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公开(公告)号:JP2016502559A
公开(公告)日:2016-01-28
申请号:JP2015546122
申请日:2013-11-25
Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se , ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se
Inventor: チョンジュン ジアオ , チョンジュン ジアオ , 伊織 土井 , 伊織 土井 , ユアク キアナー ハンス , ユアク キアナー ハンス , ジョウ ミー , ジョウ ミー , ヴァイツ トーマス , ヴァイツ トーマス , クマール ミシュラ アショク , クマール ミシュラ アショク
IPC: C07D495/22 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/22 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本発明は、式(1)の化合物[前記式中、oは1、2または3であり、pは0、1または2であり、nは0、1または2であり、mは0、1または2であり、且つAは、少なくとも1つのヘテロ原子を含有してよい単環系または多環系である]、および前記化合物を半導体材料として含む電子素子を提供する。
Abstract translation: 本发明提供式的化合物(1)[式中,o为1,2或3,p是0,1或2,n为0,1或2,m是0,1 或2,以及提供了一种电子设备,包括至少一个,并且可以含有杂原子的单环或多环,并且该化合物作为半导体材料。
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公开(公告)号:JP2016525511A
公开(公告)日:2016-08-25
申请号:JP2016524913
申请日:2014-06-30
Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se , ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se
Inventor: ジョウ ミー , ジョウ ミー , ジ. ブルネッティ フルヴィオ , ジ. ブルネッティ フルヴィオ , マルタン エマニュエル , マルタン エマニュエル , シュテファン ベッカー , ベッカー シュテファン , 伊織 土井 , 伊織 土井 , ナサニア サントソ ライサ , ナサニア サントソ ライサ , シャン ラム メイ , シャン ラム メイ
IPC: C07C247/16 , C07D333/20 , C08K5/28 , C08L25/04 , C08L101/00
CPC classification number: H01L21/02118 , C07C247/16 , C07C2603/18 , C07D333/20 , C07D333/22 , C08J3/24 , C08J3/28 , C08J2325/06 , C08K5/28 , C08K5/45 , C09D125/06 , H01L51/0018 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本発明は、式(1)の化合物、前記化合物の製造方法、前記化合物を含有する溶液、前記溶液を用いた素子の製造方法、前記方法により得られる素子、および架橋剤としての前記ビス−アジド系化合物の使用に関する。
Abstract translation: 本发明提供了式(1)的化合物,对于所述化合物的制造方法,含有该化合物,使用该解决方案,通过该方法获得的元件的制造装置的方法,以及双作为交联剂的溶液 - 叠氮基 它涉及使用该系统的化合物。
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公开(公告)号:JP2015518492A
公开(公告)日:2015-07-02
申请号:JP2015510912
申请日:2013-04-29
Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se , ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se
Inventor: デッツ フローリアン , デッツ フローリアン , ヴァイツ トーマス , ヴァイツ トーマス , ジアオ チョンジュン , ジアオ チョンジュン , 宙幹 野口 , 宙幹 野口 , スウィーメン アン , スウィーメン アン , ジョウ ミー , ジョウ ミー , 伊織 土井 , 伊織 土井 , クマール ミシュラ アショク , クマール ミシュラ アショク
IPC: C07D495/04 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D209/86 , C07D307/78 , C07D307/87 , C07D333/52 , C07D333/72 , C07D495/04 , H01L51/0508 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/5012 , Y02E10/549
