公开(公告)号：JP2015518492A

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：JP2015510912

申请日：2013-04-29

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： デッツ フローリアン ,  デッツ フローリアン ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  ジアオ チョンジュン ,  ジアオ チョンジュン ,  宙幹 野口 ,  宙幹 野口 ,  スウィーメン アン ,  スウィーメン アン ,  ジョウ ミー ,  ジョウ ミー ,  伊織 土井 ,  伊織 土井 ,  クマール ミシュラ アショク ,  クマール ミシュラ アショク

IPC: C07D495/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D209/86 ,  C07D307/78 ,  C07D307/87 ,  C07D333/52 ,  C07D333/72 ,  C07D495/04 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/5012 ,  Y02E10/549

Abstract: 式(I)のフェナセン化合物が開示される。前記式の全ての変化形は、明細書中において定義されるものと同一である。上記化合物を含む薄膜半導体、および前記薄膜を含む電界効果トランジスタ、光起電素子、有機発光ダイオード素子、および単極型もしくは相補型回路素子も開示される。

Abstract translation: 公开式（I）的化合物Fenasen。 其中公式中的所有变化是一样的，在说明书中所定义。 薄膜半导体包含所述化合物，和一个场效应晶体管，包括薄膜，光伏器件，有机发光二极管装置，并且还单极型或互补电路器件中公开。

公开(公告)号：JP2017509615A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2016554206

申请日：2015-02-18

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： ジアオ チョンジュン ,  ジアオ チョンジュン ,  伊織 土井 ,  伊織 土井 ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  ウー チャオ ,  ウー チャオ ,  ツァオ ワイマン ,  ツァオ ワイマン ,  チュア シーフイ ,  チュア シーフイ ,  シュテファン　ベッカー ,  ベッカー シュテファン ,  オイスタヒ ミヒャエル ,  オイスタヒ ミヒャエル

IPC: C07D495/14 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D495/14 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0558

Abstract: 本発明は、式1で示され、その式中、X1及びX2が、互いに独立してO、S又はSeである化合物、並びに該化合物を半導体材料として含む電子素子を提供する。

公开(公告)号：JP2016504455A

公开(公告)日：2016-02-12

申请号：JP2015548815

申请日：2013-12-12

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation

Inventor： クマール ミシュラ アショク ,  クマール ミシュラ アショク ,  グワン ユーツゥイ ,  グワン ユーツゥイ ,  宙幹 野口 ,  宙幹 野口 ,  ジョウ ミー ,  ジョウ ミー ,  ジアオ チョンジュン ,  ジアオ チョンジュン ,  デッツ フローリアン ,  デッツ フローリアン

IPC: C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC classification number: C08G61/126 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/413 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C09B69/109 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本発明は、式(I)の単位を含むポリマーであって、R1及びR2が互いに独立してC1〜C30−アルキル、C2〜C30−アルケニル、C2〜C30−アルキニル、フェニル又は5〜8員の複素環系であり、その際、C1〜C30−アルキル、C2〜C30−アルケニル又はC2〜C30−アルキニル基が、それぞれ、ハロゲン、−CN、−NO2、−OH、−NH2、−NH(C1〜20−アルキル)、−N(C1〜20−アルキル)2、−NH−C(O)−(C1〜20−アルキル)、−S(O)2OH、−CHO、−C(O)−C1〜20−アルキル、−C(O)OH、−C(O)−OC1〜20−アルキル、−C(O)NH2、−CO(O)NH−C1〜20−アルキル、−C(O)N(C1〜20アルキル)2、−O−C1〜20アルキル、−OC(O)−C1〜20−アルキル、−SiH3、SiH2(C1〜20−アルキル)、SiH(C1〜20−アルキル)2、Si(C1〜20−アルキル)3、C4〜8−シクロアルキル、フェニル、及び5〜8員の複素環系からなる群から独立して選択される1〜10個の置換基で置換されてよく、且つフェニル及び5〜8員の複素環系はC1〜16−アルキル基で置換されてよく、oは1、2又は3であり且つnは2〜10000の整数である前記ポリマー、前記ポリマーの製造方法、及び前記ポリマーを含む電子デバイスを提供する。

Abstract translation: 本发明具有下式，其包括（I）单元，R 1和R 2彼此独立地为C1〜-C 30烷基的，C2〜-C 30烯基，C2〜-C 30炔基，苯基或5-8元的聚合物 的杂环体系，其中，C1至C30烷基，C2〜-C 30链烯基或C2分别〜-C 30炔基，卤素，-CN，-NO 2，-OH，-NH 2，-NH（C1〜 20-烷基）， - N（C1〜20-烷基）2，-NH-C（O） - （C1〜20-烷基）， - S（O）2 OH，-CHO，-C（O）-C1〜 20 - 烷基，-C（O）OH，-C（O）-OC 1〜20-烷基，-C（O）NH 2，-CO（O）NH-C1〜20-烷基，-C（O）N（ C 1-20烷基）2，-O-C1〜20烷基，-OC（O）-C1〜20-烷基，-SiH3，的SiH 2（C1〜20-烷基硅烷），SiH（C1〜20-烷基）2，硅 （C1〜20-烷基）3，C 4〜8 1〜10的环烷基，独立地选自苯基的组中选择，和5-8元杂环环系 可以用取代基，苯基和5-8元杂环系统被取代可与C1〜取代16-烷基，o为1，2或3，n是2至10000的整数 聚合物，该聚合物的制造方法，以及提供了包括该聚合物是一种电子装置。