】樹脂の熱伝導率を向上させるために、レーザー照射から合成した球状グラファイト粉末を熱伝導フィラーとして用いる場合、粒径が小さいと熱伝導フィラーとして添加しているグラファイト粒子の接触点数が多くなり、接触点数分の接触抵抗が生じるため樹脂の熱伝導が向上しない。 【解決手段】高分子フィルム101を円柱に打抜き、2600℃以上の熱処理を行うことにより、高分子フィルム101を黒鉛化させた球状グラファイト粒子302の製造を行う。 本構成によって、高分子フィルムから球状グラファイト粒子を合成することで目的の粒径かつ粒径野揃った粒子を合成することが可能である 【選択図】 図1

    摘要翻译： 要解决的问题为了解决为了提高树脂的导热性，当使用由激光照射合成的球状石墨粉末作为导热填料时，如果粒径小，则越大 作为导热填料添加的石墨颗粒的接触点数和树脂的导热性由于接触电阻的产生等于接触点数而没有改善。解决方案：问题是通过制备 通过将聚合物膜101石墨化，通过将聚合物膜101冲压成柱并进行2600℃以上的热处理而制成的球状石墨粒子302。 在所述构成中，通过从聚合物膜合成球状石墨粒子，可以合成具有目标粒径并具有均匀粒径的粒子。图示：图1

    接合体とそれを用いた半導体装置
    6.
    发明专利
    接合体とそれを用いた半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020006403A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：JP2018129573

    申请日：2018-07-09

    申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

    发明人： 北浦 秀敏 ,  古澤 彰男 ,  日根 清裕

    IPC分类号： C22C13/02 ,  H05K3/34 ,  H01L21/52 ,  H01L23/48 ,  B23K35/26

    摘要： 【課題】 はんだ接合部の合金層の耐クラック性を向上させ、高信頼性を実現する接合体とそれを用いた半導体装置を提供する 【解決手段】半導体素子と、回路基板と、上記半導体素子と上記回路基板とを接合するはんだ接合層と、上記半導体素子と上記はんだ接合層との界面に形成される素子側合金層と、を含み、上記素子側合金層に、TeとAuの少なくとも1方が含まれる接合体を用いる。また、上記接合体と、上記半導体素子と上記回路基板とを接続するワイヤーと、を含む半導体装置を用いる。 【選択図】 図3