有機半導体デバイスの製造方法
    4.
    发明专利
    有機半導体デバイスの製造方法 有权
    制备有机半导体器件的方法

    公开(公告)号:JP2015513781A

    公开(公告)日:2015-05-14

    申请号:JP2014555091

    申请日:2012-02-02

    Abstract: 少なくとも1種の有機半導体材料(122)と、該有機半導体材料(122)を通じた電荷担体輸送を促すように適合された少なくとも2つの電極(114)とを有する有機半導体デバイス(110)の製造方法が開示されている。前記有機半導体材料(122)は、固有に両極性半導体特性を有する。前記方法は、前記有機半導体材料(122)と前記有機半導体デバイス(110)の前記電極(114)の少なくとも1つとの間に少なくとも部分的に挿入されている少なくとも1つの中間層を生成する少なくとも1つのステップを含む。前記中間層(120)は、一般式HS−Rを有し、式中のRが有機残基である少なくとも1種のチオール化合物を含む。前記チオール化合物は、該チオール化合物のSH基から離れた方向を指し示す電気的双極子モーメントを有する。前記電気的双極子モーメントは、4−フェニルチオフェノールにおける双極子モーメントと少なくとも同じ大きさを有する。前記中間層(120)によって、電極(114)間の両極性電荷輸送は抑制されて、単極性電荷担体輸送が優勢となる。

    Abstract translation: 的至少一种有机半导体材料(122),(110)制造具有其适于在至少两个电极的有机半导体器件(114)通过所述有机半导体材料(122)以促使载流子传输的方法的 已经公开。 的有机半导体材料(122)具有固有的双极半导体特性。 的方法,其中所述至少用于产生所述电极的至少一个中间层被插入在至少部分地基于所述(114)之间的至少一个有机半导体材料的(122)的有机半导体器件(110) 包括其中一个步骤的。 它所述中间层(120)具有通式HS-R,其包含至少一种硫醇化合物,其中R是有机残基。 硫醇化合物具有电偶极矩指向从SH基团的硫醇化合物,远离的方向。 电偶极矩为至少如4-苯基苯硫酚的偶极矩大。 其中,所述电极之间的中间层(120),双极电荷传输(114)被抑制,单极电荷载体传输是占主导地位。

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