Abstract: 式(I)のフェナセン化合物が開示される。前記式の全ての変化形は、明細書中において定義されるものと同一である。上記化合物を含む薄膜半導体、および前記薄膜を含む電界効果トランジスタ、光起電素子、有機発光ダイオード素子、および単極型もしくは相補型回路素子も開示される。
Abstract translation: 公开式(I)的化合物Fenasen。 其中公式中的所有变化是一样的,在说明书中所定义。 薄膜半导体包含所述化合物,和一个场效应晶体管,包括薄膜,光伏器件,有机发光二极管装置,并且还单极型或互补电路器件中公开。
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公开(公告)号:JP2015513781A
公开(公告)日:2015-05-14
申请号:JP2014555091
申请日:2012-02-02
Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se , ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se
Inventor: ヴァイディアナサン スブラマニアン , ヴァイディアナサン スブラマニアン , カストラー マルセル , カストラー マルセル , タン ベルタ , タン ベルタ , ジョウ ミー , ジョウ ミー
IPC: H01L21/336 , C08G61/12 , H01L21/28 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0053 , H01L51/0541 , H01L51/0562 , H01L51/105
Abstract: 少なくとも1種の有機半導体材料(122)と、該有機半導体材料(122)を通じた電荷担体輸送を促すように適合された少なくとも2つの電極(114)とを有する有機半導体デバイス(110)の製造方法が開示されている。前記有機半導体材料(122)は、固有に両極性半導体特性を有する。前記方法は、前記有機半導体材料(122)と前記有機半導体デバイス(110)の前記電極(114)の少なくとも1つとの間に少なくとも部分的に挿入されている少なくとも1つの中間層を生成する少なくとも1つのステップを含む。前記中間層(120)は、一般式HS−Rを有し、式中のRが有機残基である少なくとも1種のチオール化合物を含む。前記チオール化合物は、該チオール化合物のSH基から離れた方向を指し示す電気的双極子モーメントを有する。前記電気的双極子モーメントは、4−フェニルチオフェノールにおける双極子モーメントと少なくとも同じ大きさを有する。前記中間層(120)によって、電極(114)間の両極性電荷輸送は抑制されて、単極性電荷担体輸送が優勢となる。
Abstract translation: 的至少一种有机半导体材料(122),(110)制造具有其适于在至少两个电极的有机半导体器件(114)通过所述有机半导体材料(122)以促使载流子传输的方法的 已经公开。 的有机半导体材料(122)具有固有的双极半导体特性。 的方法,其中所述至少用于产生所述电极的至少一个中间层被插入在至少部分地基于所述(114)之间的至少一个有机半导体材料的(122)的有机半导体器件(110) 包括其中一个步骤的。 它所述中间层(120)具有通式HS-R,其包含至少一种硫醇化合物,其中R是有机残基。 硫醇化合物具有电偶极矩指向从SH基团的硫醇化合物,远离的方向。 电偶极矩为至少如4-苯基苯硫酚的偶极矩大。 其中,所述电极之间的中间层(120),双极电荷传输(114)被抑制,单极电荷载体传输是占主导地位。
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公开(公告)号:JP2017530558A
公开(公告)日:2017-10-12
申请号:JP2017516445
申请日:2015-08-13
Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se , ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se
Inventor: マルタン エマニュエル , マルタン エマニュエル , ジ. ブルネッティ フルヴィオ , ジ. ブルネッティ フルヴィオ , ジョウ ミー , ジョウ ミー , シュテファン ベッカー , ベッカー シュテファン , ケルブライン ダニエル , ケルブライン ダニエル , ウー チャオ , ウー チャオ , プラプタナ ライモンド , プラプタナ ライモンド , クノル コンラート , クノル コンラート , トマス コッピング ジョーダン , トマス コッピング ジョーダン
IPC: H01L29/786 , C08F12/32 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/052 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/32 , C08F112/14 , C08F212/14 , C09D125/18 , H01L51/004 , H01L51/0043 , C08F212/32
