Manufacturing method of the semiconductor layer

    公开(公告)号:JP2012525493A

    公开(公告)日:2012-10-22

    申请号:JP2012507700

    申请日:2010-04-26

    Abstract: 本発明は、少なくとも以下の工程:(A)相応する金属の、少なくとも3個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも1種の金属酸化物の少なくとも1種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも1種の溶媒中で製造する工程、(B)工程(A)からの溶液を基材に施与する工程及び(C)前記少なくとも1種の前駆体化合物を、少なくとも1種の半導体金属酸化物に変えるために、工程(B)からの基材を、20〜200℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程(A)において電気的に中性の[(OH)
    x (NH
    3 )
    y Zn]
    z (x、y及びzは、互いに無関係に、0.01〜10である)が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも1種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも1種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の[(OH)
    x (NH
    3 )
    y Zn]
    z (式中、x、y及びzは、互いに無関係に、0.01〜10である)を、酸化亜鉛及び/又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。

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