Abstract: 少なくとも1つの式(1)の単位を含むポリマーであって、前記式中、nは0又は1であり、m及びpは互いに独立して0、1、2、3、4、5又は6であるが、但し、n、m及びpの合計は少なくとも2であり、且つn及びpは同時に0ではなく、Ar1及びAr2は、互いに独立して、C1〜30アルキル、C2〜30アルケニル、C2〜30アルキニル、C5〜8シクロアルキル、C6〜14アリール及び5〜14員のヘテロアリールからなる群から独立して選択される1〜4個の置換基で置換され得る、C6〜14アリーレン又はC6〜14アリールであり、且つX1、X2及びX3は、それぞれ互いに独立してO又はSである、前記ポリマー、これらのポリマーを含む組成物、及び前記組成物から形成された層を含む電子デバイスに関する。好ましくは、前記電子デバイスは有機電界効果トランジスタであり、前記層は誘電体層である。
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6.ナフタレンジイミド−ビニレン−オリゴチオフェン−ビニレンポリマーに基づく半導体材料 有权
Title translation: 萘二酰亚胺 - 亚乙烯基 - 低聚噻吩 - 半导体材料基于亚乙烯基聚合物公开(公告)号:JP2016504455A
公开(公告)日:2016-02-12
申请号:JP2015548815
申请日:2013-12-12
Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se , ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se , ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation , ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation
Inventor: クマール ミシュラ アショク , クマール ミシュラ アショク , グワン ユーツゥイ , グワン ユーツゥイ , 宙幹 野口 , 宙幹 野口 , ジョウ ミー , ジョウ ミー , ジアオ チョンジュン , ジアオ チョンジュン , デッツ フローリアン , デッツ フローリアン
IPC: C08G61/12 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/12 , C08G2261/1412 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/344 , C08G2261/411 , C08G2261/413 , C08G2261/51 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C09B69/109 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0053 , H01L51/0558 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本発明は、式(I)の単位を含むポリマーであって、R1及びR2が互いに独立してC1〜C30−アルキル、C2〜C30−アルケニル、C2〜C30−アルキニル、フェニル又は5〜8員の複素環系であり、その際、C1〜C30−アルキル、C2〜C30−アルケニル又はC2〜C30−アルキニル基が、それぞれ、ハロゲン、−CN、−NO2、−OH、−NH2、−NH(C1〜20−アルキル)、−N(C1〜20−アルキル)2、−NH−C(O)−(C1〜20−アルキル)、−S(O)2OH、−CHO、−C(O)−C1〜20−アルキル、−C(O)OH、−C(O)−OC1〜20−アルキル、−C(O)NH2、−CO(O)NH−C1〜20−アルキル、−C(O)N(C1〜20アルキル)2、−O−C1〜20アルキル、−OC(O)−C1〜20−アルキル、−SiH3、SiH2(C1〜20−アルキル)、SiH(C1〜20−アルキル)2、Si(C1〜20−アルキル)3、C4〜8−シクロアルキル、フェニル、及び5〜8員の複素環系からなる群から独立して選択される1〜10個の置換基で置換されてよく、且つフェニル及び5〜8員の複素環系はC1〜16−アルキル基で置換されてよく、oは1、2又は3であり且つnは2〜10000の整数である前記ポリマー、前記ポリマーの製造方法、及び前記ポリマーを含む電子デバイスを提供する。
Abstract translation: 本发明具有下式,其包括(I)单元,R 1和R 2彼此独立地为C1〜-C 30烷基的,C2〜-C 30烯基,C2〜-C 30炔基,苯基或5-8元的聚合物 的杂环体系,其中,C1至C30烷基,C2〜-C 30链烯基或C2分别〜-C 30炔基,卤素,-CN,-NO 2,-OH,-NH 2,-NH(C1〜 20-烷基), - N(C1〜20-烷基)2,-NH-C(O) - (C1〜20-烷基), - S(O)2 OH,-CHO,-C(O)-C1〜 20 - 烷基,-C(O)OH,-C(O)-OC 1〜20-烷基,-C(O)NH 2,-CO(O)NH-C1〜20-烷基,-C(O)N( C 1-20烷基)2,-O-C1〜20烷基,-OC(O)-C1〜20-烷基,-SiH3,的SiH 2(C1〜20-烷基硅烷),SiH(C1〜20-烷基)2,硅 (C1〜20-烷基)3,C 4〜8 1〜10的环烷基,独立地选自苯基的组中选择,和5-8元杂环环系 可以用取代基,苯基和5-8元杂环系统被取代可与C1〜取代16-烷基,o为1,2或3,n是2至10000的整数 聚合物,该聚合物的制造方法,以及提供了包括该聚合物是一种电子装置。
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